最新記事一覧
三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
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Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
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EVで使用するモーターの小型／高効率化が求められている。こうした中、三菱ケミカルは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」で、「押出成形」によってマグネットワイヤに絶縁材を薄膜でコーティングできる新素材を紹介した。
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三菱電機は、パワー半導体モジュールの新製品「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」10機種のサンプル提供を開始する。第8世代IGBTを採用し、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に寄与する。
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WSTSは2026年の半導体市場成長率予測を前年比89.9％増へ大幅に上方修正した。市場拡大をけん引するのはAI需要を背景に急成長するメモリ市場だが、その伸びの多くは価格高騰によるものでもある。本稿ではWSTSの春季予測を基に、各市場の動向を整理しながら、2027年のメモリ市場に潜む下振れリスクを考察する。
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2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
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デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
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ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。
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ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。
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マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。
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2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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Diodesは超低VCE(sat)を実現する車載対応バイポーラトランジスタを発表した。導通損失を従来比で最大50％削減し、高温環境でも高い信頼性を確保する。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
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MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
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富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
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三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
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サンケン電気は、白物家電向け高圧3相モーター用ドライバー「SIM1-10F1M」の量産を開始した。同社従来品のパッケージサイズを維持しつつ、保護機能を強化している。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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BYD Auto JapanがPHEVタイプのSUV「BYD SEALION 6」を発表。消費税込みで398万2000円からという価格設定もさることながら、世界で初めてPHEVを量産化したとする同社のプラグインハイブリッドシステムにも注目が集まっている。
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三菱電機は、大型産業機器向けに、パワー半導体「HVIGBTモジュールXB」シリーズの耐電圧4.5kVタイプを発売した。絶縁耐電圧6.0kVrmsの標準絶縁品と同10.2kVrmsの高絶縁品の2種を提供する。
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自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM2シリーズ」として、車載用途に向けた最大定格650V／50Aの「SAM265M50AS3」の量産を始めた。スイッチング速度を高めることで、同等の他社製品に比べスイッチング損失を20％以上も低減したという。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。
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さまざまな電子機器の制御や保護に使われる電流センサー。古くから使われているデバイスだが、近年、需要が高まっているのが電流センサーICだ。簡単に電流を測定でき、絶縁性も確保されている電流センサーICは、小型で使いやすいという大きなメリットがある。MPS（Monolithic Power Systems）は、コアレス電流センサーICのラインアップ拡充を強化し、市場投入を本格化させている。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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現代社会では、家電製品から産業用機械まで、あらゆるところでモーターが使われています。世界のエネルギー消費の大半をモーターが占めている事を考えると、モーター制御を最適化して効率を高めることは非常に重要です。本稿では、モーターの構造、VFD(可変周波数ドライブ)の活用、ハードウェアサポートや高度なアルゴリズムを含むモーター制御アプリケーションのソリューションについて詳しく解説します。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。
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STマイクロエレクトロニクスは、高い熱効率を備えた定格電圧1600V、定格電流30AのIGBT「STGWA30IH160DF2」を発表した。BOMコストの削減や低消費電力が求められるIH加熱器／調理器、電子レンジ、炊飯器といった生活家電製品に向ける。
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ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。
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Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。
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