最新記事一覧
2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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Diodesは超低VCE(sat)を実現する車載対応バイポーラトランジスタを発表した。導通損失を従来比で最大50％削減し、高温環境でも高い信頼性を確保する。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
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MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
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富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
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三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
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サンケン電気は、白物家電向け高圧3相モーター用ドライバー「SIM1-10F1M」の量産を開始した。同社従来品のパッケージサイズを維持しつつ、保護機能を強化している。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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BYD Auto JapanがPHEVタイプのSUV「BYD SEALION 6」を発表。消費税込みで398万2000円からという価格設定もさることながら、世界で初めてPHEVを量産化したとする同社のプラグインハイブリッドシステムにも注目が集まっている。
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三菱電機は、大型産業機器向けに、パワー半導体「HVIGBTモジュールXB」シリーズの耐電圧4.5kVタイプを発売した。絶縁耐電圧6.0kVrmsの標準絶縁品と同10.2kVrmsの高絶縁品の2種を提供する。
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自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM2シリーズ」として、車載用途に向けた最大定格650V／50Aの「SAM265M50AS3」の量産を始めた。スイッチング速度を高めることで、同等の他社製品に比べスイッチング損失を20％以上も低減したという。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。
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さまざまな電子機器の制御や保護に使われる電流センサー。古くから使われているデバイスだが、近年、需要が高まっているのが電流センサーICだ。簡単に電流を測定でき、絶縁性も確保されている電流センサーICは、小型で使いやすいという大きなメリットがある。MPS（Monolithic Power Systems）は、コアレス電流センサーICのラインアップ拡充を強化し、市場投入を本格化させている。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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現代社会では、家電製品から産業用機械まで、あらゆるところでモーターが使われています。世界のエネルギー消費の大半をモーターが占めている事を考えると、モーター制御を最適化して効率を高めることは非常に重要です。本稿では、モーターの構造、VFD(可変周波数ドライブ)の活用、ハードウェアサポートや高度なアルゴリズムを含むモーター制御アプリケーションのソリューションについて詳しく解説します。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。
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STマイクロエレクトロニクスは、高い熱効率を備えた定格電圧1600V、定格電流30AのIGBT「STGWA30IH160DF2」を発表した。BOMコストの削減や低消費電力が求められるIH加熱器／調理器、電子レンジ、炊飯器といった生活家電製品に向ける。
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ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。
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Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。
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発明協会は、令和7年度（2025年度）全国発明表彰の受賞者を発表した。最も優れた発明に贈られる「恩賜発明賞」には、旭化成の船川明恭氏および蜂谷敏徳氏による「ニッケルを用いた電極長寿命化技術」が選ばれた。
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STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。
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三菱電機は、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIP」シリーズでは初のSiC製品となる、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」とハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」を発表した。
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ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。
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三菱電機は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として耐電圧3.3kV、定格電流1500Aタイプを発売する。
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オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。
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東京大学は2023年に、パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップを開発した。今回、同技術を4端子パッケージと3端子パッケージの両方に適用できるようにした。これにより、対応する品種の数は2390品種から1万種以上に、大幅に増加した。
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車載用半導体にどのように取り組むのか。東芝デバイス＆ストレージが説明会を開き、戦略を紹介した。
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大河内記念会は、「生産のための科学技術の振興」を目的として生産工学、生産技術などに関する研究開発において卓越した業績を挙げた研究者や企業を表彰する「大河内賞」の贈賞式を行った。
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オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。
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東京大学 生産技術研究所は、同研究所 教授の高宮真氏らの研究グループが開発したパワー半導体のスイッチング損失を自動で低減する技術の適用範囲を大幅に拡大することに成功したと発表した。
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ミネベアミツミがアナログ半導体事業を強化している。独自性の強い技術を磨き上げ、さらにそれらを掛け合わせた相乗効果によって付加価値を高めた製品で、ニッチ領域を狙う。同社で常務執行役員 半導体部門長を務める矢野功次氏は「大海原ではなく“湖”でトップを目指す」と強調する。矢野氏に同社半導体事業の強みと戦略を聞いた。
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三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。
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