最新記事一覧
富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC（炭化ケイ素）ベアウエハーは、2024年にSi（シリコン）ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。
()
ルネサス エレクトロニクスはEV向け需要拡大を見込み、パワー半導体の生産能力増強のため、甲府工場の稼働を開始した。
()
電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）に欠かせないオンボードチャージャー（OBC）。コスト低減や高電圧対応などさまざまな面で進化が必要なOBCだが、特に電力密度の向上、すなわちOBCの小型化が強く求められている。インフィニオン テクノロジーズは2028年ごろに求められるとされる電力密度10kW/Lを実現するOBCリファレンスデザインを開発した。どのような技術で電力密度を向上させたのだろうか。
()
ルネサス エレクトロニクスは2024年4月11日、2014年10月に閉鎖した甲府工場（山梨県甲斐市）の稼働を開始した。パワー半導体の生産能力増強を目的としたもので、本格量産を開始する2025年には、現状比で2倍の生産能力になる見込みだ。
()
ルネサス エレクトロニクスは、独自に開発したRISC-Vベースの32ビットCPUコアを搭載した初の汎用マイコン「R9A02G021」を発売した。
()
2023年、自動車と産業機器で堅調に業績を伸ばしたSTマイクロエレクトロニクス。近年はワイドバンドギャップ半導体やエッジAI（人工知能）関連の製品群の拡張と、積極的な工場投資を進めている。2024年は初頭からグローバルでの組織変更を発表し、開発効率の向上やソリューション提案の強化を強調した。同社の日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、2024年の市況や戦略を聞いた。
()
半導体市場の動向に異変が起きている。PC／スマホ向け半導体が回復しつつある一方で、これまで好調だった自動車向け半導体需要が減速し始めているのだ。なぜ自動車向け半導体の需要が減速し、今後どうなっていくのか。
()
大分デバイステクノロジーは、「第1回 パワーデバイス＆モジュールEXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、自社開発の次世代パワーモジュール汎用パッケージや、6in1パワーモジュールなどを展示した。
()
リテルヒューズは、光絶縁型光発電ドライバー「FDA117」を発表した。最大15.3Vの電圧と60μAの電流でフローティング電源を生成し、標準的なMOSFETやIGBTデバイスを直接駆動できる。
()
富士電機は、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、新幹線の省エネ化目的で使用されているSiC（炭化ケイ素）パワー半導体やxEV（電動車）用IGBTモジュールの分解／組み立てサンプルを展示した。
()
ルネサス エレクトロニクスの2023年12月期（2023年度）通期の連結業績（Non-GAAPベース）は、減収で営業減益だった。自動車向けは堅調だったものの、産業およびマスマーケットの調整局面の継続が響いた。一方で、純利益は前年比14.7％増となる4329億円となった。
()
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール（PIM）」を発表した。従来のSi（シリコン） IGBT製品に比べてサイズを最大40％、重量を最大52％低減できる。
()
三菱電機は、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、xEV（電動車）用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を展示した。
()
富士通ゼネラルエレクトロニクスは、大分デバイステクノロジーの工場内に生産ラインを新設する。生産拠点の拡大により、パワーモジュールの増産と安定供給を図り、今後のパワー半導体の需要拡大に備える。
()
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。
()
三菱電機は、xEV用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を開発した。2024年3月25日より順次サンプル出荷を始める。
()
ルネサス エレクトロニクスがGaN（窒化ガリウム）技術を持つTransphorm（米国）の買収を発表した。これによりパワー半導体のポートフォリオを拡充するという。そもそもGaN技術やパワー半導体とはどういったものなのだろうか？ 筆者が最新の動向を解説する。
()
インフィニオン テクノロジーズは、4.5kV IGBTモジュール「XHP3」ファミリーを発表した。450AのデュアルIGBTモジュール「FF450R45T3E4_B」と、エミッター制御E4ダイオードを備えた450Aのダブルダイオードモジュール「DD450S45T3E4_B5」を用意する。
()
オンセミ（onsemi）は、パワーデバイスとイメージセンサーを核に自動車／産業用市場のニーズに応えるという事業戦略の下、事業規模を順調に拡大させている。普及著しいSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの供給能力増強など積極的な投資でさらなる需要拡大に備える。「国内でもオンセミの技術、製品への引き合いが急増している。2024年はしっかりとデザインウインにつなげていく」と語る日本法人社長の林孝浩氏にインタビューした。
()
トレックス・セミコンダクターは、将来の事業成長に向けて低消費電力／小型電源ICやパワー半導体の新製品投入を加速させている。同時にトレックスグループの半導体受託製造企業（ファウンドリ）であるフェニテックセミコンダクターの設備投資なども進め、供給能力を積極的に増強してきた。「成長のための下地は整った」とするトレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏に聞く。
()
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。
()
オムロンは新たなCT型X線自動検査装置「VT-X950」「VT-X850」を2024年に投入する。半導体検査向けの「VT-X950」は2024年春、EV部品向けの「VT-X850」は2024年2月の発売を予定している。
()
ミネベアミツミと日立は、ミネベアミツミが日立のパワー半導体子会社である日立パワーデバイスの全株式と日立グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業を譲受する契約を締結したと発表した。
()
ミネベアミツミは2023年11月2日、日立製作所のパワー半導体事業を買収すると発表した。統合によって、早期に売上高2000億円達成を目指すとしている。
()
日本TIは、EVをはじめ車載向けに展開している高電圧半導体製品の事業展開について説明した。
()
今回も7.5kWインバーターの修理の続きだ。修理したインバーターを発送して1カ月後に「電源入力とモーター出力を逆に配線してしまった」と連絡があった――。
()
近年、サーボモーター駆動用デバイスを、Si-IGBTからSiCへ移行する動きが加速している。実際にどれほどの改善効果があるのか、4キロワットおよび25キロワット運転時における熱的・電気的性能を比較した。
()
ルネサス エレクトロニクスの2023年度第3四半期業績（Non GAAPベース）は、売上高が3794億円（前年同期比2.1％減）、営業利益が1323億円（同105億円減）、営業利益率が34.9％（同2.0ポイント減）、当期純利益が1083億円（同119億円増）となった。なお、売上高は予想比で2.5％増となっている。
()
マレーシアは、半世紀にわたり「半導体産業のハブ」としての地位を築いてきた国だ。そのマレーシアで、工場投資が活発になっている。米中対立が激しくなる中、マレーシアには新たなチャンスが訪れている。
()
ロームは、回路シミュレーター「LTspice」向けSPICEモデルを拡充した。SiCパワーデバイスやIGBTなどを追加したことで、提供するLTspiceモデルは3500種を超える。
()
SiCパワーデバイスの市場はある程度成長しているものの、一部の自動車メーカーでは、SiCパワーデバイスの採用をためらう傾向もまだみられる。本稿では、電気自動車（EV）のトラクションインバーターにSiCパワーデバイスを採用した際の利点を解説する。
()
サンケン電気は、白物家電向け高圧3相モータードライバー「SIM6895M」の量産を開始した。同社従来品「SIM6892M」のスイッチング特性を調整し、低ノイズ化したものとなる。
()
STマイクロエレクトロニクスは、IH調理器向けIGBT「STPOWER IH2」シリーズを発表した。飽和電圧が1.7Vと低く、ターンオン時の損失を抑制する。1350V耐圧で175℃の最大動作温度を備える。
()
インフィニオン テクノロジーズは、同社の第7世代IGBT「TRENCHSTOP IGBT7」を発表した。定格電圧は650Vで、定格電流は40〜150Aを用意する。ストリングインバーターやEV用充電システム、蓄電システムなどに適する。
()
今回は7.5kW出力インバーターの修理の続きだ。このインバーターはIGBTパワーモジュールが過熱破損し、整流電源の＋端子とモーター駆動のU端子が短絡していた。不具合を確認するため取り出したIGBTモジュールのカバーを開けた。
()
富士電機は、汎用インバーターの主力機種「FRENIC-Ace」シリーズを刷新した。生産現場のDX推進支援に向け、イーサネット対応機種やフィンレスタイプなどの機種をラインアップしている。
()
東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。
()
東芝デバイス＆ストレージは、太陽光発電向けに2200V SiC-MOSFETを開発した。同デバイスの2レベルSiCインバーターは、3レベルSiインバーターより低損失で、2倍のスイッチング周波数駆動時でも消費電力が38％低い。
()
サンケン電気は自動車、産業機器／民生機器、白物家電用のパワーモジュール事業の強化を継続する。需要拡大に備えて効率的な増産投資を実施すると同時に開発スピードを加速させ、付加価値の高い新製品の売上比率を引き上げることで事業拡大を狙う。同社技術開発本部でパワーモジュール開発統括部長を務める舩倉清一氏に、製品／技術開発戦略について聞いた。
()
インフィニオン テクノロジーズは2023年6月、車載向けSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの新世代製品「1200V CoolSiC MOSFET」を発売した。オンボードチャージャーやDC-DCコンバーター、インバーターなど各種車載電力変換システムの最新ニーズに応える次世代型のSiC-MOSFETとして開発された1200V CoolSiC MOSFETの特徴を詳しく紹介する。
()
トレックス・セミコンダクターは、脱炭素社会／グリーントランスフォーメーション（GX）を実現するため、得意とする小型／低消費電力の電源ICに加えてSiCなど次世代品を含むパワー半導体製品の展開を本格化させる。子会社で半導体受託製造事業を手掛けるフェニテックセミコンダクターのパワー半導体製造ノウハウとトレックスの開発／販売力を組み合わせ、電源IC同様に特徴あるパワー半導体製品を提供する方針だ。トレックス・セミコンダクター執行役員で製品企画・海外統括本部長の山本智晴氏と同じく執行役員で開発本部副本部長の清水映氏にインタビューした。
()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、耐圧2200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETを開発した。太陽光発電（PV）用インバーターシステムの小型軽量化が可能になる。【訂正あり】
()
半導体不足の問題は、2023年前半には解消傾向にある。しかし、自動車業界では「半導体不足は解消した」と実感している方はまだ少数派のようだ。現状として何が起こっているのか、改めて整理しておきたいと思う。
()
知人から7.5kWのインバーターの修理依頼があった。不具合の詳細は不明だったが、内部にエラー履歴も残っているだろうし、現場の情報が入りやすい依頼者なので引き受けることにした。
()
デンソーは2024年3月期第1四半期の決算を発表した。
()
ルネサス エレクトロニクスは2023年7月27日、2023年12月期（2023年度）第2四半期（4〜6月）業績（Non GAAPベース）を発表した。売上高は3687億円（前年同期比2.2％減）、営業利益は1291億円（同163億円減）、営業利益率は35.0％（同3.5ポイント減）、当期純利益は1190億円（同376億円増）となった。
()
富士電機は、搭載機器の消費電力量を削減する第3世代小容量IPM「P633C」シリーズを発売した。電力損失と電磁ノイズのトレードオフ特性を改善している。
()
コアスタッフは2023年7月5日、コロナ禍以後の半導体／電子部品業界の見通しと課題、同社の今後の事業戦略についての説明会を開催。社長の戸澤正紀氏が登壇し、オンラインでの販売と対面での営業をハイブリッドで行う半導体専門商社という視点から半導体／電子部品業界の現状を分析した。
()
ネクスペリアは、600V30AのディスクリートIGBT「NGW30T60M3DF」を発表した。ソフトかつ高速に逆回復する完全定格のダイオードを備えていて、整流器や双方向回路での用途や過電流状態からの保護に適している。
()
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、東京都内で開催したセミナーイベント「Infineon MCU Partner & Solution Day 2023」において、同社の産業／民生向けマイコンの事業戦略について説明した。
()