最新記事一覧
電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。
()
NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。
()
パワーデバイスの開発現場における特性評価では、評価用基板への実装や自作治具が多く用いられていて、コストや手間、測定の安定性、安全性などが課題となっている。SDKは、AC 4kV／DC 5.5kV、−20〜＋200℃に対応する開発現場専用のテストソケット「パワーデバイス用高電圧ソケット」を開発した。過酷な条件下でも安定した評価を可能にし、デバイス本来の性能を正確に把握するための新たな選択肢を提案する。
()
STマイクロエレクトロニクスは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。すでに量産を開始している。
()
マルツエレックは、半導体／電子部品のECサイト「マルツオンライン」や実店舗を通じて、販売・調達サービスと設計開発・試作・少量量産を一気通貫で支援するサービスを提供している。2026年8月には、パワーデバイスやバッテリーのSPICEモデルをサブスクリプションで提供するサービスを開始した。顧客の回路設計、さらには試作の高速化に貢献する。
()
熱波に襲われた欧州。エアコン需要が急速に高まる中、存在感を示しているのが中国メーカーです。
()
今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。
()
修理を指導している友人から、技術支援の依頼があった。聞けば、筆者が30年ほど前、半導体製造装置の業務に従事していた時に関わった温調器に関する問題だったため、少し踏み込んで調べてみることにした。
()
onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。
()
ミネベアパワーデバイスは、定格電圧3.3kVの低インダクタンスIGBTモジュール「LV-nHPD2」シリーズに、600A定格の「MBM600FS33G2」、800A定格の「MBM800GS33G2」を追加した。独自の次世代チップ「サイドゲート構造IGBT（G2版）」を搭載する。
()
フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
()
ロームは、車載向け電動コンプレッサーやHVヒーター、産業機器向けインバーターなどに適した、650V耐圧の第4世代IGBTを開発した。導通損失を1.55Vに抑えている。
()
ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
()
三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
()
Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
()
EVで使用するモーターの小型／高効率化が求められている。こうした中、三菱ケミカルは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」で、「押出成形」によってマグネットワイヤに絶縁材を薄膜でコーティングできる新素材を紹介した。
()
三菱電機は、パワー半導体モジュールの新製品「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」10機種のサンプル提供を開始する。第8世代IGBTを採用し、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に寄与する。
()
WSTSは2026年の半導体市場成長率予測を前年比89.9％増へ大幅に上方修正した。市場拡大をけん引するのはAI需要を背景に急成長するメモリ市場だが、その伸びの多くは価格高騰によるものでもある。本稿ではWSTSの春季予測を基に、各市場の動向を整理しながら、2027年のメモリ市場に潜む下振れリスクを考察する。
()
2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
()
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
()
Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
()
低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
()
三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
()
ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。
()
ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。
()
マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。
()
2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。
()
SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
()
ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
()
ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
()
Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
()
今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
()
STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
()
Diodesは超低VCE(sat)を実現する車載対応バイポーラトランジスタを発表した。導通損失を従来比で最大50％削減し、高温環境でも高い信頼性を確保する。
()
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
()
MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
()
富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
()
三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
()
サンケン電気は、白物家電向け高圧3相モーター用ドライバー「SIM1-10F1M」の量産を開始した。同社従来品のパッケージサイズを維持しつつ、保護機能を強化している。
()
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
()
BYD Auto JapanがPHEVタイプのSUV「BYD SEALION 6」を発表。消費税込みで398万2000円からという価格設定もさることながら、世界で初めてPHEVを量産化したとする同社のプラグインハイブリッドシステムにも注目が集まっている。
()
三菱電機は、大型産業機器向けに、パワー半導体「HVIGBTモジュールXB」シリーズの耐電圧4.5kVタイプを発売した。絶縁耐電圧6.0kVrmsの標準絶縁品と同10.2kVrmsの高絶縁品の2種を提供する。
()
自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
()
サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
()
中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
()
サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM2シリーズ」として、車載用途に向けた最大定格650V／50Aの「SAM265M50AS3」の量産を始めた。スイッチング速度を高めることで、同等の他社製品に比べスイッチング損失を20％以上も低減したという。
()
オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
()
三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
()
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
()
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
()