最新記事一覧
自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM2シリーズ」として、車載用途に向けた最大定格650V／50Aの「SAM265M50AS3」の量産を始めた。スイッチング速度を高めることで、同等の他社製品に比べスイッチング損失を20％以上も低減したという。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。
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さまざまな電子機器の制御や保護に使われる電流センサー。古くから使われているデバイスだが、近年、需要が高まっているのが電流センサーICだ。簡単に電流を測定でき、絶縁性も確保されている電流センサーICは、小型で使いやすいという大きなメリットがある。MPS（Monolithic Power Systems）は、コアレス電流センサーICのラインアップ拡充を強化し、市場投入を本格化させている。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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現代社会では、家電製品から産業用機械まで、あらゆるところでモーターが使われています。世界のエネルギー消費の大半をモーターが占めている事を考えると、モーター制御を最適化して効率を高めることは非常に重要です。本稿では、モーターの構造、VFD(可変周波数ドライブ)の活用、ハードウェアサポートや高度なアルゴリズムを含むモーター制御アプリケーションのソリューションについて詳しく解説します。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。
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STマイクロエレクトロニクスは、高い熱効率を備えた定格電圧1600V、定格電流30AのIGBT「STGWA30IH160DF2」を発表した。BOMコストの削減や低消費電力が求められるIH加熱器／調理器、電子レンジ、炊飯器といった生活家電製品に向ける。
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ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。
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Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。
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発明協会は、令和7年度（2025年度）全国発明表彰の受賞者を発表した。最も優れた発明に贈られる「恩賜発明賞」には、旭化成の船川明恭氏および蜂谷敏徳氏による「ニッケルを用いた電極長寿命化技術」が選ばれた。
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STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。
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三菱電機は、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIP」シリーズでは初のSiC製品となる、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」とハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」を発表した。
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ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。
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三菱電機は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として耐電圧3.3kV、定格電流1500Aタイプを発売する。
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オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。
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東京大学は2023年に、パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップを開発した。今回、同技術を4端子パッケージと3端子パッケージの両方に適用できるようにした。これにより、対応する品種の数は2390品種から1万種以上に、大幅に増加した。
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車載用半導体にどのように取り組むのか。東芝デバイス＆ストレージが説明会を開き、戦略を紹介した。
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大河内記念会は、「生産のための科学技術の振興」を目的として生産工学、生産技術などに関する研究開発において卓越した業績を挙げた研究者や企業を表彰する「大河内賞」の贈賞式を行った。
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オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。
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東京大学 生産技術研究所は、同研究所 教授の高宮真氏らの研究グループが開発したパワー半導体のスイッチング損失を自動で低減する技術の適用範囲を大幅に拡大することに成功したと発表した。
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ミネベアミツミがアナログ半導体事業を強化している。独自性の強い技術を磨き上げ、さらにそれらを掛け合わせた相乗効果によって付加価値を高めた製品で、ニッチ領域を狙う。同社で常務執行役員 半導体部門長を務める矢野功次氏は「大海原ではなく“湖”でトップを目指す」と強調する。矢野氏に同社半導体事業の強みと戦略を聞いた。
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三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。
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三菱電機は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向け産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール「CM1800DW-24ME」のサンプル提供を開始すると発表した。
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今回は、シーケンサやモータードライバー用の電源など、2次電源を生成する多種の機器に多用されている新電元工業の電源IC「MAシリーズ」を使った機器の修理の経験を報告する。
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サンケン電気は、小型高圧3相モーター用ドライバー「SIM2-151」を発売する。15A品の「SIM2-151A」「SIM2-151AB」に比べ熱抵抗を小さくし、損失を低減した。
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トレックス・セミコンダクターは、小型／低消費電力を強みにする電源ICを中高耐圧領域へと拡大させる。技術営業を強化しながら、36V耐圧のコイル一体型電源ICを投入し、産業機器、車載機器市場での売り上げ拡大を目指す。同社の2025年事業戦略について2024年4月に代表取締役社長執行役員に就任した木村岳史氏に聞いた。
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三菱電機は、大型産業機器向けに耐圧1.7kVのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を発売した。RRSOA耐量や絶縁耐圧が向上し、電力損失や熱抵抗が低減している。
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ルネサス エレクトロニクスは欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」に出展し、8つの機能を1個のマイコンで制御する電気自動車（EV）向けE-AxleのPoC（proof of concept）機を展示。実際の動作デモを行った。PoCはニデックと共同で開発したものだ。
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単相や三相の系統電力またはエネルギー貯蔵システム（ESS）を電源とする、DCバス電圧が400V以上の電気システムは、ソリッドステート回路保護によって、信頼性と回復力を向上できる。本記事では、Microchip TechnologyのSiC事業部 シニア テクニカルスタッフ アプリケーションエンジニアを務めるEhab Tarmoom氏が、高電圧、大電流のバッテリーディスコネクトスイッチにおけるSiC技術導入やパッケージング技術のもたらす利点および、システムの寄生インダクタンスと過電流保護限界の特性評価の重要性などについて考察する。
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インフィニオン テクノロジーズは、SiとSiCを組み合わせた、電気自動車向けパワーモジュール「HybridPACK Drive G2 Fusion」を発表した。SiCとSiを統合したことで、フルSiCソリューションよりもコストパフォーマンスに優れる。
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ロームは、車載向けの1200V 第4世代IGBTを開発した。外周を含めたデバイス構造を改善し、25℃での短絡耐量が10マイクロ秒となったほか、スイッチング損失や導通損失が低減している。
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ルネサス エレクトロニクスは、駆動モーターやギヤ（減速機）、インバーターなどを統合したEV（電気自動車）向けユニット「E-Axle（イーアクスル）」として、マイコン1個で8機能を制御できる「8-in-1」のPoC（概念実証）を、ニデックと共同で開発した。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。
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サステナビリティ戦略は半導体メーカーにとっても重要になっている。onsemiでシニアバイスプレジデント兼CMO（Chief Marketing Officer）を務めるFelicity Carson氏は、「顧客は半導体サプライヤーのサステナビリティ戦略を強く意識している。プロダクトカーボンフットプリントなどの情報提供を求める声も強くなっている」と語る。
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オンセミは、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム向けに、SiおよびSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズを発表した。占有面積当たりの電力密度が向上し、ソーラーインバーターのシステム合計電力が最大350kWとなった。
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三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。
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サンケン電気は、20A出力対応高圧3相モータードライバー「SIM2-202B」の量産開始を発表した。コンパクトながら放熱性能に優れ、高精度のサーマルシャットダウン機能や温度モニター機能などを備える。
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ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
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