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「インバータ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧(Vth)が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」(同社)であることを実証したという。

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Astemoと日立製作所は、自動運転車両に搭載されるAIである「運転支援AI」の学習/検証/展開のプロセスを革新する新たなAI開発基盤を構築する。日立のフィジカルAIをテーマとするイベント「Hitachi Physical AI Day」内の講演で、Astemoと日立の担当者が同基盤を構築する狙いについて説明した。

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ホンダが電動化戦略の見直しを具体化した「2026 ビジネスアップデート」について説明。2040年度に四輪車販売比率をEVとFCVで100%にするという目標を撤回し、2030年度まではHEVを中核に四輪事業を再構築する方針である。中国をはじめとする新興メーカーの開発スピードに対抗するための「トリプルハーフ」の実現などモノづくりも強化する。

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ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「(これまでの『膿み』は)今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。

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AIデータセンターや電動車(xEV)の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。

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ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。

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東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28%の損失低減と58%のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84%の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。

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STマイクロエレクトロニクス(以下、ST)は、車載用マイコンの新製品「Stellar P3E」を発表した。ST独自のNPUを搭載したもので、異常検知や仮想センサーなどの常時オンかつ低消費電力のAI機能を利用できる。機能の統合(X-in-1化)が進むECUにおいて、機能統合に伴って生じる可視化や診断の課題に対応する。

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本連載「冴えない機械の救いかた」では、メカ設計の失敗事例を題材に、CAE解析や計測技術を用いて、不具合の発生メカニズムとその対策を解説していく。第1回は、同じ図面で製作した複数台の直動パーツフィーダーにおいて、ボルトが1週間で折れたり折れなかったりするという、再現性のない厄介な事例を紹介する。

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