最新記事一覧
日産自動車（日産）は、新型「エルグランド」を発表した。第3世代e-POWERや進化したe-4ORCEを採用し、快適性や静粛性、先進運転支援機能が向上。同車両をベースにしたカスタムカー「AUTECH」は2026年8月上旬に展開予定だ。
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ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。
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インフィニオン テクノロジーズは、磁気センサー製品群「XENSIV」にTMR技術を採用した製品を追加した。同社発表によると、高感度や優れたS/N比が特徴だという。
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IBMは、0.7nmノードにおけるトランジスタアーキテクチャを特徴とする、世界初のサブ1nm半導体チップ技術を発表した。独自の3次元ナノスタックアーキテクチャなどを採用し、半導体の微細化を原子スケールへと進める。
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ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。
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うわさのあのメーカーの話です。
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ロームは、車載向け電動コンプレッサーやHVヒーター、産業機器向けインバーターなどに適した、650V耐圧の第4世代IGBTを開発した。導通損失を1.55Vに抑えている。
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日置電機は、高周波かつ大電流領域の電流波形観測に対応した電流プローブ「CT6704」「CT6705」を発売した。SiC／GaNインバーターやDC-DCコンバーターなどの電流波形観測に使用できる。
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EPCは、小型BLDCモーター向け窒化ガリウム（GaN）ベース三相インバーター評価ボード「EPC91132」を発表した。ドローンやロボット関節向けに小型、高効率のモーター駆動を実現する。
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長い期間、互いの“言葉”が通じず、すれ違いに悩んだ日立インダストリアルプロダクツとGlobalLogic。製造現場とデジタル、正反対の文化を持つ両社が壁を乗り越え、真の協創へと至る背景には経営陣と現場の強い「覚悟」があった。
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日立グループ創業の地として110年の歴史を誇る日立事業所。巨大ダンプトラック用モータの製造現場が、データで価値を生む「コト売り」への転換に挑んでいる。重厚長大な現場が直面した課題と、変革の幕開けに迫る。
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三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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東芝デバイス＆ストレージは、最大動作温度125℃に対応した、産業用機器向け4チャンネルスタンダードデジタルアイソレーター「DCL54xx01A」シリーズ10製品を発表した。すでに量産出荷を開始している。
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日産自動車は、新型「キックス」を2026年6月18日に販売開始すると発表した。同車両は大幅に燃費を向上させた第3世代「e-POWER」や、電動駆動四輪制御技術「e-4ORCE」を搭載し、日常からレジャーまで幅広いシーンで活躍する。価格（税込み）は299万9700円からだ。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。
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Infineon Technologiesは、最大205℃までの連続動作に対応するEV用インバーター向けの1300V耐電圧SiCパワーモジュールを発売した。既存のプラットフォームへのシームレスな組み込みが可能で、システムの高出力化や低コスト化に貢献する。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。
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ポンプは工場やデータセンターなどを支える不可欠なインフラである一方、そのエネルギー消費や運用の最適化が十分に議論されているとは言えない。脱炭素や省エネルギーが求められる現在、ポンプは単なる設備から、社会課題を解決する重要な要素へと位置付けが変わりつつある。デンマークに本社を置くポンプメーカー、グルンドフォスの日本法人であるグルンドフォスポンプは、スマートポンプをはじめとするソリューションを通じて、設備全体のエネルギー効率と安定運用を最適化する中核として捉え、システム全体の課題解決を支援している。新たな共創空間「i-Solutionsラボ」開設の狙いとともに、同社が目指す姿や日本市場での今後の展開を聞いた。
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三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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三菱電機は、パワー半導体モジュールの新製品「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」10機種のサンプル提供を開始する。第8世代IGBTを採用し、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に寄与する。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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JFEテクノリサーチは、絶縁材料、部品の絶縁耐久性を評価する「矩形波印加による寿命評価」の受託サービスを開始した。高性能インバーターのスイッチング動作を模したパルス波電圧を用いて、幅広い環境条件下での試験に対応する。
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堀場製作所は、車両熱マネジメントシステム評価設備のビジネス展開を本格化する。フロントローディングで開発期間短縮や試作車数減少などコスト低減に寄与する。
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ホンダは「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」で、欧州で販売を予定している同社初の電動ネイキッドバイク「Honda WN7」を披露した。
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2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
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デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
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Astemoと日立製作所は、自動運転車両に搭載されるAIである「運転支援AI」の学習／検証／展開のプロセスを革新する新たなAI開発基盤を構築する。日立のフィジカルAIをテーマとするイベント「Hitachi Physical AI Day」内の講演で、Astemoと日立の担当者が同基盤を構築する狙いについて説明した。
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西武鉄道の武蔵丘車両基地で22日、同社が導入を進める省エネ性能の高い「サステナ車両」の第二弾となる7000系が報道陣に向けて公開された。
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三崎未来電子は、新聞配達やデリバリー業務に向けた法人用電動バイク「L-noa」を発表した。ホンダなど大手4社が占める二輪市場に対し、耐久性が求められる法人市場で実績を構築し、将来の一般市場展開へつなげる方針だ。
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ビックカメラは、PB「ビックアイデア」から、工事不要で使える冷房機器として「スポットエアコン」と「ポータブルルームエアコン」を5月中旬に発売する。
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三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
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アクティオは大本組と共同で、建造物の基礎や地下構造物の設置に用いるニューマチックケーソン工法で、掘削した土の排出を自動化するシステムを開発した。手動操作と比較して、サイクルタイムが約11％短縮するという。
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ホンダが電動化戦略の見直しを具体化した「2026 ビジネスアップデート」について説明。2040年度に四輪車販売比率をEVとFCVで100％にするという目標を撤回し、2030年度まではHEVを中核に四輪事業を再構築する方針である。中国をはじめとする新興メーカーの開発スピードに対抗するための「トリプルハーフ」の実現などモノづくりも強化する。
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ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。
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Diodesは、5.7kVRMS絶縁性能と100Mbps通信をサポートするデジタルアイソレーターを発表した。産業機器やデータセンター用途に向ける。
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リテルヒューズは、小型表面実装ディップスイッチ「TDB」シリーズを発表した。内部構造を小型化し、フットプリントが1.27mmハーフピッチになっている。高密度実装が求められる基板での用途に適する。
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AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
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Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
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東陽テクニカは、小型から中型のモーターを対象とした力行および回生試験に対応するオールインワン負荷モータートルク試験ベンチ「TSB DRIVE」シリーズを発売した。より実環境に近い条件下での性能評価を可能にする。
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ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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安川電機は、産業用Ethernet通信機能を標準搭載した小型高機能インバーター「GA501」シリーズを発売した。複数のプロトコルを1台でカバーし、ACサーボドライブやロボット機器とのデータ接続性を強化する。
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デンソーは中期経営計画説明会「DENSO DIALOG DAY 2026」で、新たな中期経営計画「CORE 2030」の策定を発表した。3本の柱を成長戦略に、2030年の売上高8兆円以上、営業利益10％以上を目指す。
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STマイクロエレクトロニクスは、第2世代「MasterGaN」ハーフブリッジファミリーのパワーSiP「MasterGaN6」を発表した。オン抵抗140mΩのGaNパワートランジスタを搭載している。
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Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
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キーサイト・テクノロジーは、グリッドタイインバーターに求められるアンチアイランディング試験を大幅に効率化するソリューションを開発。「BATTERY JAPAN 春 第20回」で紹介した。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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前回に続き、歯科技工用ブラシレスモーターのコントローラーの修理だ。モーターの動作確認を行っていたところ、なんと制御基板から煙が噴き出した。その原因を探る。
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Alpha & Omega Semiconductor（AOS）が600V NチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」を発表した。高効率と高電力密度を実現し、サーバーや通信整流器、太陽光インバーターなどの電源用途に適するデバイスである。
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