最新記事一覧
インフィニオン テクノロジーズは、最新のパワー技術「OptiMOS 7」を用いた車載向けMOSFET製品の第1弾として、80V耐圧の「IAUCN08S7N013」を発表、量産を始めた。
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インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5〜20％の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。
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インフィニオン テクノロジーズは、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。同社前世代品と比較してオン抵抗が42％、逆回復電荷量が最大89％低減し、ソフトリカバリー特性が向上している。
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Infineon Technologiesは2024年2月27日（ドイツ時間）、車載および産業向けのSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」（同社）とするRDS（on）× Qfrおよび高いRDS（on） × Qoss性能指数を実現し、システムの効率化やコスト削減に貢献する。
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マイクロチップ・テクノロジーは、同社のDSC（デジタルシグナルコントローラー）「dsPIC」をベースとした、統合型モータードライバーファミリーを発表した。DSCや三相MOSFETゲートドライバーなどを1パッケージに統合していて、PCB（プリント基板）面積の縮小や部品点数の削減が可能となる。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの「NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET」の製品として「SiSD5300DN」を発表した。ソースフリップ技術を用いた3.3×3.3mmサイズのPowerPAK1212-Fパッケージで提供する。
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三菱電機は、携帯型業務用無線機に向け、3.6V駆動で出力電力6.5Wを実現したシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」を開発、サンプル出荷を始めた。無線機の送信距離を伸ばし、消費電力の低減が可能となる。
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新電元工業は、車載向けMOSFET「VX3」シリーズに、900V耐圧1A「P1B90VX3K」、2A「P2B90VX3K」の2機種を追加する。車載用途に必要な高ESD耐量に対応し、車載機器の信頼性向上に寄与する。
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リテルヒューズは、光絶縁型光発電ドライバー「FDA117」を発表した。最大15.3Vの電圧と60μAの電流でフローティング電源を生成し、標準的なMOSFETやIGBTデバイスを直接駆動できる。
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サンケン電気は、スーパージャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）と電流モード型PWM制御ICを1パッケージに集積したPWM型スイッチング電源用パワーIC「STR3W400MXDシリーズ」を開発、その第1弾として「STR3W424MXD」の量産を始めた。
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物質・材料研究機構（NIMS）は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」（NIMS）とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを実現した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能となる。
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三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。
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Power Diamond Systems（PDS）は、pチャネル型のダイヤモンドMOSFETとnチャネル型のSiC-MOSFET／GaN-HEMTを組み合わせた相補型パワーインバーターの開発に着手した。トランジスタの動作周波数を高速化することで構成部品を小型化でき、インバーター自体もさらなる小型化と軽量化が可能となる。
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サンケン電気は、絶縁型PWMスイッチング電源用パワーIC「STR6A124MV」の量産を開始した。SJ-MOSFET搭載でオン抵抗が低減していて、6.5×9.4×3.4mmサイズで出力電力33Wまで対応する。
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リテルヒューズジャパンは、車載向けのPチャンネルパワーMOSFET「IXTY2P50PA」を発売する。最大オン抵抗やゲート電荷を低減し、車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠している。
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リテルヒューズジャパンは、800VのNチャンネルデプレッションモードMOSFET「CPC3981Z」を販売開始した。中間ピンを廃したSOT-223-2Lパッケージを採用していて、ピン間隔が延長した。
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インフィニオン テクノロジーズは、60Vおよび120Vの車載向けMOSFET「OptiMOS 5」シリーズに、高出力パッケージを採用した6製品を追加した。ゲートしきい値電圧を狭小化していて、並列MOSFETを用いた設計が可能だ。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。
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東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、4端子タイプTO-247-4L（X）パッケージを採用したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を開発、出荷を始めた。サーバや通信機器のスイッチング電源、EV充電スタンド、太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。
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東芝デバイス＆ストレージは、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始した。新型パッケージ「S-TOGL」を採用している。
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Nexperiaは、5Vロードスイッチ「NPS4053」を発表した。自己保護MOSFETを搭載していて、負荷への電力の流れを管理できる。プログラム可能な電流制限回路も内蔵している。
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東芝デバイス＆ストレージは、太陽光発電向けに2200V SiC-MOSFETを開発した。同デバイスの2レベルSiCインバーターは、3レベルSiインバーターより低損失で、2倍のスイッチング周波数駆動時でも消費電力が38％低い。
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ロームは、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。
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インフィニオン テクノロジーズは2023年6月、車載向けSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの新世代製品「1200V CoolSiC MOSFET」を発売した。オンボードチャージャーやDC-DCコンバーター、インバーターなど各種車載電力変換システムの最新ニーズに応える次世代型のSiC-MOSFETとして開発された1200V CoolSiC MOSFETの特徴を詳しく紹介する。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、耐圧2200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETを開発した。太陽光発電（PV）用インバーターシステムの小型軽量化が可能になる。【訂正あり】
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インフィニオン テクノロジーズは、高耐圧のスーパージャンクション（SJ）MOSFETファミリーとして、産業機器および車載機器に向けた耐圧600Vの「CoolMOS S7／S7A」を新たに追加した。
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インフィニオン テクノロジーズは、TOLLパッケージを採用したSiC MOSFET「CoolSiC MOSFET 650V」を発表した。スイッチング周波数や熱管理の向上、スイッチング損失の低減、パッケージの自動組み立てなどが可能となる。
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大阪大学の研究グループは、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅に減らす技術を開発した。SiC MOSFETの性能や信頼性のさらなる向上につながる技術とみられている。
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ロームは、GaN（窒化ガリウム）パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できる。
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ロームが、650V耐圧GaN HEMTとゲート駆動用ドライバーを1パッケージ化したパワーステージICを発表した。同社初のGaN SiPで、シリコンMOSFETから置き換えた場合、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できるという。
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日清紡マイクロデバイスは、降圧DC-DCスイッチングレギュレーターモジュール「NC2700MA」「NC2701MA」「NC2702MA」のサンプル受注を開始した。インダクターや2種のMOSFET、制御IC、バイパスコンデンサーを内蔵している。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載向けの太陽光発電MOSFETドライバー「VOMDA1271」を発表した。ターンオフ回路を備えていて、ターンオフ時間が標準0.7ミリ秒、ターンオン時間が0.05ミリ秒となっている。
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電気自動車（EV）において、トラクション・インバータの高効率化はEVの航続距離の延長に直結する重要な要素だ。既存のトラクション・インバータにおいてさらなる高効率化が課題となる中、Texas Instrumentsは新たなゲート・ドライバを開発した。ゲート駆動能力をリアルタイムに切り替えることでSiC-MOSFETのスイッチング損失を抑え、システム効率を最大2％向上させる。これにより、EVの航続距離を年間で最大1600km延長できる。
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メイコーは「JPCA Show 2023」で、パワーMOSFET内蔵基板の製造技術を展示した。実装面積や配線距離を減らすことで、EV（電気自動車）に搭載するインバーターやDC-DCコンバーターの小型化や高効率化に貢献するという。
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三菱電機が大容量のフルSiCパワーモジュールでもSBD内蔵SiC-MOSFETを適用可能とする新たなチップ構造について説明。同技術を適用した大型産業機器向け3.3kVフルSiCパワーモジュールのサンプル出荷も始めている。
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三菱電機は、新たなチップ構造を採用した「SBD内蔵SiC-MOSFET」について、記者説明会を行った。並列接続したSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流耐量をこれまでの5倍以上に高めたことで、Siパワーモジュールとほぼ同等のサージ電流耐量が得られるという。
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東芝デバイス＆ストレージは、リチウムイオン電池のバッテリー保護回路向けコモンドレインMOSFET「SSM14N956L」の出荷を開始した。低電力損失と低待機電力化を両立しており、バッテリーの長時間動作に寄与する。
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日本TIは、EVの走行モーター用インバーターへの搭載が進みつつあるSiC-MOSFETやIGBTを高効率に駆動する絶縁型ゲートドライバIC「UCC5880-Q1」を発表した。
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三菱電機は、SBD内蔵のMOSFETを採用した耐圧3.3kVの「SiC-MOSFETモジュール」を開発、サンプル出荷を始めた。鉄道車両や直流送電に用いられる電力変換機器などの用途に向ける。
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注目デバイスの活用で組み込み開発の幅を広げることが狙いの本連載。第11回は、「破壊実験のロマン」に突き動かされた筆者が、パワーMOSFETを使ってシャー芯に灯をともす。
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東芝デバイス＆ストレージは、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。ドレインソース間のオン抵抗や逆回復電荷量などが低減している。
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ロームは、高い電源効率を実現できる耐圧40〜150VのNチャネルMOSFET「RS6xxxxBx／RH6xxxxBxシリーズ」を発表した。産業機器用電源や各種モーター駆動の用途に向ける。
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ロームは、耐圧600VのSuper Junction MOSFETとして、新たに｢R60xxRNxシリーズ」3製品を発表した。冷蔵庫や換気扇など、ノイズ対策が求められる小型モーターの駆動用途に向ける。
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STマイクロエレクトロニクスは、耐圧100Vのnチャネル型パワーMOSFET「STL120N10F8」を発表した。性能指数（オン抵抗×ゲート電荷）を従来品に比べ40％も向上させた。モーター制御や通信／コンピュータシステム向け電源などの用途に向ける。
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シリコンMOSFETとは大きく異なる特性を持つSiC MOSFET。SiC MOSFETの特性を引き出すためには、最適なゲートドライバーICを選択することが重要になる。
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東芝デバイス＆ストレージは、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。従来品に比べてパッケージ抵抗が約70％減少した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの対称型デュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」を発表した。3.3×3.3mmのパッケージを採用していて、同社従来品と比較して基板面積を63％削減できる。
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STマイクロエレクトロニクスは、SiCパワーモジュール「ACEPACK DRIVE」の新製品5種を発表した。いずれも同社の第3世代「STPOWER」SiCパワーMOSFETを採用している。
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サンケン電気は、3相ブラシレスモーター用ディスクリートモジュール「SMA5145」の量産を開始した。MOSFETをディスクリートで用意する場合と比較して、基板の実装面積を削減できるほか、信頼性の向上が期待できる。
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