最新記事一覧
ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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Diodesは、車載システム向け8×8mmガルウイングリードパッケージを採用した40V〜80V対応MOSFET製品群に100V MOSFETを追加した。48V BLDCモーター駆動用途に適し、高温環境でも安定動作する。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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Alpha and Omega Semiconductorの両面冷却パッケージ採用MOSFETは、高電力密度と優れた熱特性を実現し、AIサーバーやデータセンターの熱課題に対応する。【訂正あり】
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東芝デバイス＆ストレージは、車載機器のSSR向けフォトボルタイック出力フォトカプラ「TLX9920」の出荷を開始した。MOSFETと組み合わせて用いることで、高電圧および大電流のスイッチングに対応する。
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iDEAL Semiconductorは、低オン抵抗を特徴とする200V MOSFETを発表した。高効率と高電流対応によりモータードライブなどに適する製品である。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームは、小型ウェアラブル機器向けのNFC対応ワイヤレス給電ICチップセット「ML7670」「ML7671」の販売を開始した。最大250mWの給電に対応し、スイッチングMOSFETなどを内蔵している。
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Patentixは、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）を用いて作製したデプレッション型（ノーマリオン）MOSFETの動作実証に成功した。この成果を基に今後は、p型r-GeO2の作製技術を確立していくとともに、エンハンスメント型（ノーマリオフ）MOSFETの開発に取り組む計画である。
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Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。
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Power Diamond Systemsは2026年3月、ダイヤモンドMOSFETを用いた非同期整流降圧DC-DCコンバーターを作製し、連続スイッチング動作に対応できることを確認した。実際の電力変換動作を実証したのは「世界で初めて」という。
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Power Diamond Systemsは、耐圧550Vでドレイン電流0.8AのダイヤモンドMOSFETを開発し、初めて200V、1Aのスイッチング動作を実現した。
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Alpha & Omega Semiconductor（AOS）が600V NチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」を発表した。高効率と高電力密度を実現し、サーバーや通信整流器、太陽光インバーターなどの電源用途に適するデバイスである。
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Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。
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SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。
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Infineon Technologiesの炭化ケイ素（SiC） MOSFETがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用された。車載充電器（OBC）およびDC-DCコンバーターに搭載。Infineonは「SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧によって航続距離の延伸と充電時間の短縮の実現に寄与する」としている。
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STマイクロエレクトロニクスは、同期整流コントローラー「SRK1004」を発表した。2×2mmと小型なほか、最大190Vのドレインソース間電圧でMOSFETを制御できる。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。
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リテルヒューズは、X4クラスのウルトラジャンクションMOSFET「MMIX1T500N20X4」を発売した。200V、480Aに対応していて、システム全体の小型化に寄与する。
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三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。
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SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
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Power Diamond Systems（PDS）は「SEMICON Japan 2025」で、ダイヤモンドMOSFETが動作している様子を展示した。2026年以降は、EVや基地局など具体的なアプリケーションを手掛ける企業と連携を進め、2030年代の実用化を目指すとする。
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Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。
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ロームは2025年12月9日、車載用の低耐圧（40V、60V）MOSFETのラインアップに、HPLF5060（4.9×6.0mm）パッケージ品を追加した。一般的なパッケージよりも小型ながら、ガルウィングリード採用によって高い実装信頼性に貢献している。
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オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。
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インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。
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インフィニオン テクノロジーズは、車載用MOSFET「OptiMOS 6」シリーズに、150V定格のTOLL、TOLG、TOLTパッケージ品を追加した。ドレインソース間オン抵抗や熱抵抗を低減している。
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ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
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インフィニオン テクノロジーズは、産業、民生市場向けパワーMOSFET「OptiMOS 7 25V」「OptiMOS 7 40V」を発表した。それぞれスイッチング、モータードライブ用途に特化している。
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東芝デバイス＆ストレージは、新パッケージ「SOP Advance(E)」を採用した産業用機器向けのNチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」（80V耐圧）と「TPM7R10CQ5」（150V耐圧）を発表した。
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ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。
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ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
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東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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STマイクロエレクトロニクスは、民生機器や照明機器向けのオフライン高電圧コンバーター「VIPer11B」を発表した。800Vのアバランシェ耐性を備えたMOSFETなどを内蔵し、回路設計の簡素化やコスト削減に寄与する。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。
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ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを搭載したパワーモジュールが、トヨタ自動車の中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」のトラクションインバーターに採用された。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。
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Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。
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ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。
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Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素（SiC）トレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発した。
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ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。
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東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを搭載した4製品を発表した。小型面実装パッケージのDFN8×8を採用し、従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減。機器の電力密度の向上に貢献する。
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STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。
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ロームは、48V系電源のAIサーバ向けホットスワップ回路やバッテリー保護が必要な産業機器電源などの用途に向けた100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発、販売を始めた。新製品は高いSOA（Safe Operating Area）耐量と低オン抵抗を両立させた。
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