最新記事一覧
Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。
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NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。
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住友ベークライトは、東北大学との共同研究により小型で高出力密度を実現した「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。樹脂絶縁2層構造にしたことで、パワーモジュールのサイズを従来品の約半分に抑えた。しかも、300kVA/Lというインバーター出力密度に対応する。
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住友ベークライトは東北大学と共同で、EV向けパワーユニットの体積を約半分にする「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。この強みは、パワーエレクトロニクス分野における競争優位性を高める重要な要素であり、将来的な成長と収益性の向上に寄与すると確信しているという。
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ロームは、車載安全機能や保護回路向けに、100V耐圧MOSFET「RS4P063BPHZG」を開発した。広い電圧範囲で高いSOA耐量を備えたWide-SOA対応品となっている。
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三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。
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三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。
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ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。
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Alpha & Omega Semiconductorは、積層ダイ構造を採用したハーフブリッジMOSFET「AOPL66801」を発表した。電力密度を高めるとともに、寄生インダクタンスを低減して高効率な電力変換を実現する。
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onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。
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ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。
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東芝デバイス＆ストレージの「TPM1R408RH」は、オン抵抗と性能指数を改善した80V NチャネルMOSFETである。電源の電力損失を低減し、高電力密度化に貢献する。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。
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Diodesは、低オン抵抗MOSFETを内蔵した車載向けスマートロードスイッチ「DML1012ALDSQ」を発表した。高効率な電源シーケンス制御と各種保護機能により、インフォテインメントシステムなどに適する。
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
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三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
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東芝デバイス＆ストレージは、「SmartMCD」シリーズの新製品「TB9M040FTG」のサンプル出荷を開始した。新製品は三相ブラシレスDCモーター駆動用パワーMOSFETを内蔵し、車載小型モーターを直接駆動できる。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
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ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30％低減している。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載グレードのフォトボルタイックMOSFETドライバー「VODA1275」を発表した。小型のSMD-4パッケージで、沿面距離8mmを確保し、CTI（比較トラッキング指数）600のモールド樹脂を採用している。
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STマイクロエレクトロニクスは、電力供給用途向けに低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズを発表した。同社の新技術「Smart STripFET F8」により、オン特性やサイズ効率が向上している。
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Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
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ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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Diodesは、車載システム向け8×8mmガルウイングリードパッケージを採用した40V〜80V対応MOSFET製品群に100V MOSFETを追加した。48V BLDCモーター駆動用途に適し、高温環境でも安定動作する。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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Alpha and Omega Semiconductorの両面冷却パッケージ採用MOSFETは、高電力密度と優れた熱特性を実現し、AIサーバーやデータセンターの熱課題に対応する。【訂正あり】
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東芝デバイス＆ストレージは、車載機器のSSR向けフォトボルタイック出力フォトカプラ「TLX9920」の出荷を開始した。MOSFETと組み合わせて用いることで、高電圧および大電流のスイッチングに対応する。
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iDEAL Semiconductorは、低オン抵抗を特徴とする200V MOSFETを発表した。高効率と高電流対応によりモータードライブなどに適する製品である。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームは、小型ウェアラブル機器向けのNFC対応ワイヤレス給電ICチップセット「ML7670」「ML7671」の販売を開始した。最大250mWの給電に対応し、スイッチングMOSFETなどを内蔵している。
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Patentixは、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）を用いて作製したデプレッション型（ノーマリオン）MOSFETの動作実証に成功した。この成果を基に今後は、p型r-GeO2の作製技術を確立していくとともに、エンハンスメント型（ノーマリオフ）MOSFETの開発に取り組む計画である。
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Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。
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Power Diamond Systemsは2026年3月、ダイヤモンドMOSFETを用いた非同期整流降圧DC-DCコンバーターを作製し、連続スイッチング動作に対応できることを確認した。実際の電力変換動作を実証したのは「世界で初めて」という。
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Power Diamond Systemsは、耐圧550Vでドレイン電流0.8AのダイヤモンドMOSFETを開発し、初めて200V、1Aのスイッチング動作を実現した。
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Alpha & Omega Semiconductor（AOS）が600V NチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」を発表した。高効率と高電力密度を実現し、サーバーや通信整流器、太陽光インバーターなどの電源用途に適するデバイスである。
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Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。
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SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。
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Infineon Technologiesの炭化ケイ素（SiC） MOSFETがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用された。車載充電器（OBC）およびDC-DCコンバーターに搭載。Infineonは「SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧によって航続距離の延伸と充電時間の短縮の実現に寄与する」としている。
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STマイクロエレクトロニクスは、同期整流コントローラー「SRK1004」を発表した。2×2mmと小型なほか、最大190Vのドレインソース間電圧でMOSFETを制御できる。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。
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リテルヒューズは、X4クラスのウルトラジャンクションMOSFET「MMIX1T500N20X4」を発売した。200V、480Aに対応していて、システム全体の小型化に寄与する。
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