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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
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東芝デバイス＆ストレージは、「SmartMCD」シリーズの新製品「TB9M040FTG」のサンプル出荷を開始した。新製品は三相ブラシレスDCモーター駆動用パワーMOSFETを内蔵し、車載小型モーターを直接駆動できる。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
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ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30％低減している。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載グレードのフォトボルタイックMOSFETドライバー「VODA1275」を発表した。小型のSMD-4パッケージで、沿面距離8mmを確保し、CTI（比較トラッキング指数）600のモールド樹脂を採用している。
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STマイクロエレクトロニクスは、電力供給用途向けに低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズを発表した。同社の新技術「Smart STripFET F8」により、オン特性やサイズ効率が向上している。
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Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
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ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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Diodesは、車載システム向け8×8mmガルウイングリードパッケージを採用した40V〜80V対応MOSFET製品群に100V MOSFETを追加した。48V BLDCモーター駆動用途に適し、高温環境でも安定動作する。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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Alpha and Omega Semiconductorの両面冷却パッケージ採用MOSFETは、高電力密度と優れた熱特性を実現し、AIサーバーやデータセンターの熱課題に対応する。【訂正あり】
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東芝デバイス＆ストレージは、車載機器のSSR向けフォトボルタイック出力フォトカプラ「TLX9920」の出荷を開始した。MOSFETと組み合わせて用いることで、高電圧および大電流のスイッチングに対応する。
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iDEAL Semiconductorは、低オン抵抗を特徴とする200V MOSFETを発表した。高効率と高電流対応によりモータードライブなどに適する製品である。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームは、小型ウェアラブル機器向けのNFC対応ワイヤレス給電ICチップセット「ML7670」「ML7671」の販売を開始した。最大250mWの給電に対応し、スイッチングMOSFETなどを内蔵している。
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Patentixは、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）を用いて作製したデプレッション型（ノーマリオン）MOSFETの動作実証に成功した。この成果を基に今後は、p型r-GeO2の作製技術を確立していくとともに、エンハンスメント型（ノーマリオフ）MOSFETの開発に取り組む計画である。
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Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。
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Power Diamond Systemsは2026年3月、ダイヤモンドMOSFETを用いた非同期整流降圧DC-DCコンバーターを作製し、連続スイッチング動作に対応できることを確認した。実際の電力変換動作を実証したのは「世界で初めて」という。
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Power Diamond Systemsは、耐圧550Vでドレイン電流0.8AのダイヤモンドMOSFETを開発し、初めて200V、1Aのスイッチング動作を実現した。
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Alpha & Omega Semiconductor（AOS）が600V NチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」を発表した。高効率と高電力密度を実現し、サーバーや通信整流器、太陽光インバーターなどの電源用途に適するデバイスである。
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Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。
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SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。
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Infineon Technologiesの炭化ケイ素（SiC） MOSFETがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用された。車載充電器（OBC）およびDC-DCコンバーターに搭載。Infineonは「SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧によって航続距離の延伸と充電時間の短縮の実現に寄与する」としている。
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STマイクロエレクトロニクスは、同期整流コントローラー「SRK1004」を発表した。2×2mmと小型なほか、最大190Vのドレインソース間電圧でMOSFETを制御できる。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。
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リテルヒューズは、X4クラスのウルトラジャンクションMOSFET「MMIX1T500N20X4」を発売した。200V、480Aに対応していて、システム全体の小型化に寄与する。
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三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。
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SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
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Power Diamond Systems（PDS）は「SEMICON Japan 2025」で、ダイヤモンドMOSFETが動作している様子を展示した。2026年以降は、EVや基地局など具体的なアプリケーションを手掛ける企業と連携を進め、2030年代の実用化を目指すとする。
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Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。
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ロームは2025年12月9日、車載用の低耐圧（40V、60V）MOSFETのラインアップに、HPLF5060（4.9×6.0mm）パッケージ品を追加した。一般的なパッケージよりも小型ながら、ガルウィングリード採用によって高い実装信頼性に貢献している。
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オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。
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インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。
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インフィニオン テクノロジーズは、車載用MOSFET「OptiMOS 6」シリーズに、150V定格のTOLL、TOLG、TOLTパッケージ品を追加した。ドレインソース間オン抵抗や熱抵抗を低減している。
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ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
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インフィニオン テクノロジーズは、産業、民生市場向けパワーMOSFET「OptiMOS 7 25V」「OptiMOS 7 40V」を発表した。それぞれスイッチング、モータードライブ用途に特化している。
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東芝デバイス＆ストレージは、新パッケージ「SOP Advance(E)」を採用した産業用機器向けのNチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」（80V耐圧）と「TPM7R10CQ5」（150V耐圧）を発表した。
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ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。
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ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
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東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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STマイクロエレクトロニクスは、民生機器や照明機器向けのオフライン高電圧コンバーター「VIPer11B」を発表した。800Vのアバランシェ耐性を備えたMOSFETなどを内蔵し、回路設計の簡素化やコスト削減に寄与する。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。
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