最新記事一覧
インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。
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インフィニオン テクノロジーズは、車載用MOSFET「OptiMOS 6」シリーズに、150V定格のTOLL、TOLG、TOLTパッケージ品を追加した。ドレインソース間オン抵抗や熱抵抗を低減している。
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ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
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インフィニオン テクノロジーズは、産業、民生市場向けパワーMOSFET「OptiMOS 7 25V」「OptiMOS 7 40V」を発表した。それぞれスイッチング、モータードライブ用途に特化している。
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東芝デバイス＆ストレージは、新パッケージ「SOP Advance(E)」を採用した産業用機器向けのNチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」（80V耐圧）と「TPM7R10CQ5」（150V耐圧）を発表した。
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ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。
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ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
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東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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STマイクロエレクトロニクスは、民生機器や照明機器向けのオフライン高電圧コンバーター「VIPer11B」を発表した。800Vのアバランシェ耐性を備えたMOSFETなどを内蔵し、回路設計の簡素化やコスト削減に寄与する。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。
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ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを搭載したパワーモジュールが、トヨタ自動車の中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」のトラクションインバーターに採用された。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。
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Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。
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ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。
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Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素（SiC）トレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発した。
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ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。
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東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを搭載した4製品を発表した。小型面実装パッケージのDFN8×8を採用し、従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減。機器の電力密度の向上に貢献する。
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STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。
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ロームは、48V系電源のAIサーバ向けホットスワップ回路やバッテリー保護が必要な産業機器電源などの用途に向けた100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発、販売を始めた。新製品は高いSOA（Safe Operating Area）耐量と低オン抵抗を両立させた。
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豊田合成は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、GaNウエハーとGaN-MOSFETに関する研究開発成果を披露した。
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新電元工業は、車載および産業機器向けのモーター駆動インバーター回路用パワーモジュール「MG031AD」「MG031MF」「MG031AF」「MG031MH」を発表した。定格電流が従来品比1.35倍に向上し、大電流が必要な機器に対応する。
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ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。
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ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。
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ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。
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ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ（代表値）のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。スマートフォンの急速充電回路などに提案していく。
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オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。
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Nexperiaは、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ「X.PAK」を採用した、産業向け1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システムなどでの用途に適する。
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産業技術総合研究所（産総研）は、本田技術研究所との共同研究において、p型ダイヤモンドMOSFETを試作し、アンペア級の高速スイッチング動作を初めて実証した。今後は次世代モビリティのパワーユニットに搭載し、社会実装に向けた動作検証などを行っていく。
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東芝デバイス＆ストレージは、600V耐圧スーパージャンクション構造のNチャンネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」を製品化した。ドレインソース間のオン抵抗を最大0.024Ωに抑えている。
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オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。
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ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。
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インフィニオン テクノロジーズは、「CoolSiC MOSFET 650V」のディスクリート製品に、Q-DPAKとTOLLパッケージの製品ファミリーを追加した。Q-DPAKパッケージではオン抵抗7mΩ／10mΩ／15mΩ／20mΩ製品、TOLLパッケージでは同10〜60mΩ製品の提供を開始した。
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新電元工業は、車載機器向けのハイサイドNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC「MF2008SW」を発売した。NチャンネルMOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードや半導体リレーとして使用できる。
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リテルヒューズは、車載用炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに、非対称の過渡電圧サプレッサーダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズを発表した。高性能な過電圧保護が必要なSiC MOSFETゲートドライバーに対し、優れた保護機能を提供する。
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金沢大学の研究グループは産業技術総合研究所などと共同で、完全に平たんなダイヤモンド表面をMOS界面に用いた「反転層チャネル型ダイヤモンドMOSFET」の作製に成功した。動作時の低抵抗化を実現したことで、ダイヤモンドMOSFETの性能を高めることが可能となる。
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新電元工業は、車載機器向け第5世代パワーMOSFET「TOLLパッケージ」シリーズを発売した。新パッケージによって実装面積を従来品に比べて約25％削減。定格電流232Aの大電流を達成した。
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三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。
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環境構築不要かつ少ない設計ノウハウでさまざまなトポロジーの電源回路を本格的に検証できるオンラインシミュレーターが登場した。MOSFET選定の効率化が期待できるこのシミュレーターを詳しく紹介する。
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トレックス・セミコンダクターは、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」を発表した。低オン抵抗が特徴で、エネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に寄与する。
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ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」および、TOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売する。
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STマイクロエレクトロニクスは、40VパワーMOSFET「STL300N4F8」「STL305N4F8AG」を発表した。強化したトレンチゲート技術を用いた「STripFET F8テクノロジー」を採用している。
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ネクスペリアは、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。CCPAK1212は、銅板2枚でシリコンダイを挟んだ構造となっている。
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リテルヒューズは、ウルトラジャンクションX4クラス200VパワーMOSFET「IXTN400N20X4」「IXTN500N20X4」を発売した。現行品と比較して、最大2倍の電流定格と最大63％低いオン抵抗値を達成している。【訂正あり】
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東芝デバイス＆ストレージは、車載トラクションインバーター用1200V耐圧SiC MOSFETのベアダイ製品「X5M007E120」を発表した。ショットキーバリアダイオードの配置を市松模様に変更したことで、バイポーラー通電を効果的に抑える。
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三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。
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STマイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第4世代SiC-MOSFETを発表。2025年第1四半期以降に提供を開始する予定で、その後2027年に向けてプレーナー構造をベースにした第5世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。
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