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「受動部品」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

日清紡マイクロデバイスは新しい3次元実装技術「シリコンマザーボード(Si-MB)」を開発した。小型のシリコン基板の両面にICと外部部品を実装し、1パッケージに収めることで、実装面積を大幅に削減できる。機器やシステムの劇的な小型化に貢献する技術だ。

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日清紡マイクロデバイスは、シリコン基板の両面に回路を形成し、ICと受動部品を集積できる3次元実装技術「シリコンマザーボード(Si-MB)」を確立した。この技術を用いて試作した回路ブロックは、ディスクリートで構成した場合に比べ、実装面積を約80%削減できたという。

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マルツエレックは、半導体/電子部品のECサイト「マルツオンライン」や実店舗を通じて、販売・調達サービスと設計開発・試作・少量量産を一気通貫で支援するサービスを提供している。2026年8月には、パワーデバイスやバッテリーのSPICEモデルをサブスクリプションで提供するサービスを開始した。顧客の回路設計、さらには試作の高速化に貢献する。

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半導体/電子部品の専門商社であるコアスタッフは、電子部品の過剰在庫が減少し、受注が回復局面に入ったとの見方を示した。独自の景気指数「CEDI」も2025年11月を転換点として上昇している。MLCCを中心とする受動部品の需要増や、安定調達を支える同社の取り組みを紹介する。

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村田製作所は、Synopsysが提供するシミュレーションツールを介したシミュレーションモデルの提供を開始した。3D電磁界解析ツール「Ansys HFSS」と熱解析ツール「Ansys Icepak」を対象とする。ユーザーはシミュレーションツールから村田製作所のWebサイトにアクセスし、対応モデルをダウンロードできる。

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MPS(Monolithic Power Systems)はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力/24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。

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車載電源システムにおいて12Vから48Vへの移行が加速している。そうした中、電源設計では48Vシステムに特有の課題も浮上してきた。日清紡マイクロデバイスは、12Vシステム向けで培ったノウハウをベースに、48Vシステム向け電源の課題解決に貢献するソリューションの展開を強化している。電源IC単体の提供にとどまらず、受託設計や幅広いサポートを含め、トータルで48Vシステムへの移行を支える。

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onsemiが縦型窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車(EV)など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。

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グローバルサプライチェーンは現在、コミュニケーション上の課題や在庫レベルの変化、関税、新技術の登場などによって複雑な状況にあり、グローバルな製造戦略や在庫、貿易関係などを根本的に再検討する必要に迫られている。各種調査でこのような動きがフォーカスされ、さまざまな分野の企業にとっての潜在的な逆風やチャンスが明らかにされている。

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Avnet(アヴネット)がルネサス エレクトロニクス製品の取り扱いを日本で開始した。M&Aを経て製品群が大幅に増加したルネサスは、ラインカードが多く物流ネットワークにも強いAvnetに大きな期待を寄せる。AvnetのAsia Pacific and Japanでプレジデントを務めるPrince Yun氏と、ルネサス グローバル・リージョナル&日本アジアパシフィック統括でバイスプレジデントを務める長谷川夕也氏が、ルネサスとしてAvnetを選択した背景やルネサスとAvnetのパートナーシップがエンジニアにもたらす価値について語った。

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AI(人工知能)やEV(電気自動車)などの普及で電力消費量が増加し、電源供給システムはより省スペースでより大電力を供給する電力密度の向上が求められている。Texas Instruments(TI)が発表したパワーモジュールは、磁気部品と電源チップをワンパッケージに集積する新しい技術「MagPack」を用いることで電力密度を2倍に高めた。

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米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。

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太陽光発電システムやデータセンター、EV(電気自動車)など、さまざまなアプリケーションの電源ユニットにおいてより高い電力密度の要求が高まっている。Texas Instruments(TI)が発表した100V GaN統合型パワーステージとトランス内蔵の1.5W絶縁型DC/DCモジュールは、このニーズに応える製品だ。100V GaN統合型パワーステージはシリコンを採用する場合に対してボードサイズを40%削減できる。トランス内蔵の1.5W絶縁型DC/DCモジュールでは外付けの大型トランスが不要なのでソリューションサイズを最大で約80%削減可能だ。

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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、同社製のGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを採用したオムロン ソーシアルソリューションズのマルチV2X(Vehicle to X)充電システムや、GaN/SiCパワーデバイスを搭載したOBC(オンボードチャージャー)などの幅広い製品群を展示した。

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