最新記事一覧
onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。
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Texas Instruments（以下、TI）の日本法人である日本テキサス・インスツルメンツ（以下、日本TI）は2026年6月24日、電気化学インピーダンス分光法（EIS）エンジンを統合したバッテリーモニターIC「BQ79826Z-Q1」を発表した。EIS技術の採用により、EVやAIデータセンターなどの厳しいバッテリー監視への要求に応える。
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サンケン電気は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、独自のPSJ（Polarization Super Junction：分極超接合）GaN技術を採用したダウンコンバーターIC（試作品）のデモを公開した。注力領域として積極投資を進めるGaN事業において、独自技術を生かした製品開発が着実に進んでいることを示した。
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
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ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。
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onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。
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TSMCの撤退を受け、8インチでのGaNパワー半導体自社製造に舵を切ったローム。「あと1年半で量産」という目標に向け、浜松に技術者が集結しています。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。
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2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」（同社）量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。
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「われわれはEPCが仕掛けた2年間にわたる実利のない特許紛争に完全な勝利を収めたことになる」とInnoscience。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。31カ国から集まった650以上の企業／団体がパワーエレクトロニクス分野の最新技術を紹介している。
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田中貴金属工業が、パワー半導体用パッケージ製造でのダイアタッチ向けのシート状接合材料「AgSn TLPシート」を開発した。低温で接合後に耐熱温度が480℃に上がるうえ、低加熱での接合も可能といいった特長を有し、最大20mmと大面積接合にも対応する。
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2024年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
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東芝が、完全子会社である東芝マテリアルを日本特殊陶業に売却すると発表した。売却価格は約1500億円で、2025年5月30日に実施予定だ。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。
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競争は激化の一途をたどっています。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年9月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向』です。
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三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。
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2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。
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ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。
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田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。
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ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。33カ国以上から集まった620以上の企業／団体が、パワーエレクトロニクス分野の最新技術やイノベーションを紹介している。
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ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。
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生成AIは半導体業界にどのような影響を与えているのでしょうか。
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ロームが、GaNパワー半導体の展開を急加速している。同社は、パワーエレクトロニクスの国際展示会「PCIM Europe 2023」においてGaN製品を大きくアピールし、SiCを含めたWBG（ワイドバンドギャップ）市場での拡大に向けた意欲を示していた。
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ドイツで開催されたパワーエレクトロニクス関連の展示会「PCIM Europe 2023」で、シリコン並みのコストで縦型GaNパワートランジスタの実現を目指す欧州のコンソーシアム「YESvGaN」が、その取り組みを紹介した。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2023」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕した。会期は2023年5月9〜11日で、30カ国以上から500以上の企業／団体が参加。展示エリアは3万平方メートルで過去最大になった。
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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2022年5月10〜12日に開催された世界最大規模のパワエレ関連展示会「PCIM Europe 2022」の現地レポート記事をまとめた電子ブックレットを紹介します。
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パワー半導体市場がかつてないほど活気づいている。もともと需要が強く、安定した市場であるパワー半導体だが、電気自動車や再生可能エネルギーの導入、普及拡大を含め、カーボンニュートラル／脱炭素という一大トレンドに大きく貢献するコンポーネントであることから、強い追い風が吹いている状態だ。
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富士電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展、産業、自動車分野向けの第7世代IGBTおよびSiC（炭化ケイ素）搭載パワーモジュールなどを展示した。
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Infineon Technologiesは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）において小型軽量で高効率の240W USB-Cチャージャーを実現するGaN（窒化ガリウム）ソリューションを紹介した。
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米NexGen Power Systems（以下、NexGen）は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、GaN（窒化ガリウム）基板上にGaN層を形成する縦型GaNデバイス「Vertical GaN」などを紹介した。同社製品は2022年第4四半期にノートPCのAC-DCアダプター用途で出荷される予定だ。また、今後、数四半期以内に車載DC-DCコンバーターやオンボードチャージャー向けに耐圧1200Vのデバイスも出荷を開始する予定だという。
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3年ぶりのリアル開催となったPCIM Europe 2022に行ってきました。
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Wolfspeed（旧Cree）は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、同社が開発する新世代（Gen 3＋）車載用SiC（炭化ケイ素）MOSFETのダイおよび先端パッケージング技術と組み合わせたソリューションなどを紹介した。
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onsemiは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、TO-Leadless（TOLL）パッケージを採用した耐圧650VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「NTBL045N065SC1」などを展示した。
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三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、IGBTおよびSiC（炭化ケイ素）のパワーモジュール製品群などを展示した。
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Infineon Technologiesは2022年5月10日（ドイツ時間）、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」において2kV耐圧のSiC MOSFETおよびダイオードを発表した。需要が高まる1500VDCのアプリケーション向けで、「出力密度向上とシステムコスト低減を実現し、次世代の太陽光発電、電気自動車（EV）チャージャー、エネルギー貯蔵システムの基盤を提供する」としている。
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東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。
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