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「PCIM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT(RC-IGBT)搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車(xEV)インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。

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「窒化ガリウム(GaN)は、遅くとも5年以内にシリコン(Si)のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。

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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。

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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40%削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。

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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」(同社)量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。

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三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。

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2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。

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田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。

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ミネベアパワーデバイス(旧:日立パワーデバイス)がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車(EV)向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。

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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2022年5月10〜12日に開催された世界最大規模のパワエレ関連展示会「PCIM Europe 2022」の現地レポート記事をまとめた電子ブックレットを紹介します。

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パワー半導体市場がかつてないほど活気づいている。もともと需要が強く、安定した市場であるパワー半導体だが、電気自動車や再生可能エネルギーの導入、普及拡大を含め、カーボンニュートラル/脱炭素という一大トレンドに大きく貢献するコンポーネントであることから、強い追い風が吹いている状態だ。

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米NexGen Power Systems(以下、NexGen)は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」(2022年5月10〜12日、ドイツ)に出展し、GaN(窒化ガリウム)基板上にGaN層を形成する縦型GaNデバイス「Vertical GaN」などを紹介した。同社製品は2022年第4四半期にノートPCのAC-DCアダプター用途で出荷される予定だ。また、今後、数四半期以内に車載DC-DCコンバーターやオンボードチャージャー向けに耐圧1200Vのデバイスも出荷を開始する予定だという。

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Infineon Technologiesは2022年5月10日(ドイツ時間)、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」において2kV耐圧のSiC MOSFETおよびダイオードを発表した。需要が高まる1500VDCのアプリケーション向けで、「出力密度向上とシステムコスト低減を実現し、次世代の太陽光発電、電気自動車(EV)チャージャー、エネルギー貯蔵システムの基盤を提供する」としている。

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TDKは、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。125℃の高温でも連続使用できる新たなフィルムコンデンサー技術について紹介した。同社は、「新たな誘電体によって高温での小型化や高耐電圧化および、動作温度や許容電流負荷の増加を可能とする」と説明。次世代パワー半導体であるSiC(炭化ケイ素)などを用いた、高温や大電流負荷への対応が必要となるアプリケーション向けの新製品を2021年に量産開始する予定としている。

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三菱電機は、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。新製品として、高い信頼性と拡張性を持つ一般産業用途向けのLV100モジュールを紹介した。耐圧1200V、1700Vをラインアップし、風力発電用コンバーターや太陽光発電セントラルインバーターなどの用途に向け、2020年中に製品化する予定だ。

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三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、

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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2019年5月7〜9日に開催された世界最大規模のパワエレ関連展示会「PCIM Europe 2019」の現地レポート記事をまとめた電子ブックレットを紹介します。

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Infineon Technologies(以下、Infineon)は、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」で、パワーモジュールの新パッケージや、TO247-2パッケージの1200V SiC-SBDを発表し、主力のパワーデバイスを順調に拡充していることをアピールした。

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