最新記事一覧
ロームは、シャント抵抗器のEROMモデルを拡充し、「PMR」シリーズを追加した。実使用環境に近い条件での解析が可能。Web公開していて、シーメンスの電子機器向け熱設計ツールにも標準搭載する。
()
ロームは、指向性の高い赤外VCSELを発光素子に採用したアナログ小型近接センサー「RPR-0730」を開発した。0.1mm幅の微細線を検知でき、10μsの応答性能で高速移動体の検出にも対応する。
()
ロームは、民生機器や産業機器向けの汎用モータードライバーIC「BD60210FV」「BD64950EFJ」を開発した。両製品ともスタンバイ電流が低く、アプリケーション待機時の省電力化に寄与する。
()
ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
()
ロームの2025年度上期（2025年4〜9月）売上高は前年同期比5.3％増の2442億円、営業損益は前年同期の9億円の赤字から76億円の黒字に、純利益は同398.9％増の103億円になった。この結果を受け、同社は通期計画を上方修正した。
()
ロームは、プリンタや搬送装置などの民生、産業機器向けアナログ近接センサー「RPR-0730」を発表した。発光素子にVCSEL、受光素子にフォトトランジスタを採用。0.1mm幅の微細線を識別できる。
()
ローム社長の東克己氏は2025年11月6日、TSMCのGaNファウンドリー事業撤退の決定について「われわれにとって非常に痛い、大きな痛手だ」と言及。生産移管先についてはTSMC傘下のVanguard International Semiconductorと協議していることに触れつつ、現在も社内／協業を含めたさまざまな可能性を検討している段階だと説明した。
()
ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
()
ロームは、中耐圧（12〜48V）向けの三相ブラシレスDCモータードライバーIC「BD67871MWV-Z」を開発、量産を始めた。独自の駆動ロジックを搭載することで、FETの発熱低減とEMI抑制を両立させた。
()
ロームは、滋賀工場および、ローム・アポロ、ローム・ワコー、ローム浜松、ラピスセミコンダクタの国内製造関連4社を、前工程と後工程の製造会社2社に再編すると決定した。
()
ロームは、定格電力1.0Wおよび1.25Wのシャント抵抗器「UCR10C」シリーズを発表した。抵抗値は10〜100mΩで、放熱構造の最適化と金属抵抗体の採用により、高精度な電流センシングに対応する。
()
ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
()
ロームは、低VFと低IRのトレードオフを両立した、保護用SBD「RBE01VYM6AFH」を開発した。ADASカメラなど、高画素化が進むイメージセンサー搭載機器に向けた保護ソリューションを提供する。
()
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
()
ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。
()
ロームが、素子構造を根本から見直すことで低順方向電圧（VF）と低逆方向電流（IR）を両立した保護用ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」を開発した。
()
ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。
()
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
()
ロームは、ゾーンECU向けハイサイドIPD「BV1HBxxx」シリーズを6品種で製品化した。容量負荷駆動能力が高く、ゾーンECUと出力負荷の接続部での用途に最適。月産20万個体制で量産を開始している。
()
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。
()
ロームは、自動車のゾーンECUに向けたハイサイドIPD（Intelligent Power Device）「BV1HBxxxシリーズ」を開発、量産を始めた。オン抵抗が異なる6種類の製品を用意した。いずれも車載信頼性規格「AEC-Q100」に準拠している。
()
ロームは、村田製作所と共同で物流により発生する温室効果ガスの抑制と輸送コスト低減を目的に、日本通運のEVトラックを使用した共同輸送を電子部品業界で初めて開始する。
()
ロームは、業界最小回路電流と1mm角以下の超小型サイズを両立したCMOSオペアンプ「TLR1901GXZ」を開発した。外気温の変化が大きい環境下でも高精度に動作する。
()
ロームは、動作時の回路電流が極めて少なく、外形寸法も1mm角以下と小さいCMOSオペアンプ「TLR1901GXZ」を発売した。電池駆動の携帯型計測器やウェアラブル端末機器などの計測センスアンプ用途に向ける。
()
ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを搭載したパワーモジュールが、トヨタ自動車の中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」のトラクションインバーターに採用された。
()
ロームとQuanmaticは、EDS（Electrical Die Sorting）と呼ばれる半導体製造工程の一部に量子技術を導入し、EDS工程セットアップ時のロスを従来比で40％も削減した。「大規模な半導体製造工程に量子技術を本格導入するのは世界で初めて」（ローム）という。今後、前工程への導入も検討していく。
()
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。同社と協業するロームは「協業体制の維持、深化に向けて、引き続き互いの強みを融合させることで市場／顧客ニーズに適切に対応していく」と述べている。
()
ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。
()
ロームは、「LogiCoA」電源ソリューションの第2弾として、PFC（力率改善）とフライバックという2種類のコンバーターを1個のマイコンで制御できる電源のレファレンスデザイン「REF67004」を開発した。
()
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。
()
ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。
()
ロームは、48V系電源のAIサーバ向けホットスワップ回路やバッテリー保護が必要な産業機器電源などの用途に向けた100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発、販売を始めた。新製品は高いSOA（Safe Operating Area）耐量と低オン抵抗を両立させた。
()
ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。
()
ロームは、同社初となる高耐圧GaN HEMT向け絶縁ゲートドライバーIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発した。GaNデバイス製品と組み合わせることで、高周波・高速スイッチング駆動を実現し、モーターやサーバ電源などを小型化・高効率化できる。
()
ロームの2024年度通期業績は、売上高が前年度比4.1％減の4484億円になったほか、営業損益は前年度の433億円の黒字から400億円の赤字に、純損益は同539億円の黒字から500億円の赤字に転落した。最終赤字になるのは524億円の赤字を計上した2013年3月期以来で、過去2番目の赤字規模だという。
()
ロームは、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。ハイパワーアプリケーションの電力変換回路に必要な基本回路を小型パッケージに内蔵しており、設計工数の削減と電力変換回路の小型化に寄与する。
()
ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。
()
ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。
()
ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ（代表値）のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。スマートフォンの急速充電回路などに提案していく。
()
ロームは、AI機能を搭載したマイコン「ML63Q253x-NNNxx」「ML63Q255x-NNNxx」を発表した。クラウドやネットワークに依存することなく、マイコン単体で産業機器の故障予兆検知や劣化予測ができる。
()
マツダとロームは、次世代半導体として注目される窒化ガリウム製パワー半導体を使用した自動車部品の共同開発を開始した。次世代半導体の実装化で自動車の技術革新に寄与する。
()
ロームは、VRおよびAR機器や産業用光センサー、人感センサー向けに、小型トップビュータイプの面実装型近赤外LEDを新たに追加した。3パッケージ構成で計6機種を展開。用途に応じて波長の選択もできる。
()
ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。
()
ロームは、80Vあるいは40Vの入力電圧に対応した高精度の「電流センスアンプIC」を開発、量産を始めたと発表した。新製品は車載信頼性規格「AEC-Q100」に準拠している。
()
電子部品メーカーのロームは、インターネット分離ソリューション「Menlo Security」を採用した。同社はテレワークの増加といった働き方の変化に伴い、安全な電子メールやWeb利用を模索していた。
()
ロームが、ネットワーク不要で、学習と推論を単体で完結するAI機能搭載マイコンを開発した。産業機器をはじめあらゆる機器でセンシングデータを活用した故障予兆検知や劣化予測が実現できるという。
()
ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。
()
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
()
ロームは、650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年に量産開始する。高いGaNプロセス技術を有するTSMCと共同で、スイッチング損失低減に関わる出力電荷量（Qoss）の改善に取り組んでいて、第3世代品では現行品からQossを大幅に削減する。また、2026年には、GaNパワー半導体製造の8インチ化も計画する。
()
ロームのEcoGaN製品GaN-HEMTが、Murata Power SolutionsのAIサーバ向け電源ユニットに採用された。同GaN-HEMTは、650V耐圧のTOLLパッケージを採用し、電源の高効率動作と小型化に貢献する。
()