最新記事一覧
ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。
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ロームは、48V系電源のAIサーバ向けホットスワップ回路やバッテリー保護が必要な産業機器電源などの用途に向けた100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発、販売を始めた。新製品は高いSOA（Safe Operating Area）耐量と低オン抵抗を両立させた。
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ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。
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ロームは、同社初となる高耐圧GaN HEMT向け絶縁ゲートドライバーIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発した。GaNデバイス製品と組み合わせることで、高周波・高速スイッチング駆動を実現し、モーターやサーバ電源などを小型化・高効率化できる。
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ロームの2024年度通期業績は、売上高が前年度比4.1％減の4484億円になったほか、営業損益は前年度の433億円の黒字から400億円の赤字に、純損益は同539億円の黒字から500億円の赤字に転落した。最終赤字になるのは524億円の赤字を計上した2013年3月期以来で、過去2番目の赤字規模だという。
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ロームは、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。ハイパワーアプリケーションの電力変換回路に必要な基本回路を小型パッケージに内蔵しており、設計工数の削減と電力変換回路の小型化に寄与する。
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ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。
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ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。
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ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ（代表値）のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。スマートフォンの急速充電回路などに提案していく。
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ロームは、AI機能を搭載したマイコン「ML63Q253x-NNNxx」「ML63Q255x-NNNxx」を発表した。クラウドやネットワークに依存することなく、マイコン単体で産業機器の故障予兆検知や劣化予測ができる。
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マツダとロームは、次世代半導体として注目される窒化ガリウム製パワー半導体を使用した自動車部品の共同開発を開始した。次世代半導体の実装化で自動車の技術革新に寄与する。
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ロームは、VRおよびAR機器や産業用光センサー、人感センサー向けに、小型トップビュータイプの面実装型近赤外LEDを新たに追加した。3パッケージ構成で計6機種を展開。用途に応じて波長の選択もできる。
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ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。
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ロームは、80Vあるいは40Vの入力電圧に対応した高精度の「電流センスアンプIC」を開発、量産を始めたと発表した。新製品は車載信頼性規格「AEC-Q100」に準拠している。
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電子部品メーカーのロームは、インターネット分離ソリューション「Menlo Security」を採用した。同社はテレワークの増加といった働き方の変化に伴い、安全な電子メールやWeb利用を模索していた。
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ロームが、ネットワーク不要で、学習と推論を単体で完結するAI機能搭載マイコンを開発した。産業機器をはじめあらゆる機器でセンシングデータを活用した故障予兆検知や劣化予測が実現できるという。
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ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。
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急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
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ロームは、650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年に量産開始する。高いGaNプロセス技術を有するTSMCと共同で、スイッチング損失低減に関わる出力電荷量（Qoss）の改善に取り組んでいて、第3世代品では現行品からQossを大幅に削減する。また、2026年には、GaNパワー半導体製造の8インチ化も計画する。
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ロームのEcoGaN製品GaN-HEMTが、Murata Power SolutionsのAIサーバ向け電源ユニットに採用された。同GaN-HEMTは、650V耐圧のTOLLパッケージを採用し、電源の高効率動作と小型化に貢献する。
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ロームは、TOLLパッケージの650V耐圧GaN HEMT「GNP2070TD-Z」の量産を開始した。産業機器や車載機器の中でも、大電力対応が求められるアプリケーションに適している。
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ロームは2025年2月、Murata Power Solutionsが開発するAIサーバ向け5.5kW出力のM電源ユニットに、ロームの「GaN HEMT」が採用されたと発表した。このGaN HEMTは650V耐圧で高放熱のTOLLパッケージを用いている。
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ロームは、650V耐圧GaN-HEMTのTOLLパッケージ品となる「GNP2070TD-Z」の量産を開始した。高耐圧かつ高速スイッチングが求められる電源システムにおいて、小型化と省エネ化に貢献する。
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ロームがシリコンウエハー事業から撤退する。同社は子会社のローム・アポロにおいて、LSIなどの自社製品用にシリコンウエハーを内製していたが、2025年3月末で生産を終了する予定だ。
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ロームの2024年度第3四半期累計（2024年4〜12月）の連結業績は、売上高が前年同期比3.0％減の3446億4200万円、営業利益が110億8000万円の赤字、純利益が同99.5％減の2億1000万円となった。
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ロームは、新たな代表取締役社長 社長執行役員に、同社 取締役 専務執行役員 品質、生産、汎用デバイス事業、モジュール事業担当の東克己氏が2025年4月1日付で就任すると発表した。
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ロームは2025年1月、社長の交代を発表した。現職の松本功氏に代わって、東克己氏が就任する。2024年度通期業績が赤字の見通しとなったことを踏まえ、構造改革を目指す。
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ロームは、自動運転を支える高速車載通信システム「CAN FD」に対応したTVSダイオード「ESDCANxx」シリーズを発表した。信号劣化を防ぎ、高サージ耐量で車載電子機器の保護性能を向上させる。
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ロームは2024年12月10日、TSMCと車載GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの開発と量産に関する戦略的パートナーシップを締結したと発表した。
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ロームは、汎用チップ抵抗器「MCRx」シリーズを発表した。高電力タイプの「MCRS」シリーズと低抵抗タイプの「MCRL」シリーズを展開する。MCRSシリーズは、同等定格電力で従来よりワンサイズ小型化できる。
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ロームはxEV（電動車）用トラクションインバーター向けの市場展開を着実に進めている。「electronica 2024」では、同社の新しいモールドタイプSiCモジュールを採用した、フランスの自動車部品大手Valeoのインバーターを初公開した。
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ロームは2024年11月19日、汎用チップ抵抗器の新製品群「MCRxシリーズ」を発表した。定格電力と温度特性を高め「従来品に比べワンサイズ小型での使用を可能にした」（ローム）という高電力タイプの「MCRSシリーズ」などが含まれる【訂正あり】
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ロームは、車載向けの1200V 第4世代IGBTを開発した。外周を含めたデバイス構造を改善し、25℃での短絡耐量が10マイクロ秒となったほか、スイッチング損失や導通損失が低減している。
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デルタ電子は、高速充電対応のUSB-C充電器「Innergie（イナジー） C10 Duo」の日本での新発売に伴う説明会を開催した。同製品にはローム製のGaN（窒化ガリウム）デバイスを採用している。
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ロームは、ハイレゾリューション音源の再生に適する32ビットD-AコンバーターIC「BD34302EKV」の販売を開始した。DWAの新しいアルゴリズムにより、THD＋Nが−117dBに達した。音の質感をよりリアルに表現できる。
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ロームは2024年度通期業績について、売上高を期初予想比300億円減の4500億円、営業利益を150億円の赤字（期初予想は140億円の黒字）、純利益を60億円の赤字（同140億円の黒字）にそれぞれ下方修正した。
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ロームは、1kW級の出力が可能な赤外レーザーダイオード「RLD8BQAB3」を開発した。発光面に採用したクリアガラスのガラスキャップにより光散乱を抑えるため、高品質なビームを得られる。
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ロームは、共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ波発振デバイスと検出デバイスを開発、サンプル出荷を始めた。従来方式の発振装置に比べ体積は1000分の1以下に、価格も10分の1以下となる。
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ロームとデンソーが、半導体分野における戦略的パートナーシップの検討開始に合意した。高信頼性製品の安定供給や高品質／高効率な半導体開発などに関するさまざまな取り組みに向けたものだという。
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ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。
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ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
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ロームは、車載向けNch MOSFET「RF9x120BKFRA」「RQ3xxx0BxFRA」「RD3x0xxBKHRB」を開発した。10機種を用意し、パッケージは2.0×2.0mmのDFN2020Y7LSAA、3.3×3.3mmのHSMT8AG、6.6×10.0mmのTO-252（DPAK）の3種から選択できる。
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ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。
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東京農工大学とロームは、円偏波変換板と独自材料の平面レンズからなる光学素子を共鳴トンネルダイオードに搭載し、指向性が鋭いテラヘルツ（THz）円偏波を発生させることに成功した。0.3THz帯を利用する6G（第6世代移動通信）やセンサー機器などへの応用が期待される。
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京都大学の研究グループは大阪大学やロームと共同で、共鳴トンネルダイオードを搭載した半導体テラヘルツ発振器から放射されるテラヘルツ電磁波の振動波形（位相）を計測し、制御することに成功した。テラヘルツ波の位相情報を利用した超高速で大容量の無線通信やスマートセンシング技術の実現につながるとみられる。
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ローム子会社でSiCウエハー製を手掛けるドイツSiCrystalが、ドイツ・ニュルンベルクにおいて、SiCウエハーの生産能力拡大に向けた新棟を起工した。2026年初旬に完成予定で、既存施設も含めたSiCrystal全体の生産能力は2027年に3倍（2024年比）になる予定だという。
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2024年4月に子会社のラピステクノロジーを吸収合併したロームは、両社の強みを併せ持つ製品の開発と展開を加速させている。ロームが「シナジーが最も大きいカテゴリーの一つ」として挙げるのがマイコンだ。アナログ制御とデジタル制御の“いいとこ取り”をした「アナログ・デジタル融合制御」電源用のマイコン、チップレットを活用したマイコン、IC上で機械学習と推論を実行できるマイコンなど、市場投入を控えたユニークな新製品がそろう。
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ロームは、2in1仕様のSiC（炭化ケイ素）モールドタイプモジュール「TRCDRIVE pack」シリーズを開発した。同社の第4世代SiC MOSFETを採用し、300kWまでのxEV向けトラクションインバーターに対応する。
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市場調査会社のTrendForceはSiCパワーデバイス市場についての調査を発表した。それによると、2023年の市場シェアはSTMicroelectronicsが32.6％を占めて首位となり、onsemiは23.6％で前年の4位から2位に浮上した。続くInfineon Technologies、Wolfspeed、ロームを含めた上位5社が総売上高の91.9％を占めていたという。
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ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。
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