エルピーダは、RambusのXDRメモリアーキテクチャーを搭載した「512Mb 4.8GHz XDR DRAM」を発表した。
エルピーダメモリ(エルピーダ)は10月4日(米国時間)、メモリ設計企業である米RambusのXDRメモリアーキテクチャーを搭載した「512Mb 4.8GHz XDR DRAM」(製品名:EDX5116ADSE-5E-E)を発表した。業界標準のDDR2 DRAMと比較して6倍の性能を達成した。
同製品は、1デバイスで業界最高の9.6Gバイト/秒のデータ転送レートを実現。このデータ転送レートは、業界標準のDDR2-800メモリデバイスのピークバンド幅と比較して約6倍となる。高速動作と高いデータ転送レートを可能にするために、Rambusの特許をベースに開発した低振幅の差動ラムバス信号レベル(DRSL)、クロック1サイクル当たり8ビット転送するオクタルデータレート技術(ODR)、クロック位相に合わせてデータタイミングをチップ上で調整するFlexPhase回路技術が導入されている。
2007年12月からサンプル出荷を開始し、2008年4月から量産に入る。
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