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STMicroelectronicsが、次世代「STM32」MCUを、18nmのFD-SOIプロセスで製造すると発表した。この発表、実はかなり興味深い。それはなぜなのか、FD-SOIのこれまでの経緯をたどりながら解説したい。
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STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。
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ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
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2023年、自動車と産業機器で堅調に業績を伸ばしたSTマイクロエレクトロニクス。近年はワイドバンドギャップ半導体やエッジAI（人工知能）関連の製品群の拡張と、積極的な工場投資を進めている。2024年は初頭からグローバルでの組織変更を発表し、開発効率の向上やソリューション提案の強化を強調した。同社の日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、2024年の市況や戦略を聞いた。
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STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
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筑波大学やオーフス大学、愛媛大学、島根大学、理化学研究所らの研究グループは、相変化材料（ガラス）に圧力が加わると、規則的な原子配列は抑制され、それに伴い体積弾性率が上昇することを明らかにした。このメカニズムは過冷却液体の相転移機構と同じであることも判明した。
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東北大学は筑波大学と共同で、酸化物では初めて熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングに成功した。多値記憶が可能な相変化メモリへの応用が期待される。
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IBMの研究グループは、Nature Electronicsの最新号で、2022年に初めて作られた、重み400万、64コアの推論チップ「Hermes」の設計と動作を公開した。
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東北大学の研究グループは、産業技術総合研究所や慶應義塾大学とともに、相変化メモリ（PCRAM）の電力消費を大幅に抑え、高速動作や高温環境での使用を可能にする相変化材料として、二次元層状物質の「テルル化ニオブ（NbTe4）」を発見した。
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マイコンからアナログIC、センサー、メモリまで幅広い製品ポートフォリオを持つSTマイクロエレクトロニクス。広範な製品群をベースに、ソリューションの提案に力を入れている。半導体に対する旺盛な需要が長期的に見込まれる中、同社はどのような戦略を取るのか。STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に聞いた。
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STマイクロエレクトロニクスは「第15回 オートモーティブワールド」で、相変化メモリ（PCM）を内蔵した車載用32ビットマイコン「Stellar」のデモを展示した。
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】
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不揮発性メモリであるOptaneが打ち出した発想から、さまざまな動きが起こった。Intelが事業の撤退を明かし、関心は次の時代へと移行する。
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SSDとメモリのそれぞれの分野において、IntelにはOptaneで成し遂げたい変革があった。ただし幾つかのハードルが、Optaneの普及を阻んだ。
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Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar P6」シリーズを発表した。新しい車載通信規格「CAN-XL」を採用し、2024年モデルの自動車向け認定取得に対応した。
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STマイクロエレクトロニクスは、次世代のeドライブトレインなどに対応する車載用マイコン「Stellar P6シリーズ」を発表した。新しい車載通信プロトコル「CAN-XL」を搭載し、2024年モデルの自動車向け認定を取得しているという。
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2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。
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Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
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フラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット」で、フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表が公開される。この歴史年表が、とても参考になるので、今回からその概略をシリーズで紹介していく。
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人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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超格子材料とフレキシブル基板を組み合わせれば、相変化メモリPCM（Phase Change Memory）の主要な欠点の1つを解決できる可能性がある。
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欧州最大級の半導体国際学会「ESSCIRC-ESSDERC 2021」（2021年9月、オンライン開催）で、STMicroelectronics（以下、ST）のデジタル＆スマート・パワー技術およびデジタル前工程製造を担当エグゼクティブバイスプレジデント、Joël Hartmann氏が講演。エッジAI（人工知能）の展望を語る中で、「インメモリコンピューティングへの移行」の重要性を訴えた。
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米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。
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STマイクロエレクトロニクスは、32ビット車載用マイコン「Stellar SR6」ファミリーを発表した。ドライブトレインやADASなど、ISO 26262 ASIL-Dに準拠する車載用システムの開発を支援する。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar SR6」の提供を開始した。車両内の配線を簡素化するドメインコントローラー、ゾーンコントローラーとしての用途を想定している。
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2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。
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今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。
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今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。
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今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。
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「3D XPoint」をIntelと共同開発したMicron Technologyが、その製品化を活発化させ始めた。この動きは、Intel「Optane」が先行する新興メモリ市場に変化をもたらすのか。
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本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ（1枚のシリコンダイ）にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。
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Optane DC Persistent MemoryはSSDではない。単なるメモリでもない。使い方次第でアプリやシステムのパフォーマンスを劇的に向上させることができる。ただし2つの動作モードを理解する必要がある。
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STマイクロエレクトロニクスはボッシュと共同で、次世代の車載アーキテクチャに向けたMCU「Stellar」を開発した。複数のアプリケーションや仮想ECUが共存可能で、自動車の安全性と利便性の向上に貢献する。
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主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」（SCM）の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。
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STMicroelectronics（以下、ST）は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」（会期：1月17日まで）で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC（炭化ケイ素）を用いたパワーデバイス製品などを展示している。
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PCM（相変化メモリ）は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ（PCMであることが明らかになっている）を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。
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MRAM（磁気抵抗メモリ）の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。
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アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化型メモリ）など新型メモリの量産を可能にするPVD（物理蒸着）装置について、その特長などを紹介した。
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フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40％下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。
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今回から磁気抵抗メモリ（MRAM）について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。
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今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。
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今回は、相変化メモリ（PCM）が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。
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2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」（IMW）に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。
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今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ（PCM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）という3つの最有力候補について解説する。
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2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology（以下、Micron）。同社で、Executive Vice President兼CBO（Chief Business Officer）を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。
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今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）といったエマージング・メモリ（次世代メモリ）の特徴を比較する。
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