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2005/03/18 21:13 更新


ST、3G携帯用256MビットNORフラッシュ・メモリを発表


 STMicroelectronicsは3月18日、2ビット/セルアーキテクチャを採用した256MビットNORフラッシュ・メモリ「M30L0R8000x0」を発表した。

 256Mビット・フラッシュメモリは、同社の0.13マイクロメートルプロセス技術を採用して製造されており、小さな実装面積で、大容量メモリを要求する第3世代携帯電話市場向けとなっている。2ビット/セル技術により、シリコン・メモリ配列の効率が良く、ダイ・サイズとパッケージ・サイズの大幅な削減を実現する。

 同製品は従来の1ビット/セル製品とのソフトウェア互換性を維持しており、マルチレベル・セル技術で必要な、すべての追加プロセスがオンチップで処理される。

 「M30L0R8000x0」は、128Mビット版も含む2ビット/セル製品シリーズの最初の製品で、現在「M30L0R8000T0/B0」がTFBGA88 8×10ミリ、0.8ミリピッチ・パッケージでサンプル出荷されている。同社は512Mビット版も開発中だという。

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