エルピーダ、90ナノプロセスのDDR2 SDRAM
エルピーダメモリはこのほど、90ナノメートルプロセスを採用したDDR2 SDRAMの開発を完了した。容量512Mビット／1Gビット、最大データ転送速度667Mbps以上の製品に適用する。
100ナノメートル品に準じた製造プロセスを採用し、現時点で量産可能な設備を使って開発した。光リソグラフィ技術には、DRAM製造で量産実績のあるKrFエキシマレーザーリソグラフィを適用した。
すでに量産を開始している100ナノメートル品（関連記事参照）よりもメモリセルや周辺の線幅、線間スペースを1割削減したが、補正技術「OPC（Optical Proximity Corrextion）」により歩留まりを100ナノメートル品と同等に改善。接触抵抗を低減する独自技術も適用した。
チップサイズ縮小により、100ナノメートル品に比べて生産性が20％アップすると見込む。
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