Samsung、性能強化と小型化実現のメモリパッケージ技術開発

公開 2006年04月14日 08時13分

更新 2006年07月28日 07時06分

[ITmedia]

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　Samsung Electronicsは4月13日、パフォーマンスの大幅な強化と小型化を実現した3Dメモリパッケージを開発したと発表した。

　このパッケージ技術はWSP（wafer-level processed stack package）と呼ばれ、TSV（through silicon via）相互接続技術を使った高密度メモリチップで構成する。

　Samsungの試作品では50マイクロメートルの2GビットNANDフラッシュのダイを垂直に8個重ね、高さは0.56ミリ。シリコンを垂直に貫くマイクロメートル規模の穴を作って回路を直接接続することで、ワイヤ接続を使った現在のマルチチップパッケージ（MCP）に比べて設置面積を15％、厚さを30％縮小した。また、電気抵抗の低減によりパフォーマンスも約30％向上するとしている。

　WSPは携帯機器や家電に利用してバッテリー持続時間の向上とパフォーマンス強化を図ることができ、薄型の高性能携帯に最適だとSamsung。同社は2007年初頭から、まず携帯などの家電製品向けNANDベースのメモリカードにWSP技術を導入する計画。

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