Samsung、容量4GBのDIMM実現するスタックトDRAM発表

公開 2007年04月24日 07時31分

更新 2007年05月29日 09時32分

[ITmedia]

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　韓国Samsungは4月23日、スルーシリコンビア（TSV）技術によりDRAMを積み重ねたスタックトパッケージを開発したと発表した。

　今回のWSP（wafer-level-processed stacked package）技術では、512MビットのDDR2を4個積載、2Gビットを提供する。DRAMスタッキングにより、容量4GバイトのDIMMが実現するという。

　従来のMCP（Multi-Chip Package）技術では、ダイは金属ワイヤで接続されるため、ダイ同士の間に数十マイクロメートルの隙間ができ、またパッケージボードにも金属ワイヤ配線のためのスペースが必要だった。しかしWSP技術では、ダイを重ねた状態で、すべてのダイを貫通するようレーザーで数マイクロメートルサイズの穴を開けて銅を注入、ダイ同士がじかに積み重なるようにした。これにより、かなりの小型化、薄型化に成功したという。

　2010年以降の次世代コンピューティングシステムでは高密度、大容量の半導体が必要とされ、この新パッケージ技術はその助けとなるとSamsungは主張している。

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