NECエレと東芝、28ナノプロセスでもIBMと共同開発
NECエレクトロニクスと東芝は6月18日、米IBMとの技術提携を拡大し、28ナノメートルプロセスを採用した半導体技術も共同で開発すると発表した。
28ナノ技術に関するIBMの開発アライアンスに参加。high-kメタルゲートを採用した低消費電力バルクCMOSプロセス技術を、米ニューヨーク州にあるIBMの施設で開発する。
東芝は2007年12月から、NECエレ08年9月から、IBMの半導体開発アライアンスに参加しており、これまでに32ナノ技術を共同で開発してきた。
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