IntelとMicron、“NANDより1000倍速い”新不揮発メモリ技術「3D XPoint」発表

公開 2015年07月29日 12時01分

更新 2015年07月31日 05時08分

著者

佐藤由紀子

[ITmedia]

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　米Intelと米Micron Technologyは7月28日（現地時間）、NANDフラッシュメモリよりも1000倍速いという新しいカテゴリーの不揮発メモリ「3D XPoint」を発表した。年内にサンプルを顧客数社に提供する計画。

　3D XPointは、名称からも分かるようにメモリセルのボードを3次元に組み立てることで小さいサイズでのデータの読み書きを可能にした。

3D Xpointの構造

3D Xpointのダイ

　両社はこの技術を“1989年のNANDフラッシュ以来、25年ぶりの新カテゴリーのメモリ”としている。NANDより1000倍速いだけでなく、1000倍耐久性があり、従来のメモリよりデンシティが10倍高いという（デンシティが高ければ小さいサイズで大容量のメモリを実現できる）。1つのダイに128Gビットのデータを保存できる。

　3D Xpointの用途としては、ビッグデータのリアルタイム解析などを例に挙げているが、PCに搭載すればコラボレーションツールやゲームをレーテンシーなく快適に使えるようになるともしている。

変更履歴：128Gバイト→128Gビットに訂正しました。［2015/7/31 5:07］

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