最新記事一覧
ASMLは、EUV露光装置などの需要拡大を受け、2028年に向けたさらなる生産能力の増強を検討している。ただし、増産には光学系を供給するCarl Zeiss SMTの生産能力拡大が欠かせない。
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生成AIは半導体市場を大きく変えている。半導体製造装置市場も例外ではない。本稿では、13種類の前工程装置市場の推移を振り返りながら、生成AIの登場による同市場の変化と、今後（After AI）の行く末を予想したい。
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ビジネスを進める上で、日本経済の立ち位置を知ることはとても大切です。本連載では「スキマ時間に読める経済データ」をテーマに、役立つ情報を皆さんと共有していきます。今回は、日本の製造業の付加価値分配について紹介します。
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中国のメモリメーカー「CXMT」が、2026年内に新構造の最先端DRAMを投入すると発表した。既存の韓国勢を2年先行するアグレッシブな動きは、市場に衝撃を与え関連株価の下落を招いている。米国の輸出規制下で自前製造を進める中国の思惑と、過熱するAI投資バブルの限界をDRAM市場の動きから読み解く。
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GlobalFoundriesが、フィジカルAI向けの新世代FD-SOI技術「FDX Fusion」を発表した。同社はAI半導体の次なる巨大市場が、データセンターGPUを巡る競争とは大きく異なるものになると確信しているようだ。
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2026年10月6日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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ASMLジャパンは設立25周年を記念する記者説明会を開催した。日本は世界の技術革新を支える重要市場であるとし、AI需要の拡大と半導体の微細化を見据え、2030年度に向け国内人員を700人規模へ増員し、サポート体制を強化する。
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Appleが同社初の折りたたみ式スマートフォン「iPhone Duo」を発表した一方で、Huaweiの三つ折りスマホ「Mate XT 2 Ultimate Design」が注目を集めている。Huaweiが2026年5月に提案した新法則「タウスケーリング」を適用した新型プロセッサが搭載されているからだ。
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最先端半導体の微細化を支える極端紫外線（EUV）露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数（NA）0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。
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Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。
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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies（CXMT）が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。
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ASMLは、2026年第2四半期の業績が当初の予想を上回ったことを受け、通期売上高見通しを430億〜450億ユーロ（約494億5000万〜517億5000万米ドル）に引き上げた。AIインフラや広帯域メモリ（HBM）、先端ロジック向けの需要拡大に対応し、2027年には極端紫外線（EUV）露光装置および深紫外線（DUV）液浸露光装置の生産能力を30％増強する。
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ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。
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GlobalFoundries（GF）とQualinxは、GNSS（全球測位衛星システム） SoC（System on Chip）を欧州内の製造フローで完成させた。機密性の高い設計データやマスク、ウエハーを欧州の管理下に置く取り組みで、半導体主権の具体的な一歩といえる。しかし、EDAや材料などには課題が残る。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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半導体製造装置大手のLam Researchは、量産向けのPanel-Level Packaging（PLP）用装置が今後1年以内に顧客の初期パイロット生産に投入される見通しを明らかにした。同社幹部がEE Times Japanなどのインタビューに応じた。
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ASMLは、インドTata Electronicsと戦略的提携を締結した。最先端リソグラフィ装置を提供するほか、人材教育やサプライチェーン開発などでも支援を行う。Tata Electronicsは2027年、完全自動化された商用300mm半導体工場を稼働開始する予定だ。
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TSMCは、次世代プロセスおよび先進パッケージング技術のロードマップを明らかにした。1.4nm世代の「A14」やその派生プロセス、2nm派生「N2U」に加え、フォトニクス技術や大規模集積を実現するパッケージング戦略を提示。AIデータセンター向けの性能向上と電力効率改善を狙う。
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中東情勢に伴うナフサ供給危機の影響は、フォトレジストにも及ぶ。それは「世界の半導体工場を停止させる臨界点」になり得るほど、多大なものだ。本稿では、主にリソグラフィ専門家に向けて、フォトレジストにおける「ナフサ供給危機」のリスクを詳細に解説する。さらに、リソグラフィ専門家に対する対策の提言と、政府・業界団体に対する提言をまとめる。
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中東情勢に伴うヘリウム（He）とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。
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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム（He）供給逼迫（ひっぱく）およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶／不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。
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中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTC（Yangtze Memory Technologies Corp）が新工場を建設しているという。米国による厳しい対中規制が続く中、中国はメモリでも猛追している。
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TSMCの2026年の設備投資額は560億米ドルに達する見込みだ。それでも、AI半導体の旺盛な需要に応えるには不十分だという。
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Elon Musk氏（イーロン・マスク氏）が発表した半導体複合施設「TeraFab」の建設プロジェクトが、大きな話題を呼んでいる。Musk氏はTeraFabで、半導体製造の「再定義」を狙っているのだろうか。
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imecがASMLの高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光装置「TWINSCAN EXE:5200」を受領したと発表した。ベルギー・ルーベンにあるimecの300mmクリーンルームに導入する。
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IBMとLam Researchが、1nm世代以降の半導体チップの実現に向け、プロセスと材料の開発において協業を発表した。高NA（開口数）極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置の導入加速を促す目的もあるという。
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東京応化工業（TOK）は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けているという。中国のプレイヤーは本当に欧米の競合に付いていけるのだろうか。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けていると報じられた。だが、この措置で中国は本当に国内WFE産業を加速できるのか。
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ASMLは、2025年第4四半期（10〜12月）および通期の業績を発表した。それによると、第4四半期の売上高は97億1800万ユーロ、粗利益率は52.2％で、売上高は過去最高だった。2025年通期での売上高は326億6700万ユーロ、粗利益率は52.8％だった。
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中国で極端紫外線（EUV）露光装置の試作機が動作したと、ロイターが報じた。市場投入できるチップを量産できる装置ではないものの、中国は、最先端チップ製造における障壁をまた一つ崩したのかもしれない。さらに専門家は、これによりレガシープロセスで製造したチップの価格の下落が始まる可能性があると指摘している。
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AI技術の進化をけん引するNVIDIAが、半導体技術の進化にも大きな影響を与えようとしている。同社のティム・コスタ氏によれば、AIエージェントとフィジカルAIに加えて、これらに次ぐ第3のAIともいえる「AIフィジックス」が重要な役割を果たすという。
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2025年11月に都内で開催されたimecのフォーラム「ITF Japan 2025」から、三井化学による極端紫外線（EUV）露光用ペリクル（保護膜）の講演を解説する。最先端の半導体製造に不可欠なEUV露光だが、実は、ペリクルに関しては依然として多くの課題がある。三井化学はそれをどう解決しようとしているのか。
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Intelの最新CPU「Core Ultraプロセッサ（シリーズ3）」と「Xeon 6+プロセッサ」（Eコア）のComputeタイル（CPUコア）は、自社の最新プロセス「Intel A18」で作られている。その特徴を詳しく解説しよう。
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2025年第3四半期、TSMCは過去最高の売上高と営業利益を記録した。なぜ、TSMCはここまで強いのか。テクノロジーノード別／アプリケーション別の同社の売上高と、極端紫外線（EUV）露光装置の保有台数を基に、読み解いてみたい。
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トルンプの日本法人は、東京都内で事業説明会を開催。半導体産業を中心とする日本市場の拡大と、ソフトウェアによる生産性向上の取り組みを紹介した。
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欧州のAIチップの新興企業であるEuclydは、トークン当たりのコストを低く抑えられるハードウェアアーキテクチャを披露した。同社のチップ「Craftwerk」は、16384個のSIMDプロセッサを搭載し、最大8PFLOPS（FP16）または32PFLOPS（FP4）を実現する。NVIDIAやCerebras Systemsをはるかに上回る、2万トークン/秒を実行できるとする。
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ドイツの板金加工機大手メーカーTRUMPFの日本法人であるトルンプは2025年10月29日、グローバルにおける2024〜25年度（2025年6月期日）業績ならびに事業戦略発表会を開催した。
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半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。
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Intelが極度の経営難に陥っている。AI半導体ではNVIDIAに全く追い付けず、x86 CPUでもAMDを相手に苦戦を強いられている。前CEO肝入りだったファウンドリー事業も先行きは暗い。Intelは今後どうなっていくのだろうか。【修正あり】
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DMG森精機は、欧州最大級の工作機械展示会「EMO Hannover 2025」において、8機種の新製品を含む42台の機械と各種の自動化ソリューション、DXツールなどを紹介した。本稿では、初公開となった新製品を中心に紹介する。
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ASMLが、フランスのAI新興Mistral AIに13億ユーロを出資すると発表した。同時に戦略的パートナーシップ締結も発表。ASMLの製品ポートフォリオ全体および研究開発／運用分野でAIモデルの活用を推進し「ASMLの顧客に対し市場投入期間の短縮と高性能な総合リソグラフィシステムの提供を実現する」としている。
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SK hynixが量産用の高NA（開口数） EUV（極端紫外線）露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」を韓国・利川市のファブ「M16」に導入した。
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複数の市場調査によると、今後10年以内に、米国が高性能半導体チップの生産能力を約1.3倍に増強する一方、中国は成熟ノードの能力を拡大し、世界ファウンドリー市場シェアでトップになる見込みだという。
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米国政府は2025年8月22日（米国時間）、「アメリカファースト」製造業構想の一環として、Intelへの直接投資を実施すると発表した。業界内ではこれに対して「Intelの国有化に等しい」という批判も上がっている。
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前工程用の半導体製造装置において日本メーカーのシェア低下が止まらない中、健闘しているのがキヤノンである。同社のナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、光露光プロセスにパラダイムシフトを起こす可能性を秘めている。
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新興ファウンドリのRapidusは7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAAトランジスタの動作確認に成功したと発表した。
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