最新記事一覧
STMicroelectronicsは、相変化メモリを内蔵し、18nm FD-SOI技術を採用した高性能マイコン「STM32V8」を発表した。工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高い機器にも幅広く対応できる。
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今なお工業材料の中心的な存在であり、幅広い用途で利用されている「鉄鋼材料」について一から解説する本連載。第5回は、鋼の高純度化／高清浄化技術について説明する。
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自動車の車体を一体成形する技術である「ギガキャスト」ついて解説する本連載。第3回は、ギガキャストに用いられる装置である超巨大ダイカスト成形機「ギガプレス」を実現した、イタリアのIDRAとFSAの取り組みについて解説する。
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STマイクロエレクトロニクスは、マイコン製品群「STM32」の新製品として「STM32V8シリーズ」を発表した。同社の最先端プロセスである18nm 完全空乏型シリコンオンインシュレーター（FD-SOI）プロセス技術を採用し、相変化メモリ（PCM）を内蔵したハイエンド製品で、要求の厳しい産業用途に適する。
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デクセリアルズは、「第16回 高機能フィルム展 FILMTECH JAPAN」で、「マイクロLEDチップ対応の粒子整列型異方性導電膜（ACF）」のシートタイプと個片タイプや「低誘電特性を持つ熱硬化接着フィルム」などの開発品を紹介した。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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富士フイルムの半導体材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場（静岡県吉田町）内で建設が進められていた先端半導体材料の開発／評価用の新棟が完成し、2025年11月に稼働を開始した。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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インテルは2025年10月30日、プレスセミナーを開催し、Intel 18Aプロセス技術を採用したクライアント向けSoC「Panther Lake」の紹介やロードマップの解説などを行った。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。
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欧州のAIチップの新興企業であるEuclydは、トークン当たりのコストを低く抑えられるハードウェアアーキテクチャを披露した。同社のチップ「Craftwerk」は、16384個のSIMDプロセッサを搭載し、最大8PFLOPS（FP16）または32PFLOPS（FP4）を実現する。NVIDIAやCerebras Systemsをはるかに上回る、2万トークン/秒を実行できるとする。
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Intelの財務状況の悪化で、欧州に予定していた工場建設は中止となった。それでもなお、ドイツではTSMCが支援するESMCやGlobalFoundriesの拠点拡大計画は進行しているが、いずれも最先端ノードを製造するものではない。欧州では、最先端半導体工場を追い求めるべきか、議論が分かれている。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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半導体製造プロセスにおいて、次世代ノードへの移行は「価格高騰」を意味するようになりつつある。TSMCは、5nm世代未満の先端ノードの価格を2026年から5〜10％上げる予定だという。顧客各社はどのような反応を示しているのだろうか。
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生成AIの普及でデータ量が爆発的に増える中、AIデータセンターではストレージの重要性が増している。キオクシアは次世代「BiCS FLASH」をベースに、大容量や広帯域光SSD、1億IOPSのSSDなど、新しいAIストレージ基盤を見据えた革新技術を次々に提案している。
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300mmファブ装置に対する世界投資額が2025年に初めて1000億米ドル台に達し、2026年から2028年までの3年間で総額3740億米ドルに達するという予測をSEMIが発表した。「AIチップの需要増」や「主要地域における半導体の自給率向上に向けた取り組み」などが設備投資に弾みをつける。
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Appleが日本にも研究開発拠点を設けていることをご存じだろうか。その拠点に、iPhoneにパーツを供給するサプライヤー4社の首脳が集まり、ティム・クックCEOに自社の技術を紹介する機会があったので、その模様をお伝えする。
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NVIDIAが2025年9月18日（米国時間）、Intelに50億米ドルを出資し、NVIDIAのNVLinkを使って両社のアーキテクチャを接続したスーパーチップを共同開発すると発表したことから、業界はそのニュースでもちきりとなった。こうした動きにより両社は、データセンターとPCの両分野において、次世代AIコンピューティングを支配していきたい考えのようだ。
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NVIDIAがIntel株50億ドル分を取得し、筆頭株主となることで合意した。IntelはNVIDIA向けにカスタムx86 CPUやGPU統合SoCを製造し、両社のAIとCPU技術を連携する。次世代コンピューティングの基盤構築を目指す。
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NVIDIAがIntelに50億米ドルを投資するとともに、カスタムデータセンターおよびクライアント向けCPUを共同開発すると発表した。
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EE Times Europeの独占インタビューで、CEA-LetiおよびSTMicroelectronicsが、エッジAIの普及／進化において重要な「メモリの壁」を突破するために進めている研究の最新状況ついて語った。
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SK hynixが量産用の高NA（開口数） EUV（極端紫外線）露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」を韓国・利川市のファブ「M16」に導入した。
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ロームは、ゾーンECU向けハイサイドIPD「BV1HBxxx」シリーズを6品種で製品化した。容量負荷駆動能力が高く、ゾーンECUと出力負荷の接続部での用途に最適。月産20万個体制で量産を開始している。
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日産自動車は、全固体電池の正極電極のプロセス技術開発に関するパートナーシップを米LiCAPと締結した。高性能かつ高コスト効率な全固体電池の開発を目指す。
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複数の市場調査によると、今後10年以内に、米国が高性能半導体チップの生産能力を約1.3倍に増強する一方、中国は成熟ノードの能力を拡大し、世界ファウンドリー市場シェアでトップになる見込みだという。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。
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トランプ政権による関税政策は、米国内の産業強化には逆効果であることが明らかになってきた。米国企業や米国民の負担を増加させ、同盟国を遠ざけている。そして中国の勢いを削るどころか、むしろ中国のテクノナショナリズム的野望を強める手助けをしている。
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ソフトバンクグループは、Intelに20億米ドルを出資し、同社の普通株式を取得する契約を締結したことを発表した。両社が米国における先端技術および半導体イノベーションへの投資を一層強化しているなかで行われるものであると説明している。
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Intelは2025年7月24日（米国時間）、2025年第2四半期業績を発表した。多くのニュースが伝えられた中で特に関心を集めたのは、ファウンドリー事業と高コストな「18A」プロセスだった。
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Samsung Electronicsが、Teslaと165億米ドルの契約を締結した。Teslaの次世代AIチップ「AI6」を、立ち上げが遅れている米国テキサス州のテイラー工場で製造する。この契約は、苦境にあるSamsung Electronicsにとって「回復に向けた一歩」になるのか。
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ロームは、自動車のゾーンECUに向けたハイサイドIPD（Intelligent Power Device）「BV1HBxxxシリーズ」を開発、量産を始めた。オン抵抗が異なる6種類の製品を用意した。いずれも車載信頼性規格「AEC-Q100」に準拠している。
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今後、着実な成長が見込まれているチップレット市場。本稿では、チップレット集積について「基礎の基礎」をお伝えする。
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三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。
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SEMIによれば、2025年の半導体製造装置（新品）市場は、前年比7.4％増の1255億米ドルに達する見通しとなった。AI用半導体デバイスの需要拡大などにより、半導体製造装置市場は続伸。2026年の売上高も過去最高の1381億米ドルになると予測した。
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現在の車載ネットワークのアーキテクチャは拡張性が不足し、持続可能ではなくなる。オンセミは、こうした状況において集中型で一元的な通信ネットワークが不可欠だと訴える。
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浮き沈みの激しい日本半導体の中で、成長エンジンとして期待されていたパワー半導体分野に暗雲が立ち込めている。ルネサス エレクトロニクスが協業するパワー半導体向けのSiCウェハを製造するWolfspeedがChapter 11を申請してしまうなど、暗いニュースが続いている。TSMCもパワー半導体向けのGaNファウンドリ事業から撤退することを明らかにしている。パワー半導体についてのこうした残念なニュースの背景について解説する。
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2025年4月にRapidusの最高技術責任者（CTO）に就任した石丸一成氏が、日本における先端ロジック半導体製造の復活に向けた技術戦略を明かす。RUMS構想（※1）による前後工程の統合、人材育成体制の整備、設計支援ツール「Raads」の開発（※2）など、次世代ファウンドリモデルの実現に向けた取り組みとその展望を語る。
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富士フイルムは、先端半導体の製造プロセス向け環境配慮型材料として、有機フッ素化合物（PFAS）不使用のネガ型ArF液浸レジストを開発した。
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GlobalFoundries（GF）がMIPSを買収する。MIPSは過去にも何度か買収を経験してきた企業だ。今回のGFによる買収をどう考えているのか。米国EE TimesがMIPS CEOのSameer Wasson氏に聞いた。
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レゾナックとPulseForgeは、次世代半導体パッケージ向け光剥離プロセスに関し提携した。レゾナックの仮固定フィルムとPulseForgeの光照射システムを組み合わせることで、半導体パッケージの製造プロセスにおける、歩留まりと生産性のさらなる向上を実現していく。
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高エネルギー加速器研究機構（KEK）は、エネルギー回収型線形加速器（ERL）と自由電子レーザー（FEL）を組み合わせた「次世代EUV（極端紫外線）露光技術」の開発を始めた。既存のEUV光源に比べ消費電力を10分の1に低減でき、「beyond EUV」と呼ばれる短波長化も比較的容易だという。
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パナソニックHD MI本部 生産技術研究所 材料プロセス技術開発部 有機材料技術課 課長の豊田慶氏に、kinariの特徴やリサイクルシステム、展開事例、最近の取り組み、今後の展開について聞いた。
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レゾナックは、PulseForgeと次世代半導体パッケージ向け光剥離プロセスに関する戦略的提携に合意したと発表した。
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Texas Instrumentsは2025年6月18日（米国時間）、米国テキサス州の2カ所とユタ州の1カ所での工場建設に600億米ドルを投資すると発表した。同社は、AppleやFord Motor、Medtronic、NVIDIA、SpaceXなどの顧客企業のほか、米国商務長官のHoward Lutnick氏からの支援も得ている。
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Samsung Semiconductorは7月9日のGalaxy Unpacked前に、新たなフラグシップモバイルSoC「Exynos 2500」を発表した。3nm GAAプロセスで製造され、NPUは先代比39％向上し、AMD協力のGPUでゲーム体験も向上する。最大320MPカメラや8Kビデオに対応し、NTN機能も搭載する。
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大電力を供給できるUSB PD（Power Delivery）に対応したUSB Type-Cポートは、利便性の高さから自動車でも採用が進んでいる。だが、USB Type-C／USB PDは60Wや100W、240Wなどのさまざまな出力が存在する上、搭載ポート数の増加や各種スマートフォン向け充電規格への対応も不可欠で、USB Type-C／USB PDポートの設計には課題がある。MPSが提供するマイコン搭載のUSB PDコントローラーは、こうした課題を解決し、USB PDポートの設計に柔軟性を与えるものとなっている。
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東京エレクトロン（TEL）とimecは2025年6月、「戦略的パートナーシップ」を5年間延長することで合意した。2nm世代以降の半導体デバイス開発に必要となる技術を新たに共同研究していく。
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イメージセンサー市場において「勝ち切る」と目標を掲げ、技術力強化と成長投資を進めるソニーセミコンダクタソリューションズ。今回、同社社長、指田慎二氏ら幹部らが市場の見通しや事業戦略などを語った。
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