最新記事一覧
TSMCは熊本県に建設を進めている熊本第2工場において、3nmプロセスを導入すると表明した。2026年2月5日、同社会長兼CEOであるC.C.Wei氏が日本の総理大臣官邸を訪問し高市早苗首相に伝えた。
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大阪公立大学は、レアメタルに依存しない製造プロセスで、シリコーン硬化に適した鉄触媒の開発と製品化に成功した。実際の製造環境と同じ空気中でも、問題なく硬化シリコーンを得られた。
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Texas Instruments（TI）が、Silicon Laboratories（Silicon Labs）を75億米ドルで買収すると発表した。無線接続やハードウェアセキュリティに特化したSilicon Labsの組み込みプロセッサを獲得することで、TIはIoTおよびエッジAI設計における存在感を高めるだろう。
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半導体の安全性と信頼性に大きく関わる半導体。そのトレーサビリティは、半導体の性能の進化に応じて、実情に見合う内容にアップデートされるべきものだ。今回は、半導体トレーサビリティの現状と課題、そして、半導体トレーサビリティがサプライチェーンのレジリエンス向上にどう影響するのかを3回にわたって解説する。
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2025年12月に開催された国際学会IEDMにおける、TSMCの講演を解説するシリーズ。今回は、アウトラインの第2項である「先進パッケージ技術の進化」を取り上げる。
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MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。
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次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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TSMCは2026年、生産能力拡大に向けて520億〜560億米ドル規模という記録的な設備投資を予定しているが、それでもAIチップ需要への対応には不十分とみられている。アナリストは、TSMCの競合企業が参入機会を得る可能性を指摘している。
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TSMCの2025年第4四半期（10〜12月）業績は、売上高が1兆460億9000万ニュー台湾ドル（337億3000万米ドル）で、前年同期比20.5％増、前四半期比5.7％増。純利益は5057億4000万ニュー台湾ドル（160億1000万米ドル）で、前年同期比35.0％増、前四半期比11.8％増だった。同社はまた、2026年、520億〜560億米ドルを設備投資に充てる計画も明かした。
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「CES 2026」では、メモリ大手3社が手掛ける広帯域メモリ（HBM）の最新技術「HBM4」に注目が集まった。長らくSK hynixに後れを取っていたSamsung Electronicsも巻き返しを図っている。
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フィンランドDONUT LABは「CES 2026」で量産車向けの全固体電池を公開した。2026年第1四半期から、Verge Motorcycleの電動バイク「Verge TS Pro」に搭載される。DONUT LABはフィンランドの工場で、全固体電池を年間1GWhの規模で生産する予定だ。
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富士通とScalewayは、欧州におけるサステナブルなAI活用環境の構築を目指して協業する。Armベースの次世代プロセッサ「FUJITSU-MONAKA」を活用し、AI推論処理における電力効率とデータ主権の両立を検証する。
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2025年もEV向け全固体電池やその材料の開発に向けてさまざまな取り組みが行われた。国内の自動車メーカーや素材メーカーなどの過去の取り組みを振り返りながら、2026年以降に全固体電池やその材料でどういったアプローチがとられるかを考察する。
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2025年にはAIが技術分野において大きな注目を集めたが、新年を迎え、本質的にAIブームとの関係が深い業界もその存在感を示しつつある。AIデータセンターで普及している広帯域メモリ（HBM）デバイスを手掛けるDRAMメーカーは、ファブの生産能力獲得に奔走していて、それが地政学的な緊張によってさらに困難な問題になってきている。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると2026年第1四半期（1〜3月）、従来型DRAMの契約価格は前四半期比55〜60％上昇する見込みだという。従来型DRAMは2025年第4四半期にも同45〜50％の上昇を見せていた。
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Intelは2026年1月5日（米国時間）、「CES 2026」においてIntel 18Aプロセス技術を初採用した「Intel Core Ultraシリーズ3プロセッサ」を正式発表した。
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ルネサス エレクトロニクスは、第5世代となるR-Car SoC向け開発プラットフォーム「R-Car Open Access（RoX）」の機能を拡充した。マルチドメイン対応の車載用SoC「R-Car X5H」の評価ボードとソフトウェア群「RoX Whitebox」を新たに用意し、提供を始めた。
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AIで使われる高性能コンピュータチップ市場を独占しているNVIDIA。最近は、AIの各方面でライバルが登場し、NVIDIAの地位に迫ろうとしている。
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STMicroelectronicsは、相変化メモリを内蔵し、18nm FD-SOI技術を採用した高性能マイコン「STM32V8」を発表した。工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高い機器にも幅広く対応できる。
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今なお工業材料の中心的な存在であり、幅広い用途で利用されている「鉄鋼材料」について一から解説する本連載。第5回は、鋼の高純度化／高清浄化技術について説明する。
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自動車の車体を一体成形する技術である「ギガキャスト」ついて解説する本連載。第3回は、ギガキャストに用いられる装置である超巨大ダイカスト成形機「ギガプレス」を実現した、イタリアのIDRAとFSAの取り組みについて解説する。
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STマイクロエレクトロニクスは、マイコン製品群「STM32」の新製品として「STM32V8シリーズ」を発表した。同社の最先端プロセスである18nm 完全空乏型シリコンオンインシュレーター（FD-SOI）プロセス技術を採用し、相変化メモリ（PCM）を内蔵したハイエンド製品で、要求の厳しい産業用途に適する。
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デクセリアルズは、「第16回 高機能フィルム展 FILMTECH JAPAN」で、「マイクロLEDチップ対応の粒子整列型異方性導電膜（ACF）」のシートタイプと個片タイプや「低誘電特性を持つ熱硬化接着フィルム」などの開発品を紹介した。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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富士フイルムの半導体材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場（静岡県吉田町）内で建設が進められていた先端半導体材料の開発／評価用の新棟が完成し、2025年11月に稼働を開始した。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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インテルは2025年10月30日、プレスセミナーを開催し、Intel 18Aプロセス技術を採用したクライアント向けSoC「Panther Lake」の紹介やロードマップの解説などを行った。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。
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欧州のAIチップの新興企業であるEuclydは、トークン当たりのコストを低く抑えられるハードウェアアーキテクチャを披露した。同社のチップ「Craftwerk」は、16384個のSIMDプロセッサを搭載し、最大8PFLOPS（FP16）または32PFLOPS（FP4）を実現する。NVIDIAやCerebras Systemsをはるかに上回る、2万トークン/秒を実行できるとする。
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Intelの財務状況の悪化で、欧州に予定していた工場建設は中止となった。それでもなお、ドイツではTSMCが支援するESMCやGlobalFoundriesの拠点拡大計画は進行しているが、いずれも最先端ノードを製造するものではない。欧州では、最先端半導体工場を追い求めるべきか、議論が分かれている。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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半導体製造プロセスにおいて、次世代ノードへの移行は「価格高騰」を意味するようになりつつある。TSMCは、5nm世代未満の先端ノードの価格を2026年から5〜10％上げる予定だという。顧客各社はどのような反応を示しているのだろうか。
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生成AIの普及でデータ量が爆発的に増える中、AIデータセンターではストレージの重要性が増している。キオクシアは次世代「BiCS FLASH」をベースに、大容量や広帯域光SSD、1億IOPSのSSDなど、新しいAIストレージ基盤を見据えた革新技術を次々に提案している。
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300mmファブ装置に対する世界投資額が2025年に初めて1000億米ドル台に達し、2026年から2028年までの3年間で総額3740億米ドルに達するという予測をSEMIが発表した。「AIチップの需要増」や「主要地域における半導体の自給率向上に向けた取り組み」などが設備投資に弾みをつける。
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Appleが日本にも研究開発拠点を設けていることをご存じだろうか。その拠点に、iPhoneにパーツを供給するサプライヤー4社の首脳が集まり、ティム・クックCEOに自社の技術を紹介する機会があったので、その模様をお伝えする。
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NVIDIAが2025年9月18日（米国時間）、Intelに50億米ドルを出資し、NVIDIAのNVLinkを使って両社のアーキテクチャを接続したスーパーチップを共同開発すると発表したことから、業界はそのニュースでもちきりとなった。こうした動きにより両社は、データセンターとPCの両分野において、次世代AIコンピューティングを支配していきたい考えのようだ。
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NVIDIAがIntel株50億ドル分を取得し、筆頭株主となることで合意した。IntelはNVIDIA向けにカスタムx86 CPUやGPU統合SoCを製造し、両社のAIとCPU技術を連携する。次世代コンピューティングの基盤構築を目指す。
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NVIDIAがIntelに50億米ドルを投資するとともに、カスタムデータセンターおよびクライアント向けCPUを共同開発すると発表した。
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EE Times Europeの独占インタビューで、CEA-LetiおよびSTMicroelectronicsが、エッジAIの普及／進化において重要な「メモリの壁」を突破するために進めている研究の最新状況ついて語った。
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SK hynixが量産用の高NA（開口数） EUV（極端紫外線）露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」を韓国・利川市のファブ「M16」に導入した。
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ロームは、ゾーンECU向けハイサイドIPD「BV1HBxxx」シリーズを6品種で製品化した。容量負荷駆動能力が高く、ゾーンECUと出力負荷の接続部での用途に最適。月産20万個体制で量産を開始している。
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日産自動車は、全固体電池の正極電極のプロセス技術開発に関するパートナーシップを米LiCAPと締結した。高性能かつ高コスト効率な全固体電池の開発を目指す。
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複数の市場調査によると、今後10年以内に、米国が高性能半導体チップの生産能力を約1.3倍に増強する一方、中国は成熟ノードの能力を拡大し、世界ファウンドリー市場シェアでトップになる見込みだという。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。
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トランプ政権による関税政策は、米国内の産業強化には逆効果であることが明らかになってきた。米国企業や米国民の負担を増加させ、同盟国を遠ざけている。そして中国の勢いを削るどころか、むしろ中国のテクノナショナリズム的野望を強める手助けをしている。
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ソフトバンクグループは、Intelに20億米ドルを出資し、同社の普通株式を取得する契約を締結したことを発表した。両社が米国における先端技術および半導体イノベーションへの投資を一層強化しているなかで行われるものであると説明している。
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