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Appleが、米国での生産を強化する投資計画の一環で、TDKやBoschら4社と新たに提携したと発表した。この提携に関し2030年までに4億米ドル（約640億円）を投じる計画だ。TDKはiPhone向けのトンネル磁気抵抗（TMR）センサーを初めて米国で生産するという。
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長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。
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Armは2026年3月24日（英国時間）、同社初の自社開発チップとなるAIデータセンター向けCPU「Arm AGI CPU」を発表した。エージェント型AIワークロードの増大に対応するために設計されたもので、MetaやOpenAIなどの顧客に供給する。
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イーロン・マスク氏は、次世代半導体工場「Terafab」の構想を発表した。テキサス州に建設予定の同施設は、2nmプロセスを採用し、ロジックからパッケージングまでを統合する。製造されたチップは人型ロボットや自動運転、AI衛星に活用され、将来的には計算リソースの大部分を宇宙へ配置する計画だ。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、3月8日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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太陽ホールディングスは、同社の次世代半導体パッケージング用材料「FPIMシリーズ」を用いて12インチウエハー上でクリティカルディメンション（CD）1.6μmの3層再配線層（RDL）形成に成功したとして、imecとの共著論文を発表した。FPIMシリーズの研究開発を率いる緒方寿幸氏に、同材料の特性や研究の成果、今後の研究開発での目標について聞いた。
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キヤノンと日本シノプシスは2026年3月3日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の公募事業に採択された次世代半導体の設計技術開発プロジェクトに参画すると発表した。両社はRapidusの2nm GAA（Gate All Around）プロセスを活用する。
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Intelの日本法人であるインテルは2026年2月、最新AI PCを紹介するイベント「Intel Connection Japan 2026」を開催し、AI PC向けプロセッサやエンタープライズ向けAI製品の展開について紹介した。
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ロームは2026年2月26日、TSMCと窒化ガリウム（GaN）技術のライセンス契約を締結し、GaNパワーデバイスの一貫生産体制をグループ内で構築すると発表した。TSMCのGaNファウンドリー事業撤退を受けてのことで、2027年中の生産体制構築を目指す。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けているという。中国のプレイヤーは本当に欧米の競合に付いていけるのだろうか。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けていると報じられた。だが、この措置で中国は本当に国内WFE産業を加速できるのか。
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ルネサス エレクトロニクスは、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries（GF）と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大する。
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コロナ禍以降、さまざまに移ろう世界情勢の中で、IT企業はどのようなかじ取りをしていくのだろうか。大河原克行さんによるインタビュー連載の第22回は、インテルの大野誠さんだ。
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キオクシアホールディングスは、2025年度通期の売上高が2兆1798億〜2兆2698億円、Non-GAAP営業利益が7170億〜8070億円、Non-GAAP当期純利益が4597億〜5197億円と増収増益になり、2期連続で過去最高になる見通しだと発表した。
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TrendForceによると、AIブームによる需要増および供給制約と価格上昇を背景に、2026年のメモリ市場の市場規模は前年比134％増の5516億米ドルに達し、ファウンドリー市場の2倍以上になる見込みだという。
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TSMCは熊本県に建設を進めている熊本第2工場において、3nmプロセスを導入すると表明した。2026年2月5日、同社会長兼CEOであるC.C.Wei氏が日本の総理大臣官邸を訪問し高市早苗首相に伝えた。
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大阪公立大学は、レアメタルに依存しない製造プロセスで、シリコーン硬化に適した鉄触媒の開発と製品化に成功した。実際の製造環境と同じ空気中でも、問題なく硬化シリコーンを得られた。
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Texas Instruments（TI）が、Silicon Laboratories（Silicon Labs）を75億米ドルで買収すると発表した。無線接続やハードウェアセキュリティに特化したSilicon Labsの組み込みプロセッサを獲得することで、TIはIoTおよびエッジAI設計における存在感を高めるだろう。
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半導体の安全性と信頼性に大きく関わる半導体。そのトレーサビリティは、半導体の性能の進化に応じて、実情に見合う内容にアップデートされるべきものだ。今回は、半導体トレーサビリティの現状と課題、そして、半導体トレーサビリティがサプライチェーンのレジリエンス向上にどう影響するのかを3回にわたって解説する。
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2025年12月に開催された国際学会IEDMにおける、TSMCの講演を解説するシリーズ。今回は、アウトラインの第2項である「先進パッケージ技術の進化」を取り上げる。
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MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。
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次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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TSMCは2026年、生産能力拡大に向けて520億〜560億米ドル規模という記録的な設備投資を予定しているが、それでもAIチップ需要への対応には不十分とみられている。アナリストは、TSMCの競合企業が参入機会を得る可能性を指摘している。
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TSMCの2025年第4四半期（10〜12月）業績は、売上高が1兆460億9000万ニュー台湾ドル（337億3000万米ドル）で、前年同期比20.5％増、前四半期比5.7％増。純利益は5057億4000万ニュー台湾ドル（160億1000万米ドル）で、前年同期比35.0％増、前四半期比11.8％増だった。同社はまた、2026年、520億〜560億米ドルを設備投資に充てる計画も明かした。
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「CES 2026」では、メモリ大手3社が手掛ける広帯域メモリ（HBM）の最新技術「HBM4」に注目が集まった。長らくSK hynixに後れを取っていたSamsung Electronicsも巻き返しを図っている。
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フィンランドDONUT LABは「CES 2026」で量産車向けの全固体電池を公開した。2026年第1四半期から、Verge Motorcycleの電動バイク「Verge TS Pro」に搭載される。DONUT LABはフィンランドの工場で、全固体電池を年間1GWhの規模で生産する予定だ。
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富士通とScalewayは、欧州におけるサステナブルなAI活用環境の構築を目指して協業する。Armベースの次世代プロセッサ「FUJITSU-MONAKA」を活用し、AI推論処理における電力効率とデータ主権の両立を検証する。
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2025年もEV向け全固体電池やその材料の開発に向けてさまざまな取り組みが行われた。国内の自動車メーカーや素材メーカーなどの過去の取り組みを振り返りながら、2026年以降に全固体電池やその材料でどういったアプローチがとられるかを考察する。
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2025年にはAIが技術分野において大きな注目を集めたが、新年を迎え、本質的にAIブームとの関係が深い業界もその存在感を示しつつある。AIデータセンターで普及している広帯域メモリ（HBM）デバイスを手掛けるDRAMメーカーは、ファブの生産能力獲得に奔走していて、それが地政学的な緊張によってさらに困難な問題になってきている。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると2026年第1四半期（1〜3月）、従来型DRAMの契約価格は前四半期比55〜60％上昇する見込みだという。従来型DRAMは2025年第4四半期にも同45〜50％の上昇を見せていた。
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Intelは2026年1月5日（米国時間）、「CES 2026」においてIntel 18Aプロセス技術を初採用した「Intel Core Ultraシリーズ3プロセッサ」を正式発表した。
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ルネサス エレクトロニクスは、第5世代となるR-Car SoC向け開発プラットフォーム「R-Car Open Access（RoX）」の機能を拡充した。マルチドメイン対応の車載用SoC「R-Car X5H」の評価ボードとソフトウェア群「RoX Whitebox」を新たに用意し、提供を始めた。
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AIで使われる高性能コンピュータチップ市場を独占しているNVIDIA。最近は、AIの各方面でライバルが登場し、NVIDIAの地位に迫ろうとしている。
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STMicroelectronicsは、相変化メモリを内蔵し、18nm FD-SOI技術を採用した高性能マイコン「STM32V8」を発表した。工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高い機器にも幅広く対応できる。
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今なお工業材料の中心的な存在であり、幅広い用途で利用されている「鉄鋼材料」について一から解説する本連載。第5回は、鋼の高純度化／高清浄化技術について説明する。
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自動車の車体を一体成形する技術である「ギガキャスト」ついて解説する本連載。第3回は、ギガキャストに用いられる装置である超巨大ダイカスト成形機「ギガプレス」を実現した、イタリアのIDRAとFSAの取り組みについて解説する。
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STマイクロエレクトロニクスは、マイコン製品群「STM32」の新製品として「STM32V8シリーズ」を発表した。同社の最先端プロセスである18nm 完全空乏型シリコンオンインシュレーター（FD-SOI）プロセス技術を採用し、相変化メモリ（PCM）を内蔵したハイエンド製品で、要求の厳しい産業用途に適する。
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デクセリアルズは、「第16回 高機能フィルム展 FILMTECH JAPAN」で、「マイクロLEDチップ対応の粒子整列型異方性導電膜（ACF）」のシートタイプと個片タイプや「低誘電特性を持つ熱硬化接着フィルム」などの開発品を紹介した。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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富士フイルムの半導体材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場（静岡県吉田町）内で建設が進められていた先端半導体材料の開発／評価用の新棟が完成し、2025年11月に稼働を開始した。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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インテルは2025年10月30日、プレスセミナーを開催し、Intel 18Aプロセス技術を採用したクライアント向けSoC「Panther Lake」の紹介やロードマップの解説などを行った。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。
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欧州のAIチップの新興企業であるEuclydは、トークン当たりのコストを低く抑えられるハードウェアアーキテクチャを披露した。同社のチップ「Craftwerk」は、16384個のSIMDプロセッサを搭載し、最大8PFLOPS（FP16）または32PFLOPS（FP4）を実現する。NVIDIAやCerebras Systemsをはるかに上回る、2万トークン/秒を実行できるとする。
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Intelの財務状況の悪化で、欧州に予定していた工場建設は中止となった。それでもなお、ドイツではTSMCが支援するESMCやGlobalFoundriesの拠点拡大計画は進行しているが、いずれも最先端ノードを製造するものではない。欧州では、最先端半導体工場を追い求めるべきか、議論が分かれている。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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