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「組み込み開発ニュース」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5〜20%の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。

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東武鉄道と日立製作所は、両社が共同開発する生体認証を活用したデジタルアイデンティティーの共通プラットフォームを採用する初の事例として、東武ストアの越谷店に指静脈認証によるクレジットカード決済が可能なセルフレジを導入し、報道陣に公開した。

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NTTは、「IOWN(アイオン)」として推進する光電融合技術を採用した半導体開発について、「NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の採択を受けたと発表した。今後、政府の支援などを受けながら、光電融合デバイスの早期実現を目指していく。

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日本シーゲイトが、HDDの記憶容量密度を大幅に向上させる新技術「Mozaic 3+」について説明。これまで開発を続けてきたHAMR技術と記録層となるプラッタ上に作り込んだ超格子鉄プラチナ合金メディアを組み合わせることで、従来技術であるPMR技術の限界を打ち破り、1プラッタ当たり3TB以上という記録容量密度を実現した。

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