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「Infineon Technologies」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。

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Infineon Technologiesの日本法人であるインフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2025年9月30日、日本の顧客向けに「RISC-Vマイコンと車載アプリケーションの未来:インフィニオンのビジョンとエコシステムの構築」と題したセミナーイベントを開催。自動車メーカーやティア1メーカーなどの関係者が集まった。

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自動車のステアリングホイール(ハンドル)と、タイヤを動かす転舵ユニットを電気信号で結ぶステアバイワイヤ。ステアリングシャフトがなくなる次世代の機構は、エンジンルームの設計やハンドルの操舵感などに多くのメリットをもたらす一方で、安全性確保のための冗長設計には新たな要求を突きつける。半導体デバイスの豊富なラインアップと製品拡充によって、この要求に応えようとしているのがインフィニオン テクノロジーズだ。

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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。

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エネルギー損失が少ない送電/配電網として、注目度が高まっている直流(DC)グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素(SiC)JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。

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Infineon Technologiesによる、Marvell Technologyの車載イーサネット事業の買収が完了した。買収額は25億米ドルだ。Infineonは「今回の買収によってソフトウェア定義車向けのシステム能力を増強し、車載アプリケーション向けのマイクロコントローラー分野での主導的地位をさらに拡大する」と述べている。

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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格/高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装/上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。

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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40%削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。

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AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性/信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。

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インフィニオン テクノロジーズは、AI対応マイコンや高精度セルバランシングICなどを活用し、BMS(バッテリーマネジメントシステム)の進化を推進する。車載電池の安全性・性能向上に向け総合力で次世代EVの要件に対応するトータルソリューションを提供する。

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「第9回 AI・人工知能EXPO【春】」の「小さく始めるAIパビリオン」に、AIスタートアップのエイシング、インフィニオン、STマイクロ、NXP、ヌヴォトン テクノロジー、ルネサスが出展し、マイコンをはじめ省電力のプロセッサを用いたAI活用に関する展示を披露した。

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 Infineon Technologiesが、「世界初」(同社)となる、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ「CoolGaN Transistors G5」ファミリーを開発した。デッドタイム損失を低減することで電力システムの性能を向上し、システム全体の高効率化を進めると同時に、パワーステージ設計簡素化による部品表(BOM)コスト低減も実現するとしている。

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