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「Infineon Technologies」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。

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市場調査会社のTrendForceはSiCパワーデバイス市場についての調査を発表した。それによると、2023年の市場シェアはSTMicroelectronicsが32.6%を占めて首位となり、onsemiは23.6%で前年の4位から2位に浮上した。続くInfineon Technologies、Wolfspeed、ロームを含めた上位5社が総売上高の91.9%を占めていたという。

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インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5〜20%の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。

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電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)に欠かせないオンボードチャージャー(OBC)。コスト低減や高電圧対応などさまざまな面で進化が必要なOBCだが、特に電力密度の向上、すなわちOBCの小型化が強く求められている。インフィニオン テクノロジーズは2028年ごろに求められるとされる電力密度10kW/Lを実現するOBCリファレンスデザインを開発した。どのような技術で電力密度を向上させたのだろうか。

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Infineon Technologiesは2024年2月27日(ドイツ時間)、車載および産業向けのSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」(同社)とするRDS(on)× Qfrおよび高いRDS(on) × Qoss性能指数を実現し、システムの効率化やコスト削減に貢献する。

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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、同社製のGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを採用したオムロン ソーシアルソリューションズのマルチV2X(Vehicle to X)充電システムや、GaN/SiCパワーデバイスを搭載したOBC(オンボードチャージャー)などの幅広い製品群を展示した。

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Robert BoschやInfineon Technologies、NXP Semiconductors、Nordic Semiconductor、Qualcomm Technologiesら半導体大手の計5社が共同出資するRISC-Vベースのプロセッサ開発の新会社Quintaurisが2023年12月22日(ドイツ時間)、正式に設立された。まずは車載向けをターゲットとし、最終的にはモバイルやIoT(モノのインターネット)向けにも拡大していく方針だ。

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先進運転支援システム(ADAS)/自動運転システムが高度化する中で、演算能力が高いデバイスに注目が集まり、CPU/GPUを応用したSoC(システムオンチップ)の登場が相次いでいる。ただ、人の命に関わる運転を実現するには演算能力以上に重要なことがある。そこで、自動運転時代に向けて演算能力以上に重要な役割を果たすために開発されたマイコンを紹介したい。

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