最新記事一覧
TSMCは2024年第1四半期（1〜3月期）の決算を発表した。売上高は前年同期比16.5％増の5926億4000万ニュー台湾ドル、純利益は同8.9％増の2254億9000万ニュー台湾ドルで、増収増益だった。
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Intelは2024年4月19日（米国時間）、高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置のプロトタイプ「TWINSCAN EXE:5000」の組み立てを完了したと発表した。装置は、米国オレゴン州ヒルズボロの「Fab D1X」に設置されていて、「Intelの将来のプロセスロードマップの生産に向けて現在、校正段階に入っている」という。
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Intelが高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置のプロトタイプ「TWINSCAN EXE:5000」の組み立てを完了し、その設置の様子や装置の概要、EUVリソグラフィの仕組みなどを説明する動画を公開した。
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ASMLは、2024年第1四半期（1〜3月）の業績を発表した。売上高は52億9000万ユーロ、純利益は12億2400万ユーロで、いずれも前年同期比で減少した。
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ニコンは損傷や摩耗したワークの補修を主な目的としたDED方式の金属3Dプリンタ「Lasermeister LM300A」および3Dスキャナー「Lasermeister SB100」を発売することを発表した。
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【台北＝矢板明夫】台湾東部沖を震源とする3日の地震で、台湾各地に生産拠点を持つ半導体受託生産の世界最大手、台湾積体電路製造（TSMC）は工場設備の復旧率が8割を超えたことを明らかにした。最先端品である回路線幅3ナノメートル（ナノは10億分の1）相当の半導体を生産する南部・台南の工場は同日夜までに完全復旧する見通しだと説明した。
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DNPは、半導体製造の最先端プロセスのEUV（Extreme Ultra-Violet、極端紫外線）リソグラフィに対応した、2ナノメートル（nm：10-9m）世代のロジック半導体向けフォトマスク製造プロセスの開発を本格的に開始したと発表した。
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大日本印刷（DNP）は、EUV（極端紫外線）リソグラフィに対応する、2nm世代のロジック半導体向けフォトマスク製造プロセスの開発を本格的に始めた。2025年度までに開発を終えて、2027年度には量産を始める予定。
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富士キメラ総研は、先端／注目半導体デバイスなどの世界市場を調査し、2029年までの予測を発表した。先端／注目半導体デバイス15品目の世界市場は、2023年見込みの40兆2187億円に対し、2029年は59兆7292億円規模に達すると予測した。
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米ジョージア工科大学と中国天津大学の研究チームは、グラフェンを用いた機能性半導体の作成に成功したと発表した。SiCの結晶面で成長する単層のグラフェン（エピタキシャルグラフェン）を用いたものだ。
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合計約2000ページというボリュームの文書に、2棟のファブを有する構築予定の拠点の姿が詳細に記載されています。
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Intelが、半導体の受託生産（ファウンドリー）サービスに関するイベントを開催した。その中で、
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現在、EUV（極端紫外線）露光装置の唯一のサプライヤーであるオランダASMLの売上高が「絶好調」だ。本稿では、ASMLの過去3年間の売上高を分析し、ASMLの成長の変曲点を特定する。さらに、今後のASMLの成長を展望する。
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半導体製造の歩留まり向上に貢献する、ベベル成膜技術とベベルエッチング技術について解説する。
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写真や数値で示されるその規模に圧倒されました。
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今回は、米国による中国に対する規制（対中規制）について、これまでの経緯を踏まえながら、実際に行われている内容を整理し、今後の見通しについて考えてみたい。
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物議を醸した『事前情報』通りの発表となりました。
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ウシオ電機とApplied Materialsは2023年12月、戦略的パートナーシップの締結を発表した。両社が「DLT（Digital Lithography Technology）」と呼ぶ、半導体パッケージ基板向けの新しいダイレクト露光装置を早期に市場に投入し、大型化や配線の微細化など半導体パッケージ基板への要求に応えることを目指す。
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IntelとUMCが12nmプロセスの開発／製造で戦略的提携を発表した。両社はこの協業によって何を得るのだろうか。本稿では、この半導体製造パートナーシップの動機について掘り下げていく。
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オーク製作所は、「第38回ネプコンジャパン」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）の構成展である「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」に出展し、φ10μm以下のビア形成が可能なエキシマレーザー加工装置や、開発中の解像性2μm以下のダイレクト露光装置などを紹介した。
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ASMLの2023年通期業績は、売上高が前年比30％増の276億ユーロ、純利益が同39％増の78億ユーロ、粗利益率は51.3％だった。また、受注残は390億ユーロとなった。
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Rapidusが北海道千歳市に千歳事務所を開設した。北海道における窓口として、地元企業との面談や総務／採用関連の業務を行っていく。
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「AI Everywhere」を掲げ、生成AIに代表されるAIの利活用を支援するさまざまなソリューションを展開するのがインテルだ。2023年12月に記者会見を開き、新たに提供を開始した「第5世代インテル Xeonスケーラブルプロセッサ」をはじめとする製品群や、今後のロードマップを明らかにした。
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日立ハイテクは、高精度電子線計測システム「GT2000」を発売した。High-NA EUV露光向けに低ダメージ高精度計測機能、超高速多点計測機能を搭載したほか、測長値差の極小化を図っている。
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TSMCは2023年12月に開催された「IEDM 2023」で、半導体製造プロセスのロードマップについて言及した。同社は2030年までに、1nm世代での製造を開始する予定で、それまでに技術面や財務面での課題を解決できると自信を見せた。
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「More than Moore」を進める技術の一つとされる先進パッケージングの開発が加速している。本稿では、Intel、TSMC、Samsung Electronicsのパッケージング技術動向を解説する。
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大日本印刷は、3nmに相当する、極端紫外線リソグラフィ向けのフォトマスク製造プロセスを開発した。2024年下期には、マルチ電子ビームマスク描画装置を増設し、稼働を開始する見込みだ。
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ASMLは2023年12月22日、初の高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置をIntelに出荷すると発表した。開口数（NA）が0.55の高NA EUV露光装置のプロトタイプ「Twinscan EXE:5000」とみられる。
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本稿では、2023年後半となる7〜12月の出来事を、EE Times Japanの記事とともに振り返る。
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アプライド マテリアルズ（AMAT）とウシオ電機が、3Dパッケージ基板向けのリソグラフィ技術「DLT（Digital Lithography Technology）」について説明した。
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imecや経済産業省など、Rapidusの支援を公言する組織／企業は多い。さらに、米TenstorrentやフランスLetiなど、Rapidusとパートナーシップを締結する企業や機関も増えている。それはなぜなのか。2023年11月に開催された「ITF（imec Technology Forum） Japan」で見えてきたその理由と、Rapidusにとっての「成功の定義」をあらためて考えてみたい。
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ASMLとSamsung Electronicsが、次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR＆D（研究開発）ファブを韓国に設立するMoU（協業覚書）を締結した。両社は、ファブ設立に向け1兆ウォン（約7億7500万米ドル）を共同出資する。
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大日本印刷（DNP）は、3nm相当のEUV（極端紫外線）リソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスを開発した。DNPは今後も、imecとの共同開発などを通じて、2nm以降のプロセス開発などに取り組んでいく。
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2023年12月13〜15日の3日間にわたり開催される「SEMICON Japan 2023」。開幕を前に、SEMIジャパン代表取締役の浜島雅彦氏に、今回の注目ポイントや、半導体製造装置業界の動向を聞いた。
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Huaweiのフラグシップスマートフォン「Mate 60」シリーズは、基本スペックの一部を非公開として発売しながらも、中国では話題の製品となり売れまくっているという。プロセッサの「Kirin 9000S」を安定供給ができるかが鍵となる。アジアや欧州で発売されれば、Huawei人気の復活もありうるかもしれない。
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「お金を出すだけ出して終わり」には、しないことが大切だと思います。
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業績の低迷が2023年第2四半期で底を打ち、第3四半期に回復に転じたTSMC。だが、ウエハー出荷数に焦点を当ててみると、ある“異変”が浮かび上がる。その異変を分析すると、TSMC熊本工場に対する拭い去れない懸念が生じてきた。
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3nmプロセス採用の「Mac」用自社製プロセッサの第3世代「M3」ファミリーが発表されたイベントでの、最大のサプライズでした。
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Appleがスペシャルイベントにおいて、新型Apple SiliconのM3ファミリーを発表、同時にMacBook ProとiMacの新モデルを投入した。
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キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。
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Intelが、米国オレゴン州ヒルズボロにある半導体技術開発施設を拡張する、大規模投資計画を発表した。投資額は明かしていないが、CHIPS法からの支援を条件とし、「当社が米国の他拠点で行っている投資に匹敵するものだ」としている。
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キヤノンはナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を活用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。従来の投影露光装置に比べて製造コストや消費電力の削減に貢献する。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、アイルランドのFab34で量産が始まったEUV採用のIntel 4について紹介する。
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キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。
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イスラエルにはIntelやTower Semiconductor、IBM、Apple、ソニーグループなど約500社の多国籍企業が研究開発センターや生産拠点を置いている。イスラエルとハマスの紛争は、半導体／エレクトロニクス業界にも影響を与えている。
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東北大学は、光の第2高調波発生強度を最も強くする、ヤヌス型2次元物質の積層構造を検証した。広く存在する元素から高強度のSHGを発生できる物質の設計、探索に寄与する研究成果だ。
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Intelは2023年9月29日（アイルランド時間）、アイルランドの新工場を正式に開設し、同社として初めてEUV（極端紫外線）リソグラフィー技術を使用する最先端プロセス「Intel 4」での半導体の量産を開始したと発表した。
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中国のSMICは、今後数年以内に5nm以下の微細プロセスによる半導体チップ製造を実現し、再び米国に対抗する可能性があるという。業界観測筋が米国EE Timesに語った。
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Huaweiの新しいスマートフォン「Mate 60 Pro」は、衛星通信に対応するなど、意欲的なものとなっている。カナダの調査会社が、この「Mate 60 Pro」を分解、中国国内で製造した「Kirin 9000s」というプロセッサを搭載していることを明らかにした。中国製造の「Kirin 9000s」が意味するところ、そしてその後の方向性について、筆者が想像たくましく考察してみた。
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Intelは、2023年9月19〜20日（米国時間）の2日間にわたり、デベロッパー向けカンファレンス「Intel Innovation 2023」を米国カリフォルニア州サンノゼで開催中だ。同社CEO（最高経営責任者）のPat Gelsinger氏が登壇した1日目の基調講演では、AI（人工知能）処理性能の向上を狙う新製品の詳細が多数、発表された。その中から、主に次期CPUを紹介する。
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