最新記事一覧
中国のメモリメーカー「CXMT」が、2026年内に新構造の最先端DRAMを投入すると発表した。既存の韓国勢を2年先行するアグレッシブな動きは、市場に衝撃を与え関連株価の下落を招いている。米国の輸出規制下で自前製造を進める中国の思惑と、過熱するAI投資バブルの限界をDRAM市場の動きから読み解く。
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ニコンによれば、新たに始めるデジタル露光装置の開発が、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）が進める「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（補助）」に採択された。
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GlobalFoundriesが、フィジカルAI向けの新世代FD-SOI技術「FDX Fusion」を発表した。同社はAI半導体の次なる巨大市場が、データセンターGPUを巡る競争とは大きく異なるものになると確信しているようだ。
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ニコンは、半導体アドバンストパッケージング向けに、解像度1.5μmのデジタル露光装置「DSP-110」を2027年4月に発売する。スループットを既存モデルから約40％向上させている。
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ニコンが先進パッケージング向けデジタル露光装置「DSP-110」を開発した。解像度は1.5μm（L/S：ライン／スペース）で、スループットは毎時72パネルと、2025年7月に発表した「DSP-100」から約40％向上した。2027年4月の発売を予定している。
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東京応化工業は、郡山工場（福島県郡山市）で、半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。
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東京応化工業は、郡山工場（福島県郡山市）に建設していた半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。2026年11月から稼働予定だ。
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TDKが、厚さ150nmのメタオプティクスミラーを用いたスマートグラス向け網膜直接描画（DRP）ディスプレイの実証に成功したと発表した。
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ASMLジャパンは設立25周年を記念する記者説明会を開催した。日本は世界の技術革新を支える重要市場であるとし、AI需要の拡大と半導体の微細化を見据え、2030年度に向け国内人員を700人規模へ増員し、サポート体制を強化する。
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Appleが同社初の折りたたみ式スマートフォン「iPhone Duo」を発表した一方で、Huaweiの三つ折りスマホ「Mate XT 2 Ultimate Design」が注目を集めている。Huaweiが2026年5月に提案した新法則「タウスケーリング」を適用した新型プロセッサが搭載されているからだ。
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半導体工場の誘致を目指す韓国・光州のフォーラムに参加した。しかし、誘致対象のSamsung ElectronicsとSK Hynixの姿はなく、政府の熱意と企業の姿勢には隔たりがうかがえた。半導体産業を巡る状況は対照的な日韓だが、「官」と「民」の意思のズレは共通する。両国の事例から、企業の実態と意思を踏まえた半導体戦略の必要性を考える。
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EE Times Japanは今回、半導体製造装置大手Lam Researchでウェット装置技術システム事業を統括するAaron Fellis氏にインタビューを実施。「AI時代の半導体製造」において、ウェット装置にはどのような役割が求められているのかなど詳細を聞いた。
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最先端半導体の微細化を支える極端紫外線（EUV）露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数（NA）0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。
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王子ホールディングスは、次世代半導体製造（A14世代）に向けた木質バイオマス由来のフォトレジストで、幅10nmの直線パターン形成に成功した。
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Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。
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キヤノンは、第8世代ガラス基板に対応するFPD露光装置「MPAsp-H1003H」向けのLED照明オプションを発売する。新設装置向けのオプションで、従来の水銀ランプをLED光源に置き換えられる。
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キヤノンは、第8世代ガラス基板に対応したFPD露光装置「MPAsp-H1003H」向けのLED照明オプションを発売する。照度向上と長寿命化により生産性を高め、大幅な低電力化を可能にする。
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AI需要を背景に半導体市場が拡大する一方、微細化や3次元（3D）積層化によって製造プロセスは複雑化している。京セラは、幅広い材料ラインアップと成形／加工技術を強みに、半導体製造装置向けファインセラミック部品を強化している。前工程に加え、中／後工程での用途開拓も進める。
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理化学研究所（理研）と宇都宮大学らによる国際共同研究グループは、波長2μmの固体レーザーとマルチレーザー照射法を組み合わせることで極端紫外線（EUV）光変換効率を40％も高めることに成功し、その有用性を実証した。EUV露光装置の省電力化につながるとみている。
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中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTCが、中国・上海証券取引所（STAR市場）でのIPO（新規株式公開）に向け準備を進めている。AI市場の急成長で、エンタープライズ向けSSDの需要が高まる中、YMTCは戦略の変更も迫られている。
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半導体の高性能化において重要性が増す後工程を中心に解説する本連載。第1回は、半導体製造全体の流れを概観し、後工程を理解するために必要な前工程の基礎知識を整理する。
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ADEKAは、極端紫外線（EUV）など先端半導体リソグラフィ工程に必要なレジスト用「光酸発生剤」の生産設備増強を発表した。千葉工場に約10億円を投じてラインを増設し、生産能力を従来の約2倍に引き上げる。
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ADEKAは先端フォトレジスト向け光酸発生剤（PAG）の生産増強を発表した。千葉工場（千葉県袖ケ浦市）の既存建屋内に生産ラインを増設する計画で、生産能力は約2倍になる見込みだ。
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ニコンは、従来機種から計測精度を約35％高めたアライメントステーション「Litho Booster 1000」を発売する。半導体の3D構造におけるボンディング工程で、高精度な重ね合わせ補正に寄与する。
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ニコンは、アライメントステーションの新製品「Litho Booster 1000」を2027年1月に発売する。半導体の3D構造におけるWafer to Wafer（W2W）ボンディング工程で、高精度な重ね合わせ補正に対応する。
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筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム（He）、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。
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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies（CXMT）が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。
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これが「AIバブル崩壊の始まり」と一言で片づけるのは早計だ。今回の値動きは、キオクシア固有の悪材料、世界的なメモリ株売り、そして需給要因という3つの力が重なって効いてきたことにある。
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ASMLは、2026年第2四半期の業績が当初の予想を上回ったことを受け、通期売上高見通しを430億〜450億ユーロ（約494億5000万〜517億5000万米ドル）に引き上げた。AIインフラや広帯域メモリ（HBM）、先端ロジック向けの需要拡大に対応し、2027年には極端紫外線（EUV）露光装置および深紫外線（DUV）液浸露光装置の生産能力を30％増強する。
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ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。
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Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。
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ADEKAが埼玉県久喜市で「半導体イノベーションセンター」を本格稼働させた。総工費約120億円を投じ、最新のクリーンルームや評価設備を集約。半導体材料事業を全社利益の40％を占めるコア事業へと引き上げ、2035年には同事業の営業利益を現在の2倍超へと拡大する。総合半導体材料メーカーへの飛躍を狙う同社の戦略と、新拠点の全貌に迫る。
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産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
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AIの強烈な追い風に吹かれ、メモリ市場が「大爆発」している。この「メモリバブル」はいつまで続くのか。メモリ市場の歴史とともに考えてみたい。併せて、超好況のいまだからこそやっておきたい「不況への備え」を提言する。
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ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
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「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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GlobalFoundries（GF）とQualinxは、GNSS（全球測位衛星システム） SoC（System on Chip）を欧州内の製造フローで完成させた。機密性の高い設計データやマスク、ウエハーを欧州の管理下に置く取り組みで、半導体主権の具体的な一歩といえる。しかし、EDAや材料などには課題が残る。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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IBMが、「世界初」（同社）となる1nm未満（0.7nm）世代の半導体プロセス技術を発表した。IBMのパートナー企業による初期生産は5年後を見込んでいる。
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ニコンは、アドバンストパッケージング向けデジタル露光装置のラインアップを拡充する。解像度1.5μm（L/S）の製品を開発中で、2027年度内の発売を予定する。
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ウシオ電機は「JPCA Show」（2026年6月10〜12日、東京ビッグサイト）で、半導体アドバンストパッケージ向けのステッパー露光装置「UX-59113」の概要を展示した。L/S 1.5μmの解像度で、100mm角以上の大面積を1ショットで露光できる。後工程の自動化を見据え、基板自動搬送装置（EFEM）や無人搬送車（AGV）に対応していることも特徴だ。
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ニコンは、半導体後工程のアドバンストパッケージング向けに、解像度1.5μmのデジタル露光装置を開発中だと発表した。510×515mm基板の場合におけるスループットにおいて、従来品から30％以上の向上となる1時間当たり65枚以上を目標とする。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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Huaweiが独自のスケーリング則「τ（タウ）スケーリング」を発表した。極端紫外線（EUV）露光技術における、米国の対中輸出規制に対し、中国がどのような取り組みを行ってきたのか、それが分かる発表となった。
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imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。
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ASMLは、インドTata Electronicsと戦略的提携を締結した。最先端リソグラフィ装置を提供するほか、人材教育やサプライチェーン開発などでも支援を行う。Tata Electronicsは2027年、完全自動化された商用300mm半導体工場を稼働開始する予定だ。
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SEMIによると、2025年の世界半導体材料売上高は過去最高の732億米ドルに達した。前年に比べ6.8％の増加である。半導体プロセスの複雑化、先進ノード需要の拡大、高性能コンピューティング（HPC）および広帯域メモリ（HBM）製造への継続的投資などがその背景にあるとみられる。
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