最新記事一覧
ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。
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Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。
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ADEKAが埼玉県久喜市で「半導体イノベーションセンター」を本格稼働させた。総工費約120億円を投じ、最新のクリーンルームや評価設備を集約。半導体材料事業を全社利益の40％を占めるコア事業へと引き上げ、2035年には同事業の営業利益を現在の2倍超へと拡大する。総合半導体材料メーカーへの飛躍を狙う同社の戦略と、新拠点の全貌に迫る。
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産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
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AIの強烈な追い風に吹かれ、メモリ市場が「大爆発」している。この「メモリバブル」はいつまで続くのか。メモリ市場の歴史とともに考えてみたい。併せて、超好況のいまだからこそやっておきたい「不況への備え」を提言する。
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ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
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「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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GlobalFoundries（GF）とQualinxは、GNSS（全球測位衛星システム） SoC（System on Chip）を欧州内の製造フローで完成させた。機密性の高い設計データやマスク、ウエハーを欧州の管理下に置く取り組みで、半導体主権の具体的な一歩といえる。しかし、EDAや材料などには課題が残る。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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IBMが、「世界初」（同社）となる1nm未満（0.7nm）世代の半導体プロセス技術を発表した。IBMのパートナー企業による初期生産は5年後を見込んでいる。
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ニコンは、アドバンストパッケージング向けデジタル露光装置のラインアップを拡充する。解像度1.5μm（L/S）の製品を開発中で、2027年度内の発売を予定する。
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ウシオ電機は「JPCA Show」（2026年6月10〜12日、東京ビッグサイト）で、半導体アドバンストパッケージ向けのステッパー露光装置「UX-59113」の概要を展示した。L/S 1.5μmの解像度で、100mm角以上の大面積を1ショットで露光できる。後工程の自動化を見据え、基板自動搬送装置（EFEM）や無人搬送車（AGV）に対応していることも特徴だ。
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ニコンは、半導体後工程のアドバンストパッケージング向けに、解像度1.5μmのデジタル露光装置を開発中だと発表した。510×515mm基板の場合におけるスループットにおいて、従来品から30％以上の向上となる1時間当たり65枚以上を目標とする。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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Huaweiが独自のスケーリング則「τ（タウ）スケーリング」を発表した。極端紫外線（EUV）露光技術における、米国の対中輸出規制に対し、中国がどのような取り組みを行ってきたのか、それが分かる発表となった。
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imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。
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ASMLは、インドTata Electronicsと戦略的提携を締結した。最先端リソグラフィ装置を提供するほか、人材教育やサプライチェーン開発などでも支援を行う。Tata Electronicsは2027年、完全自動化された商用300mm半導体工場を稼働開始する予定だ。
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SEMIによると、2025年の世界半導体材料売上高は過去最高の732億米ドルに達した。前年に比べ6.8％の増加である。半導体プロセスの複雑化、先進ノード需要の拡大、高性能コンピューティング（HPC）および広帯域メモリ（HBM）製造への継続的投資などがその背景にあるとみられる。
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本連載「冴えない機械の救いかた」では、メカ設計の失敗事例を題材に、CAE解析や計測技術を用いて、不具合の発生メカニズムとその対策を解説していく。第4回は、ナノインプリント加工用金型の開発事例を取り上げる。均一な圧力で押せないという問題に対し、感圧紙による“見える化”とCAE解析による試行錯誤を組み合わせながら、短時間で最適な金型形状を導き出していった過程を紹介する。
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極端紫外線（EUV）露光用ペリクルの主流候補とされているカーボンナノチューブ（CNT）ペリクル。最大の課題は「耐久性と光透過率の両立」だが、この解消に向けた大きな一歩となる技術をリンテックが開発した。同社は産業技術総合研究所（産総研）の先端半導体研究センターとの共同研究により、90％と高い光透過率を維持しつつ、CNTペリクルの耐久性を大幅に向上させることに成功した。また、産総研つくばセンター中央事業所内に同CNTペリクルの量産設備を導入。「つくばイノベーティブクリエーションセンター」として2026年内を目標に、「EUVペリクルプロダクト」の本格生産開始に向けた取り組みを推進していく。
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TSMCは、次世代プロセスおよび先進パッケージング技術のロードマップを明らかにした。1.4nm世代の「A14」やその派生プロセス、2nm派生「N2U」に加え、フォトニクス技術や大規模集積を実現するパッケージング戦略を提示。AIデータセンター向けの性能向上と電力効率改善を狙う。
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中東情勢に伴うナフサ供給危機の影響は、フォトレジストにも及ぶ。それは「世界の半導体工場を停止させる臨界点」になり得るほど、多大なものだ。本稿では、主にリソグラフィ専門家に向けて、フォトレジストにおける「ナフサ供給危機」のリスクを詳細に解説する。さらに、リソグラフィ専門家に対する対策の提言と、政府・業界団体に対する提言をまとめる。
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中東情勢に伴うヘリウム（He）とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。
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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム（He）供給逼迫（ひっぱく）およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶／不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。
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富士フイルムは、フッ素由来の材料を一切使わずに、優れた酸反応効率と高い撥水性を両立させた「フッ素フリー」のネガ型ArF液浸レジストを世界で初めて（同社調べ）開発した。
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中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTC（Yangtze Memory Technologies Corp）が新工場を建設しているという。米国による厳しい対中規制が続く中、中国はメモリでも猛追している。
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TSMCの2026年の設備投資額は560億米ドルに達する見込みだ。それでも、AI半導体の旺盛な需要に応えるには不十分だという。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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産業ジャーナリストの那須直美氏が、工作機械からロボット、建機、宇宙開発までディープな機械ビジネスの世界とその可能性を紹介する本連載。今回は、見えないところで私たちの生活や産業の根幹を支える「精密機械」と、そこから生まれるデジタル技術にフォーカスします。
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Intelが、アイルランド工場「Fab 34」を運営する会社の株式49％を投資会社Apollo Global Management（以下、Apollo）から142億米ドルで買い戻し、完全子会社化すると発表した。
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imecがASMLの高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光装置「TWINSCAN EXE:5200」を受領したと発表した。ベルギー・ルーベンにあるimecの300mmクリーンルームに導入する。
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IBMとLam Researchが、1nm世代以降の半導体チップの実現に向け、プロセスと材料の開発において協業を発表した。高NA（開口数）極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置の導入加速を促す目的もあるという。
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「CES 2026」にて披露されたAcerの16型ノートPC「Acer Swift 16 AI」。Intelの最新プロセッサ「Core Ultra X7 358H」を採用し、統合GPU性能が飛躍的に向上した注目のCopilot+ PCをチェックした。
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東京応化工業（TOK）は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けているという。中国のプレイヤーは本当に欧米の競合に付いていけるのだろうか。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けていると報じられた。だが、この措置で中国は本当に国内WFE産業を加速できるのか。
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産業技術総合研究所は、シリコンウエハー上への貼り付け構造を有し、汎用的な半導体製造装置で加工できるダイヤモンドデバイス用ウエハーを作製した。ダイヤモンドとシリコンの高温接合により、微細描画が可能な複合ウエハーの製造に成功している。
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アプロリンクは、200nm以下の深紫外領域を直接検出できるPhotonfocusのUV専用イメージセンサー搭載カメラの国内販売を開始した。エキシマレーザーのビームプロファイルなどを、蛍光板を介さずにリアルタイムで定量評価できる。
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産業技術総合研究所（産総研）とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。
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ASMLは、2025年第4四半期（10〜12月）および通期の業績を発表した。それによると、第4四半期の売上高は97億1800万ユーロ、粗利益率は52.2％で、売上高は過去最高だった。2025年通期での売上高は326億6700万ユーロ、粗利益率は52.8％だった。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。
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ヌヴォトン テクノロジーは、波長379nmの紫外半導体レーザーの出力を同社従来品比で倍増となる1.0Wを達成した「高出力 1.0W 紫外（379nm）半導体レーザ」を開発した。主に、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光装置の微細化や加工速度向上の用途に向ける。
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2025年にはAIが技術分野において大きな注目を集めたが、新年を迎え、本質的にAIブームとの関係が深い業界もその存在感を示しつつある。AIデータセンターで普及している広帯域メモリ（HBM）デバイスを手掛けるDRAMメーカーは、ファブの生産能力獲得に奔走していて、それが地政学的な緊張によってさらに困難な問題になってきている。
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大日本印刷（DNP）は「SEMICON Japan 2025」に出展し、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）用テンプレートや極端紫外線（EUV）リソグラフィ用フォトマスクを紹介した。
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オキサイドは、半導体検査向けのDUVレーザー「QCW Kalama」シリーズに、波長266nmの高出力モデル（標準8W、最大12W）と波長193nmモデルを追加した。ラインアップ拡充により、検査の高感度化や新分野への応用が可能になる。
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2025年11月、Windowsが誕生から40年を迎えた。この年は、Windowsを含めてPC業界を取り巻く環境は“激動”した。振り返ってみたい。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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ニコンは「SEMICON Japan 2025」で、微細な3次元形状を高速かつ高精度に測定できる画像測定システム「NEXIV VMF-Kシリーズ」を展示した。半導体パッケージ基板の検査や品質管理などの用途を想定する。
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