最新記事一覧
TSMCのGaNファウンドリー事業撤退を受け、ロームはTSMCからGaN技術ライセンスを取得し、650V GaNパワーデバイスを自社生産する方針だ。2026年2月4日、ローム社長の東克己氏が明かした。
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三菱電機は2026年2月3日、2025年度第3四半期（2025年10〜12月）業績を発表した。セミコンダクターセグメントの売上高は前年同期比で横ばいの678億円、営業利益は同18億円増の103億円だった。パワー半導体は需要停滞が継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。
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三菱電機が2026年3月期第3四半期の決算を発表した。その内容とは。
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世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。
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次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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富士電機は、汎用インバーター「FRENIC-Mini（C3）」を発売した。従来製品比で約15％小型化し、スマートフォンなどから運転状況をモニタリングできる機能を追加したほか、配線作業時間を約75％削減する端子台を採用した。
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ヤマハ発動機は「第40回ネプコンジャパン」において、マウンターとダイボンダーの機能を併せ持つ、ハイブリッドプレーサーの新製品「YRH10W」を披露した。
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三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
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ディスコは2026年1月21日、2025年度（2025年4月〜2026年3月）通期の連結売上高が4190億円となり、初めて4000億円を超える見込みだと発表した。純利益も1264億円と6期連続で最高益を更新すると予想している。GPUや広帯域メモリ（HBM）など、生成AI関連の先端半導体需要がけん引する。
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富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
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トヨタ自動車が2027〜2028年の実用化を目標に掲げる「全固体電池」。その重要材料である正極材開発のパートナーに選ばれたのは住友金属鉱山だ。同社へのインタビューを通して、両社が試行錯誤の末に開発した正極材の特徴や現状について深掘りする。
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日本半導体製造装置協会（SEAJ）は、半導体およびFPD製造装置について、日本製装置や日本市場における販売高の予測結果をまとめた。これによると、日本製の半導体およびFPD製造装置を合算した販売高は、2025年度見込みの約5兆2600億円に対し、2027年度は約6兆円と予測した。
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三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。
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経済産業省は、エネルギーの安定供給と経済成長、脱炭素を同時に達成するためのGXに向けた「分野別投資戦略」を改定した。電力需要の増加など不確実な投資環境に対応しつつ、国内のGXを推進する。
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三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
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ヤマハ発動機は、高速で高精度な実装を実現しながら、12インチウエハーへの対応や大型基板搬送を可能にしたハイブリッドプレーサー「YRH10W」を開発、2026年3月より発売する。NEV（New Energy Vehicle）に向けたパワー半導体モジュール製品などの製造工程において、生産性や品質の向上が可能となる。
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富士電機とRobert Bosch（ロバ―ト・ボッシュ／以下、ボッシュ）が、電動車（xEV）向けで互換性のある炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを開発する。2025年12月に合意を発表した。
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富士経済によると、炭化ケイ素（SiC）ウエハーの世界市場は、2025年見込みの1943億円に対し、2035年は約3倍の5724億円規模になるという。今後は、中国を中心に8インチウエハーを用いたパワー半導体デバイスの製造が本格化する見通しだ。
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FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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「1年間の総合記事ランキングトップ10」をお届けします！ 2025年はどんな記事がよく読まれたのでしょうか。
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ロームとTata Electronics（タタ・エレクトロニクス）は、半導体事業において戦略的パートナーシップを締結した。インド市場において半導体デバイスの製造や販売チャンネルなどの機能を融合することで、半導体産業における日印関係をさらに強化していく。
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2025年に公開したモビリティフォーラムの記事をランキング形式で振り返る。1位に輝いたのは、認証不正からの再出発を期したダイハツ工業の「Japan Mobility Show 2025」の展示紹介記事でした。
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onsemiが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体事業で攻勢に出ている――。onsemiは2025年12月18日（米国時間）、650V GaNパワーデバイスの開発と製造においてGlobalFoundries（GF）と協業すると発表した。2026年上半期にもサンプル出荷を開始する予定だ。
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電子情報技術産業協会（JEITA）は2025年版の「電子情報産業の世界生産見通し」を発表した。世界生産額は史上初めて4兆ドルを突破。世界市場の中で日系企業はどう戦うべきか。
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EVで使用されている分厚い単一金属のバスバーは、交流かつ高周波の場合、「表皮効果」により電流が表面に集中して流れる。そのため、バスバーの中心部には電気が流れず、交流抵抗が増えて発熱してしまう。この問題を解決する高機能材料を三菱ケミカルが提案している。
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SEMIジャパンは記者会見を開き、「SEMICON Japan 2025」の概要などを発表。本稿では、SEMIのSEMI市場情報担当チームのシニアディレクターであるClark Tseng氏が発表した半導体製造装置市場の見通しについて説明する。
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SEMIジャパンは2025年12月16日、同年12月17〜19日にかけて開催される「SEMICON Japan 2025」（東京ビッグサイト）の記者会見を実施した。その際に半導体市況について説明し、世界半導体市場は2029年に1兆米ドルを超える見込みであることなどを語った。
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2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。
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SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
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三菱電機は、大型産業機器向けに、パワー半導体「HVIGBTモジュールXB」シリーズの耐電圧4.5kVタイプを発売した。絶縁耐電圧6.0kVrmsの標準絶縁品と同10.2kVrmsの高絶縁品の2種を提供する。
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佐賀大学と宇宙航空研究開発機構（JAXA）および、ダイヤモンドセミコンダクターは、ダイヤモンドを用いてマイクロ波帯域（3〜30GHz）やミリ波帯域（30〜300GHz）で増幅動作が可能な「高周波半導体デバイス」を開発した。オフ時の耐電圧は4266Vで、電力利得の遮断周波数は120GHzだ。これらの値はいずれも世界最高レベルだという。
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WSTSが2025年、2026年の半導体市場予測を更新し、2025年は前年比22.5％増、2026年は同26.3％増とした。AI投資が市場を押し上げる一方、PC／スマホなど主要アプリケーションの回復が遅れれば下振れの可能性もある。分野別の実績と背景要因から、予測の妥当性と今後のリスクを考察する。
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窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。
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ルネサス エレクトロニクスがタイミングソリューションを売却するとの報道が出ている。同事業はルネサスが2018年にIDTの買収によって受け継いだものだ。
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onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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エイブリックは、車載カメラモジュール向けの3チャンネル出力パワーマネジメントIC「S-19560B」シリーズを発売した。DC-DC2系統とLDO1系統を搭載していて、実装面積を縮小できる。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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エイブリックは2025年11月25日、車載カメラ向けの小型パワーマネジメントIC（PMIC）「S-19560B」シリーズを発売した。降圧DC-DCコンバーター2チャネルとLDOレギュレーター1チャネルの計3チャネル出力で、同社の小型LDOと組み合わせれば「実装面積を約20％縮小できる」という。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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Texas Instrumentsの日本法人である日本テキサス・インスツルメンツは「EdgeTech＋ 2025」（2025年11月19〜21日、パシフィコ横浜）にて、「先進的半導体技術が切り拓くヒューマノイドロボットの未来」と題した基調講演に登壇。大きな変化を遂げてきたロボティクス技術のこれまでと現在、そしてヒューマノイドロボティクスの発展に向けて必要とされる技術、TIが提供するソリューションについて取り上げた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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onsemiは、AIデータセンターやEVなどの高電力アプリケーション向けに、次世代縦型GaNパワー半導体を発表した。GaN-on-GaN構造で高電力密度と効率を両立し、損失を約50％低減する。
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Nordic Semiconductorは「EdgeTech+ 2025」に出展し、超低電力ワイヤレスSoC（System on Chip）「nRF54シリーズ」を使ったAI対応電動歯ブラシや、パワーマネジメントIC（PMIC）「nPMシリーズ」採用の充電不要スマートリングなどを展示した。
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自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年11月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『欧州が直面する半導体戦略の「理想と現実」』です。
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半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。
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