最新記事一覧
フィジカルAIの代表的なアプリケーションとして期待を集めるヒューマノイド。このヒューマノイド市場に向けた提案活動に注力しているのがインフィニオン テクノロジーズだ。2050年に3億台に達するという同市場に向けた事業戦略について、同社のディルク・ガイガー氏に聞いた。
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株価が急騰したキオクシア。その背景には、AIの主戦場が学習から推論へ移り、SSD需要が急拡大したことがある。東芝時代からの歴史を振り返りつつ、同社の強みと今後の針路、日本の半導体政策の課題を考察する。
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Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。
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onsemiが約70億米ドル相当の全株式交換による取引でSynapticsを買収すると発表した。同社にとって過去最大の買収となるこの取引での狙いは、エッジAI／フィジカルAIにある。
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いまは亡きあのDRAMメーカーの『遺伝子』継ぐ企業の名前が。
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業務効率化のためにAIツールを導入しても、専門的な業務では十分に活用できないケースがある。大手半導体メーカーのロームが、「Gemini」に切り替えて半導体開発の専門業務で成果を導き出した方法は。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
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Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
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住友ベークライトは2026年6月25日、中国グループ会社で半導体封止材を製造する蘇州住友電木において、生産ラインを増強し、生産能力を約30％増強すると発表した。稼働開始は2028年12月頃を予定する。
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Infineon Technologies（以下、Infineon）は2026年7月7日（ドイツ時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーInnoscienceによるGaN技術の特許侵害について、米国国際貿易委員会（US ITC）の認定がなされたと発表した。これにより、Innoscienceに対して米国へのGaN製品の輸入／販売禁止が改めて命じられた。
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Infineon Technologiesがドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を開設した。パワー半導体などを製造し、AIデータセンターや車載、再生可能エネルギーといった市場の需要に対応。フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。
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AIの発展に伴ってデータの重要性が高まる中、STマイクロエレクトロニクスはAIが活用するためのデータを取得する手段としてイメージング製品を強化している。STが描くイメージング製品戦略と新製品の特徴を紹介する。
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レゾナック、宇宙での半導体結晶成長の研究などを行うBEAM Technologies（以下、BEAM）、宇宙ステーション開発などを手掛ける日本低軌道社中は、地球低軌道（LEO）における半導体製造事業の実現に向けた覚書を締結したと発表した。重力起因の物理的制約を受けない高性能半導体の製造の実現を目指す。
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東北大学は、直接窒化法を用い針状の窒化アルミニウム（AlN）単結晶を育成することに成功した。これを種結晶として溶液成長法により結晶成長させれば、大口径の超ワイドバンドギャップ（WBG）半導体基板を実現できるとみている。
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DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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住友ベークライトは、中国における半導体需要の拡大に対応するため、生産ラインを追加し、半導体封止材の生産能力を増強すると発表した。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年6月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「TECHNO-FRONTIER 2026」の歩き方』です。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。
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フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。
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ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。
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onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。
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Amazon.co.jpで、2つのUSB Type-Cポートを搭載した急速充電器が30％オフのタイムセール中だ。次世代パワー半導体素材を採用し、小型化と高効率化を実現している。
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TSMCの撤退を受け、8インチでのGaNパワー半導体自社製造に舵を切ったローム。「あと1年半で量産」という目標に向け、浜松に技術者が集結しています。
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三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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EVで使用するモーターの小型／高効率化が求められている。こうした中、三菱ケミカルは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」で、「押出成形」によってマグネットワイヤに絶縁材を薄膜でコーティングできる新素材を紹介した。
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2026年7月15日（水）〜17日（金）にかけて、「TECHNO-FRONTIER（テクノフロンティア） 2026」が東京ビッグサイトで開催される。今回の見どころを編集部の視点で探る。
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三菱電機は、パワー半導体モジュールの新製品「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」10機種のサンプル提供を開始する。第8世代IGBTを採用し、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に寄与する。
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さすがに、このままのペースで成長するとは考えにくいです。
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WSTSは2026年の半導体市場成長率予測を前年比89.9％増へ大幅に上方修正した。市場拡大をけん引するのはAI需要を背景に急成長するメモリ市場だが、その伸びの多くは価格高騰によるものでもある。本稿ではWSTSの春季予測を基に、各市場の動向を整理しながら、2027年のメモリ市場に潜む下振れリスクを考察する。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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「EE Times Japan 2026年5月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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STマイクロエレクトロニクスは、100W対応の高電圧GaNコンバーター「VIPerGaN100W」「VIPerGaN100WB」を発表した。コーヒーメーカーや小型家電などでの電源設計に適する。
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住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向けに業界最高水準のガラス転移温度230℃を実現したエポキシ樹脂封止材料「EME-G785シリーズ」の量産を開始した。
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Patentixは、6インチ基板対応の成膜装置を新たに開発し、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜を6インチSiウエハー上へ成膜することに成功した。
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2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
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デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
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富士電機は2026年5月26日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の小型化／低損失化を実現する立体配線構造を開発したと発表した。従来比で製品体積を約5割削減できたほか、モジュール内部回路配線のインダクタンスを約7割、スイッチング損失を約5割低減したという。
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AI時代において、最先端の半導体を設計し、使いこなすことは製品の競争力に直結する。だが日本では、最先端半導体を設計できる人材が圧倒的に不足している。さらに、メーカー側の半導体に対する知見も十分とはいえない状態だ。これを打破すべく、経済産業省主導でNEDO委託事業「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/人材育成/最先端デジタルSoC設計人材育成」プログラムが2024年に始動した。設計人材の育成だけでなく、半導体の“選球眼”を磨くことも狙う。
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技術商社のマルエム商会が炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社が正規代理店を務める国内外メーカーのSiC関連製品や技術を組み合わせ、日本の顧客に提案するという。同社は記者会見を開催し、同社のSiCビジネスについて説明したほか、急速に進展している中国SiC業界の現状についても解説した。
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Analog Devices（ADI）が、統合化定電圧回路（IVR：Integrated Voltage Regulator）を専業とするスタートアップEmpower Semiconductorを買収した。どのような狙いがあったのか。
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富士経済は、パワー半導体の世界市場調査結果を発表した。2035年の市場規模は2025年比95.7％増の7兆3495億円に達する予測だ。次世代製品の実用化が市場をけん引する。
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今回は、マルエム商会のSiC製品ビジネスに関連する中国の市場動向について、つらつら語っています。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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ASMLは、インドTata Electronicsと戦略的提携を締結した。最先端リソグラフィ装置を提供するほか、人材教育やサプライチェーン開発などでも支援を行う。Tata Electronicsは2027年、完全自動化された商用300mm半導体工場を稼働開始する予定だ。
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三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
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サンケン電気は2026年5月15日、2026年3月期通期（2025年4月〜2026年3月）の決算を発表した。子会社だったAllegro MicroSystemsが連結対象から外れたことや、中国で白物家電の自国半導体シフトが進んだことなどで減収減益し、純利益は前期の509億円の黒字から、98億円の赤字に転落した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、3.0×3.0mmの1212パッケージを採用したインダクター「IHLP1212-EZ-1Z」を発表した。DCRを最小8.6mΩに低減している。
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