最新記事一覧
三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。
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サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。
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米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。
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三菱電機はパワーデバイス製作所 福山工場で製造する12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップを、モジュール組み立て工程に向けて本格的に供給を始めた。
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富士経済は、半導体材料について2029年までの世界市場を予測した。これによると、2024年見込みの470億米ドルに対し、2029年には583億米ドル規模に達する。新たなAI（人工知能）搭載機器の登場や、データセンター向けサーバの需要増加などにより、半導体材料市場は拡大が続く。
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OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。
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ルネサス エレクトロニクスは、エントリーレベルのADAS（先進運転支援システム）に向けた車載用R-CarファミリSoC「R-Car V4Mシリーズ」のサンプル出荷を始めた。上位モデルの「V4Hシリーズ」も製品群を拡充した。自動運転レベル1からレベル2対応のADASソリューション用途に向ける。
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米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。
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レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。
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レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。
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OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。
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レゾナックは、半導体の前工程や後工程で、ウエハーなどをガラスなどのキャリアに一時的に固定するための仮固定フィルムとその剥離プロセスを開発した。
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シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。
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競争は激化の一途をたどっています。
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キーサイト・テクノロジーの新社長に開発部門出身の寺澤紳司氏が就任した。開発部門出身者が同社の社長に就くのは初めて。就任記者会見ではAI（人工知能）戦略や半導体向けソリューションの展望を語った。
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テキサス・インスツルメンツは、4K ULTRA HDプロジェクターに対応したディスプレイコントローラー「DLPC8445」を発表した。前世代製品と比べ、90％小型化した。
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レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。
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Infineon Technologiesが、300mmのGaN（窒化ガリウム）ウエハー技術を開発した。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり2.3倍のチップが製造可能となり、効率が大幅に向上する。
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大阪大学は、DOWAホールディングスや島津製作所と共同で、パワー半導体デバイスに用いられる窒化アルミニウム基板に対し、青色半導体レーザーを用い、銅を直接接合する技術を開発した。接合に用いる材料と製造工数の削減が可能となる。
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三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。
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ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。
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大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。
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田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。
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Infineon Technologies（インフィニオン）は、マレーシアのパワー半導体新工場の第1フェーズを正式に開設した。第1フェーズでは、高効率200mm SiCパワー半導体のほかGaNエピタキシーを製造し、900人の高付加価値雇用が創出される。
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ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
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本稿では、2024年上半期（1〜6月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。
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Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。
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ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。
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STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2024」に出展し、工場自動化に向けたFA（ファクトリーオートメーション）ソリューションや住宅向けエネルギーソリューションを紹介した。
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EE Times Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス業界の知識を楽しく増やしていきましょう。
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Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。
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Broadcom（ブロードコム）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、SiC（炭化ケイ素）／GaN（窒化ガリウム）に対応したゲートドライバーICや電流センサーの評価ボードなどを展示した。
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Qorvo Japanは2024年7月31日、メディア向け事業説明会を実施した。Qorvo Japan ジャパンカントリーマネージャーを務める大久保喜司氏は、国内の事業戦略について「防衛分野や自動車分野に注力し、3年以内に売上高を倍にする」と語った。
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積水化学工業は、先端半導体製造工程で用いられる高接着易剥離UVテープ「SELFA」について、国内で生産能力を増強する。また、半導体材料のR＆D拠点を台湾に新設することも決めた。これらに関連する投資総額は約50億円を予定している。
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東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）と東芝は、SiCｰMOSFETを搭載したパワーモジュールの寄生発振を抑制する独自技術を開発した。【修正あり】
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積水化学工業は、武蔵工場（埼玉県蓮田市）における高接着易剥離UVテープ「SELFA」の生産能力増強および同製品を含む半導体関連材料の評価／分析が可能なR＆D拠点を台湾に新設することを決定した。
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住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。
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米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。
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AI（人工知能）の発展が進む上で、データセンターの電力消費量に対する懸念が増している。次世代パワー半導体の積極的な採用や、より効率の良いデータセンターアーキテクチャの採用をはじめ、早急な対策が必要になる。
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今回は、2024年に日本で発売されたドローン2機種を紹介する。すっかり身近になったドローンを分解すると、数多くの中国製半導体が使われていることが分かる。
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引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。
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太陽インキ製造は、「JPCA Show 2024」（2024年6月12〜14日／東京ビッグサイト）に出展し、パワー半導体向け高放熱絶縁材料の製品群を展示した。これらは、電子回路技術及び産業の進歩発展に顕著な製品・技術を表彰する「JPCA賞」を受賞したものだ。
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2024年4月に子会社のラピステクノロジーを吸収合併したロームは、両社の強みを併せ持つ製品の開発と展開を加速させている。ロームが「シナジーが最も大きいカテゴリーの一つ」として挙げるのがマイコンだ。アナログ制御とデジタル制御の“いいとこ取り”をした「アナログ・デジタル融合制御」電源用のマイコン、チップレットを活用したマイコン、IC上で機械学習と推論を実行できるマイコンなど、市場投入を控えたユニークな新製品がそろう。
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ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。
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三菱電機は、大容量インバーターシステムで使用する「産業用LV100タイプIGBTモジュール」に関して、検証データ提供サービスを開始する。同データを活用することで、試作機を開発する際の業務負荷を軽減できる。
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ルネサス エレクトロニクスは2024年6月20日、Transphorm（トランスフォーム）の買収を完了したと発表した。同日、新しいGaN製品とルネサス エレクトロニクスの既存製品を組み合わせた新製品を15種類発表した。
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オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。
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マレーシアは1960年代後半からアセンブリ／テストといった半導体後工程を担い、より高付加価値な前工程の設計業務への移行を長年模索してきた。とうとう今その時が来ていると言えそうだ。欧米や中国の半導体企業の製造拠点が続けてマレーシアに進出している。
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三菱電機は、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、定格電流400Aの「FMF400DC-66BEW」と同200Aの「FMF200DC-66BE」を発売した。鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けで、耐電圧はいずれも3.3kVだ。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年6月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「embedded world 2024」レポート： エッジAIが本格化、「欧州最大規模」の組み込み技術展示会で見た最新トレンド』です。
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