最新記事一覧
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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「1年間の総合記事ランキングトップ10」をお届けします！ 2025年はどんな記事がよく読まれたのでしょうか。
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ロームとTata Electronics（タタ・エレクトロニクス）は、半導体事業において戦略的パートナーシップを締結した。インド市場において半導体デバイスの製造や販売チャンネルなどの機能を融合することで、半導体産業における日印関係をさらに強化していく。
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2025年に公開したモビリティフォーラムの記事をランキング形式で振り返る。1位に輝いたのは、認証不正からの再出発を期したダイハツ工業の「Japan Mobility Show 2025」の展示紹介記事でした。
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onsemiが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体事業で攻勢に出ている――。onsemiは2025年12月18日（米国時間）、650V GaNパワーデバイスの開発と製造においてGlobalFoundries（GF）と協業すると発表した。2026年上半期にもサンプル出荷を開始する予定だ。
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電子情報技術産業協会（JEITA）は2025年版の「電子情報産業の世界生産見通し」を発表した。世界生産額は史上初めて4兆ドルを突破。世界市場の中で日系企業はどう戦うべきか。
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EVで使用されている分厚い単一金属のバスバーは、交流かつ高周波の場合、「表皮効果」により電流が表面に集中して流れる。そのため、バスバーの中心部には電気が流れず、交流抵抗が増えて発熱してしまう。この問題を解決する高機能材料を三菱ケミカルが提案している。
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SEMIジャパンは記者会見を開き、「SEMICON Japan 2025」の概要などを発表。本稿では、SEMIのSEMI市場情報担当チームのシニアディレクターであるClark Tseng氏が発表した半導体製造装置市場の見通しについて説明する。
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SEMIジャパンは2025年12月16日、同年12月17〜19日にかけて開催される「SEMICON Japan 2025」（東京ビッグサイト）の記者会見を実施した。その際に半導体市況について説明し、世界半導体市場は2029年に1兆米ドルを超える見込みであることなどを語った。
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2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。
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SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
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三菱電機は、大型産業機器向けに、パワー半導体「HVIGBTモジュールXB」シリーズの耐電圧4.5kVタイプを発売した。絶縁耐電圧6.0kVrmsの標準絶縁品と同10.2kVrmsの高絶縁品の2種を提供する。
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佐賀大学と宇宙航空研究開発機構（JAXA）および、ダイヤモンドセミコンダクターは、ダイヤモンドを用いてマイクロ波帯域（3〜30GHz）やミリ波帯域（30〜300GHz）で増幅動作が可能な「高周波半導体デバイス」を開発した。オフ時の耐電圧は4266Vで、電力利得の遮断周波数は120GHzだ。これらの値はいずれも世界最高レベルだという。
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WSTSが2025年、2026年の半導体市場予測を更新し、2025年は前年比22.5％増、2026年は同26.3％増とした。AI投資が市場を押し上げる一方、PC／スマホなど主要アプリケーションの回復が遅れれば下振れの可能性もある。分野別の実績と背景要因から、予測の妥当性と今後のリスクを考察する。
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窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。
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ルネサス エレクトロニクスがタイミングソリューションを売却するとの報道が出ている。同事業はルネサスが2018年にIDTの買収によって受け継いだものだ。
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onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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エイブリックは、車載カメラモジュール向けの3チャンネル出力パワーマネジメントIC「S-19560B」シリーズを発売した。DC-DC2系統とLDO1系統を搭載していて、実装面積を縮小できる。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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エイブリックは2025年11月25日、車載カメラ向けの小型パワーマネジメントIC（PMIC）「S-19560B」シリーズを発売した。降圧DC-DCコンバーター2チャネルとLDOレギュレーター1チャネルの計3チャネル出力で、同社の小型LDOと組み合わせれば「実装面積を約20％縮小できる」という。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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Texas Instrumentsの日本法人である日本テキサス・インスツルメンツは「EdgeTech＋ 2025」（2025年11月19〜21日、パシフィコ横浜）にて、「先進的半導体技術が切り拓くヒューマノイドロボットの未来」と題した基調講演に登壇。大きな変化を遂げてきたロボティクス技術のこれまでと現在、そしてヒューマノイドロボティクスの発展に向けて必要とされる技術、TIが提供するソリューションについて取り上げた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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onsemiは、AIデータセンターやEVなどの高電力アプリケーション向けに、次世代縦型GaNパワー半導体を発表した。GaN-on-GaN構造で高電力密度と効率を両立し、損失を約50％低減する。
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Nordic Semiconductorは「EdgeTech+ 2025」に出展し、超低電力ワイヤレスSoC（System on Chip）「nRF54シリーズ」を使ったAI対応電動歯ブラシや、パワーマネジメントIC（PMIC）「nPMシリーズ」採用の充電不要スマートリングなどを展示した。
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自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年11月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『欧州が直面する半導体戦略の「理想と現実」』です。
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半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。
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クラウドAI向けでよく語られる3次元実装だが、UCMの担当者は先進パッケージングはエッジAIにこそ向いていると語る。
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STマイクロエレクトロニクスは、電源設計を簡略化し、可聴ノイズを抑えるGaNフライバックコンバーターICシリーズを発表した。独自技術で負荷を低減し、電源や充電器の動作音を抑える。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。
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10月28日に日米両政府が発表した対米投資の「ファクトシート」で同社がデータセンター向け発電システムなどの投資に関心を示しているとされたことに言及。
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ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
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Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。
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アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。
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デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。
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矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。
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onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
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ディスコは2025年10月29日、2025年度第2四半期の決算を発表した。前年同期比で増収増益の結果で、2025年度上期で見ると、売上高は1945億円と、上期として過去最高の結果を記録したという。
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田中貴金属が、半導体向け事業を強化している。長年の経験で培った貴金属の知見を強みに、インドなどの半導体新興市場への展開も視野に入れる。今回は、「SEMICON India 2025」に出展した製品から、ダイボンド向け銀接着剤、ボンディングワイヤ、プローブピン材料の3製品を紹介する。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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太陽ホールディングスは、2025〜2030年を対象とした新中期経営計画で、コア事業であるソルダーレジストインキの全方位的な成長に加え、次世代の利益の柱となる新規事業創出を加速するとした。本稿ではこれを踏まえて、同社のエレクトロニクス事業で中核を担う太陽インキ製造 取締役／技術開発センター長の宮部英和氏へのインタビューを通じ、同事業の取り組みを深掘りする。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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