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「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置/材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。

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AIが導き出した最適解は、なぜ最適なのか? NTTが開発した「AI駆動型ラボ」は、ロボットとAIを組み合わせ、これまでブラックボックスだった実験結果を人間が理解できる「ルール」に変換する。同技術は、次世代半導体の開発サイクルを3倍に高速化し、世界初の成果を生み出した新技術に迫る。

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NTTは、AIとロボットを組み合わせた自律実験によって半導体材料の成膜条件を最適化するとともに、その過程で得られたデータから、人が理解/転用できる「成膜ルール」を抽出する技術を実証した。次世代パワー半導体材料として期待されるβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)を用いた実験では、「スパッタ法として世界で初めて」(NTT)の単結晶薄膜の作製にも成功した。

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フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持/拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。

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Power Diamond Systemsと東レリサーチセンターは、次世代ダイヤモンド半導体デバイスの評価に関する共同研究を開始した。ナノスケールで材料の微細構造や界面、不純物、欠陥などを解析し、デバイス性能や信頼性との関係を明らかにすることで、実用化/量産化に向けた開発を加速する。

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自動車の電動化、AIデータセンタの拡大、環境規制への対応など、半導体/エレクトロニクス業界は大きな転換期を迎えている。そこに求められる実装技術も、単に「接合する技術」から、信頼性・省エネルギー・コスト・環境性能を同時に満たす総合的な技術へと進化している。こうした変化に対し、はんだ材料と実装装置の双方を手掛ける千住金属工業は、材料・装置・プロセスを一体で考える「工法提案」に取り組んでいる。今回、同社に実装技術の今後や、その取り組みについて聞いた。

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GaN/SiCパワー半導体を手掛けるNavitas Semiconductorが、ルネサス エレクトロニクスを特許侵害で提訴した。「SuperGaN」を含む主要GaN製品群が、Navitasの米国特許4件を侵害していると主張している。Navitasの現CEOはルネサスのパワー事業を統括した経歴を持つ。ルネサスは「現時点で当社からのコメントはない」としている。

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筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム(He)、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。

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三菱電機は2026年度第1四半期決算で、売上高1兆4971億円、営業利益1443億円となり、いずれも第1四半期として過去最高を更新した。これを受け、2026年度通期の売上高と営業利益の見通しを上方修正した。熊本地震で一時操業を停止していたパワー半導体工場については、生産を再開しており、業績への影響は限定的としている。

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ルネサス エレクトロニクスは、次世代AIや高性能コンピューティング(HPC)に向けた第3世代MRDIMM用「メモリインタフェースチップセット」を発表した。DDR5ベースのサーバプラットフォームと互換性を保ちながらメモリ帯域幅を25%改善し、最大16000Mトランスファ/秒の高速データ伝送を実現する。

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ルネサス エレクトロニクスは、6インチウエハーラインを持つ高崎工場の生産を段階的に終了し、同工場を閉鎖する。顧客向けの在庫を確保した上で、今後2〜3年をめどに生産を終える。一方、同じ敷地内にあるアナログICやパワー半導体の研究開発機能は維持/強化する方針だ。

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東北大学発ベンチャーのFOXやC&A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。

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シチズンファインデバイスは「TECHNO-FRONTIER」(2026年7月15〜17日、東京ビッグサイト)に出展し、光プローブを用いた電流波形測定用電流センサー「OpECS(オペックス)」を展示した。センサー部は光ファイバーと磁性材料で構成され、電磁ノイズの影響を受けないためパワー半導体の正確な測定が可能だ。

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フィジカルAIの代表的なアプリケーションとして期待を集めるヒューマノイド。このヒューマノイド市場に向けた提案活動に注力しているのがインフィニオン テクノロジーズだ。2050年に3億台に達するという同市場に向けた事業戦略について、同社のディルク・ガイガー氏に聞いた。

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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。

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Infineon Technologies(以下、Infineon)は2026年7月7日(ドイツ時間)、中国の窒化ガリウム(GaN)パワー半導体メーカーInnoscienceによるGaN技術の特許侵害について、米国国際貿易委員会(US ITC)の認定がなされたと発表した。これにより、Innoscienceに対して米国へのGaN製品の輸入/販売禁止が改めて命じられた。

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レゾナック、宇宙での半導体結晶成長の研究などを行うBEAM Technologies(以下、BEAM)、宇宙ステーション開発などを手掛ける日本低軌道社中は、地球低軌道(LEO)における半導体製造事業の実現に向けた覚書を締結したと発表した。重力起因の物理的制約を受けない高性能半導体の製造の実現を目指す。

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