最新記事一覧
Infineon Technologiesが、「世界初」（同社）となる900V耐圧の窒化ガリウム（GaN）モノリシック双方向スイッチを開発した。米国Enphase Energyに供給し、同社が開発するAIデータセンター向け半導体変圧器（SST：Solid-State Transformer）に採用される予定だ。
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中国のDRAMメーカーCXMTと、NANDフラッシュメーカーYMTCの動きが活発になっている。昨今のIPO（新規株式公開）による多額の資金調達や、AIブームを受け、DRAMやNANDフラッシュの「専業」メーカーではなく、両方の市場に参入することを検討していると報じられている。メモリビジネスの性質を説明しつつ、両社の思惑を探ってみたい。
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2026年10月16日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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Infineon Technologies（以下、Infineon）が、8インチ（200mm）ウエハーでの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産拡大に向け、基板の調達体制を強化する。同社は2026年10月15日（ドイツ時間）、Wolfspeedと8インチSiCウエハーに関する複数年の供給契約を締結したと発表した。
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京大発スタートアップのFLOSFIAは、酸化ガリウムパワー半導体において、6インチサファイア基板上でのエピタキシャル成膜に成功した。
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中国では現在、ヒューマノイドロボットの開発や量産、社会実装に向けた動きが加速している。しかし、完成品の動向を追うだけでは、その競争力の源泉や本格普及に向けた課題までは見えてこない。SUGENAのセミナー「フィジカルAI解体新書」では、ヒューマノイドをAIや関節、センサー、手などに“解体”し、中国勢の強さと残された課題を解説した。本稿ではその内容を基に、日本企業が勝負できる領域を見ていく。
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ロームは、半導体組立／テスト（OSAT：Outsourced Semiconductor Assembly and Test）企業への委託を拡大する。まずは既存製品の組立／検査を委託し、現地需要への対応から始める。
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FLOSFIAが、6インチサファイア基板上への酸化ガリウム（α-Ga2O3）のエピタキシャル成膜に成功した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。2026年中に8インチサファイア基板上での成膜実証を進める計画だ。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年10月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「PCIM 2026」で見たパワー半導体最前線』です。
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100円ショップなどの安価なガジェットを実際に試す連載。今回はダイソーで1100円で販売されている「GaN USB充電器」を試した。最大45W出力に対応している上、電圧と電流を動的に変更する「PPS」に対応する。折り畳み式プラグで、持ち運びやすいのもポイントだ。
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電気自動車（EV）市場の停滞で一時逆風を受けた炭化ケイ素（SiC）市場だが、ロームは次の成長を見据えて開発の手を緩めていない。
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東京地下鉄（東京メトロ）と三菱電機は、鉄道用「同期リラクタンスモータシステム：SynTRACS」と「超小型VVVFインバータ装置」を組み合わせた新たな主回路システムを、東京メトロの東西線05系車両に導入すると発表した。これらの組み合わせを鉄道の主回路システムに導入するのは世界初となる。
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レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功した。同社によると、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。
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AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。
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ルネサス エレクトロニクスは、同社初となる100V耐圧のEモードGaNパワートランジスタ製品群を発売した。AIデータセンターやヒューマノイドロボットなど向けに、超高速スイッチングと優れた放熱性能を実現する。
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ルネサス エレクトロニクスが、同社初となる低耐圧窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスとして、100V耐圧のエンハンスメントモード（Eモード）GaN FETを発表した。AIデータセンターの電源システムやヒューマノイドロボット、産業用モーターなどをターゲットとする。
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STMicroelectronics（以下、ST）が、ヒューマノイドをはじめとするロボティクス市場への取り組みを強化している。「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）でもロボティクス市場向けの展示が目立った。
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onsemiがパワー半導体向けの新アーキテクチャ「Embedeed Power Platform（EPP）」を発表した。12インチシリコンウエハーそのものをパッケージとして活用する技術で、電気／熱／機械特性の協調最適化を行えるため、設計期間を大幅に短縮できる可能性がある。
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2026年10月2日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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住友金属鉱山は、パワー半導体の接合材料などに用いられる「ナノ銅粉」の量産を青梅事業所で開始した。
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OKIエンジニアリングは、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI（Alternating Current - Bias Temperature Instability）試験サービス」を2026年11月2日から強化すると発表した。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。
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ヒューマノイドロボットには最大70程度のモーター制御系が搭載され、半導体の部品表（BOM）の40〜50％をモーター制御関連が占める――。Infineon Technologiesは、ヒューマノイド1台当たりで同社が獲得可能な半導体市場を平均約500米ドルと試算。特にモーター制御では窒化ガリウム（GaN）の採用拡大を見込んでいる。
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Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。
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OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。
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東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。
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住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。
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2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。
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住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。
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ニュースでよく聞く「半導体」。「GPUのことね」「AI時代に重要なんでしょ」という認識はあっても、その本質を理解できていますか？ 半導体が重要視される理由を基礎から解説します。
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2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。
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ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。
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レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。
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2026年9月15日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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アドバンスコンポジットは、熱伝導率580W/m・Kという高い放熱性能と、低い熱膨張率を両立したグラファイトアルミ複合素材「ACM-H6」を開発した。
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インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies（以下、ソーラーエッジ）との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の技術開発を加速させる。
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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。
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5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。
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住友化学は、AIデータセンターの省電力化やデータ処理の高速化に貢献する「InPエピウエハー」の量産体制を茨城工場で確立し、販売を開始した。
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本稿では、2026年上半期の半導体業界を振り返る。
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2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。
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Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。
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AIが導き出した最適解は、なぜ最適なのか？ NTTが開発した「AI駆動型ラボ」は、ロボットとAIを組み合わせ、これまでブラックボックスだった実験結果を人間が理解できる「ルール」に変換する。同技術は、次世代半導体の開発サイクルを3倍に高速化し、世界初の成果を生み出した新技術に迫る。
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Gartnerは、2026年の世界半導体市場が前年比92％増の1兆5552億米ドルに達するとの予測を発表した。AIインフラへの継続的な投資とメモリ価格の上昇が市場を大きく押し上げる。特にメモリ市場は8373億米ドルと、半導体市場全体の54％を占める見通しだ。
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「UGREEN Nexode 45W PD充電器」がAmazonのタイムセールにて30％オフの2785円で登場。2つのUSB Type-Cポートを備え、最大45W出力やPPS規格に対応。スマホやノートPCを効率よく急速充電できる。
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富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。
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NTTは、AIとロボットを組み合わせた自律実験によって半導体材料の成膜条件を最適化するとともに、その過程で得られたデータから、人が理解／転用できる「成膜ルール」を抽出する技術を実証した。次世代パワー半導体材料として期待されるβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）を用いた実験では、「スパッタ法として世界で初めて」（NTT）の単結晶薄膜の作製にも成功した。
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フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。
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Power Diamond Systemsと東レリサーチセンターは、次世代ダイヤモンド半導体デバイスの評価に関する共同研究を開始した。ナノスケールで材料の微細構造や界面、不純物、欠陥などを解析し、デバイス性能や信頼性との関係を明らかにすることで、実用化／量産化に向けた開発を加速する。
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AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。
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