最新記事一覧
onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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エイブリックは、車載カメラモジュール向けの3チャンネル出力パワーマネジメントIC「S-19560B」シリーズを発売した。DC-DC2系統とLDO1系統を搭載していて、実装面積を縮小できる。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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エイブリックは2025年11月25日、車載カメラ向けの小型パワーマネジメントIC（PMIC）「S-19560B」シリーズを発売した。降圧DC-DCコンバーター2チャネルとLDOレギュレーター1チャネルの計3チャネル出力で、同社の小型LDOと組み合わせれば「実装面積を約20％縮小できる」という。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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Texas Instrumentsの日本法人である日本テキサス・インスツルメンツは「EdgeTech＋ 2025」（2025年11月19〜21日、パシフィコ横浜）にて、「先進的半導体技術が切り拓くヒューマノイドロボットの未来」と題した基調講演に登壇。大きな変化を遂げてきたロボティクス技術のこれまでと現在、そしてヒューマノイドロボティクスの発展に向けて必要とされる技術、TIが提供するソリューションについて取り上げた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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onsemiは、AIデータセンターやEVなどの高電力アプリケーション向けに、次世代縦型GaNパワー半導体を発表した。GaN-on-GaN構造で高電力密度と効率を両立し、損失を約50％低減する。
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Nordic Semiconductorは「EdgeTech+ 2025」に出展し、超低電力ワイヤレスSoC（System on Chip）「nRF54シリーズ」を使ったAI対応電動歯ブラシや、パワーマネジメントIC（PMIC）「nPMシリーズ」採用の充電不要スマートリングなどを展示した。
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自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年11月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『欧州が直面する半導体戦略の「理想と現実」』です。
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半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。
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クラウドAI向けでよく語られる3次元実装だが、UCMの担当者は先進パッケージングはエッジAIにこそ向いていると語る。
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STマイクロエレクトロニクスは、電源設計を簡略化し、可聴ノイズを抑えるGaNフライバックコンバーターICシリーズを発表した。独自技術で負荷を低減し、電源や充電器の動作音を抑える。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。
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10月28日に日米両政府が発表した対米投資の「ファクトシート」で同社がデータセンター向け発電システムなどの投資に関心を示しているとされたことに言及。
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ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
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Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。
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アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。
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デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。
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矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。
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onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
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ディスコは2025年10月29日、2025年度第2四半期の決算を発表した。前年同期比で増収増益の結果で、2025年度上期で見ると、売上高は1945億円と、上期として過去最高の結果を記録したという。
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田中貴金属が、半導体向け事業を強化している。長年の経験で培った貴金属の知見を強みに、インドなどの半導体新興市場への展開も視野に入れる。今回は、「SEMICON India 2025」に出展した製品から、ダイボンド向け銀接着剤、ボンディングワイヤ、プローブピン材料の3製品を紹介する。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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太陽ホールディングスは、2025〜2030年を対象とした新中期経営計画で、コア事業であるソルダーレジストインキの全方位的な成長に加え、次世代の利益の柱となる新規事業創出を加速するとした。本稿ではこれを踏まえて、同社のエレクトロニクス事業で中核を担う太陽インキ製造 取締役／技術開発センター長の宮部英和氏へのインタビューを通じ、同事業の取り組みを深掘りする。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。
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半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。
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Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。
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JEITAは、同社主催の「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）で、学生向けに半導体産業を紹介するブース「JEITA半導体フォーラム2025」を、半導体企業9社と共同で出展。「半導体産業人生ゲーム」「黒ひげ危機一発×半導体産業人生占い」などが展開される。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載向けPMIC「SPSA068」を発表した。単電源で動作するマイクロコントローラー向けで、AEC-Q100やISO26262機能安全に対応。既に量産を開始している。
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欧州の半導体大手STMicroelectronicsを誕生させた功績を持つPasquale Pistorio氏がイタリア・ミラノにおいて89歳で死去した。本稿では、同氏の歩みとその功績を振り返る。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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国土交通省が主催する「鉄道分野のGXに関する官民研究会」は、2040年を見据えた鉄道分野のGX推進に向けた目標設定や戦略について検討を行い、その基本方針を取りまとめた。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。
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半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。
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