最新記事一覧
ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。
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三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。
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東京エレクトロン デバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で協業する。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。
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2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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“日の丸××”には苦い記憶が。にんともかんとも……。
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早稲田大学や物質・材料研究機構（NIMS）、日本原子力研究開発機構、東京大学および、名古屋大学の研究グループは、自然界には存在しない構造を持った2次元酸化鉄を作製することに成功した。
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デンソーは中期経営計画説明会「DENSO DIALOG DAY 2026」で、新たな中期経営計画「CORE 2030」の策定を発表した。3本の柱を成長戦略に、2030年の売上高8兆円以上、営業利益10％以上を目指す。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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日本のパワー半導体業界では、デンソーによるローム買収提案や、ローム／東芝／三菱電機の3社連合など、再編にまつわる話題が相次いだ。今回は、電気自動車（EV）市場に関する各半導体メーカーの見解を振り返りながら、パワー半導体の新たな成長市場についても考察する。
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「数十年前の日本」なのかもしれません。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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デンソーが2026〜2030年度の中期経営計画「CORE 2030」について説明。「商品づくりの強化」「モノづくりの革新」「人づくり・パートナー協創」という3本柱の成長戦略に基づき、2030年度に売上高8兆円以上、営業利益率10％以上、ROE11％以上などの目標達成を目指す。
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電子回路基板（PCB）を手掛けるメイコーは、プレス向けセミナーを開催。高密度配線のニーズに向けて開発を進める、モジュール／パッケージ基板や高多層基板、部品内蔵基板などの技術について紹介した。
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電力需要の増大でパワー半導体の性能向上の重要性が高まる中、次世代パワー半導体の研究開発が進んでいる。中でも優れた物性値を誇り、「究極の半導体材料」と称されるのがダイヤモンドだ。ダイヤモンド半導体の研究を進めるPower Diamond Systems（PDS） Co-Founder&CEOの藤嶌辰也氏、同社 事業連携統括 宇田川昌和氏に、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた同社の取り組みについて聞いた。
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Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。
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Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
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長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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アプライドマテリアルズジャパンは、プレスラウンドテーブル「次世代トランジスタ技術によるAI性能の最大化」を開催し、2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種を紹介した。
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米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。
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基礎研究から実用化までをいかにスピードアップできるかが、鍵だと思います。
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半導体を作ってるだけでは半導体メーカーとはいえません。
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Vishayが1200V対応SiCパワーモジュール5製品を発表した。SOT-227パッケージで既存ソリューションのドロップイン置き換えに対応し、EV充電器や太陽光インバーターなどで高効率化を実現する。
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デンソーがロームに対して買収提案を行った――。2026年3月6日、日本経済新聞が報じたこのニュースは、国内パワー半導体業界に大きな波紋を広げました。
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今回はGaNパワー半導体の基本特性やSi、SiCとの性能比較、用途ごとの住み分け、設計時の注意点について説明します。
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ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワー半導体に向けて直径150mm（6インチ）酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーのサンプル出荷を始める。2027年には150mm β-Ga2O3エピウエハーのサンプル出荷を開始し、2029年の本格量産を目指す。
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Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年2月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「CES 2026」 フィジカルAI黎明期』です。
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編集部が選んだ2026年の注目技術を紹介する。
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レゾナック・ホールディングスは、2025年12月期の連結業績で、AIサーバ向け先端材料の高い需要を背景に、半導体／電子材料セグメントのコア営業利益が過去最高を更新したと発表した。
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Infineon Technologiesはドイツ・ドレスデンにおける300mmウエハー新工場の建設が前倒しで進んでいて、開所は2026年7月2日になると明かした。3年で10倍の成長を見込むAIデータセンター向け電源事業の需要に対応するため、フル稼働時には年50億ユーロ程度の売上高を見込むとする同工場の生産立ち上げを加速していく。
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トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。
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オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。
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ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。
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東芝は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの性能を高める2つの次世代ゲートドライバー技術を発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源で用いられるSiCパワーデバイスの高効率化／小型化／信頼性向上を実現するものだ。
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東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28％の損失低減と58％のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84％の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。
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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、再興に向けて注目を集める「日の丸半導体」をテーマに、日本の半導体業界を巡る市場動向や企業の取り組み、世界から見た現状に関する記事をまとめた。
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「オートモーティブワールド2026」の構成展の一つである「第18回 ［国際］カーエレクトロニクス技術展」で披露された、車載ネットワークをはじめとするカーエレクトロニクス関連の展示レポートをお送りする。
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AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
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SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。
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Infineon Technologiesの炭化ケイ素（SiC） MOSFETがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用された。車載充電器（OBC）およびDC-DCコンバーターに搭載。Infineonは「SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧によって航続距離の延伸と充電時間の短縮の実現に寄与する」としている。
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Allegro MicroSystemsのACS37100は、10MHz帯域と高速応答を備え、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC） FETを用いる電力変換システムで高精度な電流検出を可能にするデバイスである。
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ロームが2025年度通期の業績予想を上方修正した。売上高は前回予想比200億円増の4800億円。営業利益は同10億円増の60億円、純利益も同10億円増の100億円と見込む。前年同期比では売上高が7.0％増になる他、営業利益、純利益はそれぞれ400億円、500億円の赤字からの黒字転換になる。
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生成AIの利用拡大やデータセンター投資の活発化などを背景に半導体需要が急増している。その中で、半導体製造工程の自動化と効率化を支える存在として注目されているのが、クリーンルーム対応の産業用ロボットだ。三菱電機では、最大可搬質量20kgの垂直多関節クリーンロボットの新モデル「RV-20FRL」を投入した。累計1万台を超える導入実績を持つ同社クリーンロボットの特徴と、新モデル投入の狙いに迫った。
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オリックス不動産が埼玉県北足立郡伊奈町で開発を進めて来た延べ床面積3万3523平方メートルのマルチテナント型物流施設「伊奈ロジスティクスセンター」が完成した。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
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MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
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