最新記事一覧
ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。
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onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。
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ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。
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Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
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Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
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インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。
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日置電機は、高周波かつ大電流領域の電流波形観測に対応した電流プローブ「CT6704」「CT6705」を発売した。SiC／GaNインバーターやDC-DCコンバーターなどの電流波形観測に使用できる。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
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「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。
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DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2026年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2026年1〜3月）」をお送りする。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。
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三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
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フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。
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ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。
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住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向け固形エポキシ樹脂封止材料「EME-G785」シリーズの量産を開始した。ガラス転移温度は230℃で、SiCモジュールでの絶縁信頼性向上に寄与する。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。
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Infineon Technologiesは、最大205℃までの連続動作に対応するEV用インバーター向けの1300V耐電圧SiCパワーモジュールを発売した。既存のプラットフォームへのシームレスな組み込みが可能で、システムの高出力化や低コスト化に貢献する。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。
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インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。
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マイクロチップ・テクノロジーは、AIハイパースケールデータセンターや高電圧電源向けに、SST対応の3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」の提供を開始した。100〜300Aレンジをカバーし、EV充電インフラや鉄道および大型輸送機器の補助電源などの用途も想定する。
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Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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2026年7月15日（水）〜17日（金）にかけて、「TECHNO-FRONTIER（テクノフロンティア） 2026」が東京ビッグサイトで開催される。今回の見どころを編集部の視点で探る。
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さすがに、このままのペースで成長するとは考えにくいです。
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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、開催を間近に控えた専門技術展「TECHNO-FRONTIER」の、2025年の展示の模様をまとめた。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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「EE Times Japan 2026年5月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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米Knowles Electronicsの日本法人であるノウルズ・エレクトロニクス・ジャパンは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」（2026年5月27〜29日、パシフィコ横浜）に出展し、車載向けMLCC製品を紹介した。軍需産業向けで培った耐久性、信頼性の高さが車載でも活用されているという。
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住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向けに業界最高水準のガラス転移温度230℃を実現したエポキシ樹脂封止材料「EME-G785シリーズ」の量産を開始した。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
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2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
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他国との交流は政治、ビジネス、文化などさまざまな形があります。どれかがうまくいかないことがあっても他の形はしっかり続いてほしいなと思います。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
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デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
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富士電機は2026年5月26日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の小型化／低損失化を実現する立体配線構造を開発したと発表した。従来比で製品体積を約5割削減できたほか、モジュール内部回路配線のインダクタンスを約7割、スイッチング損失を約5割低減したという。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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技術商社のマルエム商会が炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社が正規代理店を務める国内外メーカーのSiC関連製品や技術を組み合わせ、日本の顧客に提案するという。同社は記者会見を開催し、同社のSiCビジネスについて説明したほか、急速に進展している中国SiC業界の現状についても解説した。
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東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V（最大破壊電界8MV/cm）を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。
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富士経済は、パワー半導体の世界市場調査結果を発表した。2035年の市場規模は2025年比95.7％増の7兆3495億円に達する予測だ。次世代製品の実用化が市場をけん引する。
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今回は、マルエム商会のSiC製品ビジネスに関連する中国の市場動向について、つらつら語っています。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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