最新記事一覧
Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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さすがに、このままのペースで成長するとは考えにくいです。
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「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、開催を間近に控えた専門技術展「TECHNO-FRONTIER」の、2025年の展示の模様をまとめた。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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「EE Times Japan 2026年5月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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米Knowles Electronicsの日本法人であるノウルズ・エレクトロニクス・ジャパンは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」（2026年5月27〜29日、パシフィコ横浜）に出展し、車載向けMLCC製品を紹介した。軍需産業向けで培った耐久性、信頼性の高さが車載でも活用されているという。
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住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向けに業界最高水準のガラス転移温度230℃を実現したエポキシ樹脂封止材料「EME-G785シリーズ」の量産を開始した。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
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2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。
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他国との交流は政治、ビジネス、文化などさまざまな形があります。どれかがうまくいかないことがあっても他の形はしっかり続いてほしいなと思います。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
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デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。
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富士電機は2026年5月26日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の小型化／低損失化を実現する立体配線構造を開発したと発表した。従来比で製品体積を約5割削減できたほか、モジュール内部回路配線のインダクタンスを約7割、スイッチング損失を約5割低減したという。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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技術商社のマルエム商会が炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社が正規代理店を務める国内外メーカーのSiC関連製品や技術を組み合わせ、日本の顧客に提案するという。同社は記者会見を開催し、同社のSiCビジネスについて説明したほか、急速に進展している中国SiC業界の現状についても解説した。
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東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V（最大破壊電界8MV/cm）を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。
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富士経済は、パワー半導体の世界市場調査結果を発表した。2035年の市場規模は2025年比95.7％増の7兆3495億円に達する予測だ。次世代製品の実用化が市場をけん引する。
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今回は、マルエム商会のSiC製品ビジネスに関連する中国の市場動向について、つらつら語っています。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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京都大学 工学研究科 准教授の金子光顕氏は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高温動作LSIの研究開発と事業化に取り組んでいる。まずは高温環境向けのA-Dコンバーター（ADC）開発を進め、2028〜2029年ごろのサンプル出荷を目指す。SiC LSIの可能性や社会実装に向けた課題、事業化の展望について聞いた。
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ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
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レゾナックは2026年5月13日、2026年12月期第1四半期（2026年1〜3月）の決算を発表した。売上高は3079億円で前年同期比4.1％減、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は336億円で同126.4％増、純利益は153億円で同74.6％増だった。減収も半導体・電子材料の好調やケミカルの赤字縮小などで増益した。
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ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。
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ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30％低減している。
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ボッシュは、同社として第3世代となる炭化ケイ素（SiC）チップを開発し、サンプル出荷を始めた。従来品に比べ性能を20％向上させつつ、チップサイズの小型化を図った。製造能力も強化し、ドイツと米国の製造拠点で数十億ユーロを投資する。
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ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。
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マイクロチップ・テクノロジーは、AIサーバやデータセンター、車載、産業機器向けDSC「dsPIC33AK256MPS306」を発表した。78ピコ秒の分解能を有するPWMを搭載している。
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EE Times Japan／EDN Japanは2026年5月20日（水）、オンラインセミナー「パワーデバイスセミナー 2026 春 『省エネの主役』に躍り出たパワー半導体の最前線」を開催いたします。
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富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。
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三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。
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マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。
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AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
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ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。
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マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。
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三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。
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東京エレクトロン デバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で協業する。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。
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2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。
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SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。
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“日の丸××”には苦い記憶が。にんともかんとも……。
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早稲田大学や物質・材料研究機構（NIMS）、日本原子力研究開発機構、東京大学および、名古屋大学の研究グループは、自然界には存在しない構造を持った2次元酸化鉄を作製することに成功した。
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デンソーは中期経営計画説明会「DENSO DIALOG DAY 2026」で、新たな中期経営計画「CORE 2030」の策定を発表した。3本の柱を成長戦略に、2030年の売上高8兆円以上、営業利益10％以上を目指す。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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日本のパワー半導体業界では、デンソーによるローム買収提案や、ローム／東芝／三菱電機の3社連合など、再編にまつわる話題が相次いだ。今回は、電気自動車（EV）市場に関する各半導体メーカーの見解を振り返りながら、パワー半導体の新たな成長市場についても考察する。
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「数十年前の日本」なのかもしれません。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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デンソーが2026〜2030年度の中期経営計画「CORE 2030」について説明。「商品づくりの強化」「モノづくりの革新」「人づくり・パートナー協創」という3本柱の成長戦略に基づき、2030年度に売上高8兆円以上、営業利益率10％以上、ROE11％以上などの目標達成を目指す。
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電子回路基板（PCB）を手掛けるメイコーは、プレス向けセミナーを開催。高密度配線のニーズに向けて開発を進める、モジュール／パッケージ基板や高多層基板、部品内蔵基板などの技術について紹介した。
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