最新記事一覧
デンソーがロームに対して買収提案を行った――。2026年3月6日、日本経済新聞が報じたこのニュースは、国内パワー半導体業界に大きな波紋を広げました。
()
今回はGaNパワー半導体の基本特性やSi、SiCとの性能比較、用途ごとの住み分け、設計時の注意点について説明します。
()
ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワー半導体に向けて直径150mm（6インチ）酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーのサンプル出荷を始める。2027年には150mm β-Ga2O3エピウエハーのサンプル出荷を開始し、2029年の本格量産を目指す。
()
Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。
()
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年2月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「CES 2026」 フィジカルAI黎明期』です。
()
編集部が選んだ2026年の注目技術を紹介する。
()
レゾナック・ホールディングスは、2025年12月期の連結業績で、AIサーバ向け先端材料の高い需要を背景に、半導体／電子材料セグメントのコア営業利益が過去最高を更新したと発表した。
()
Infineon Technologiesはドイツ・ドレスデンにおける300mmウエハー新工場の建設が前倒しで進んでいて、開所は2026年7月2日になると明かした。3年で10倍の成長を見込むAIデータセンター向け電源事業の需要に対応するため、フル稼働時には年50億ユーロ程度の売上高を見込むとする同工場の生産立ち上げを加速していく。
()
トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。
()
オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。
()
ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。
()
東芝は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの性能を高める2つの次世代ゲートドライバー技術を発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源で用いられるSiCパワーデバイスの高効率化／小型化／信頼性向上を実現するものだ。
()
東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28％の損失低減と58％のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84％の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。
()
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、再興に向けて注目を集める「日の丸半導体」をテーマに、日本の半導体業界を巡る市場動向や企業の取り組み、世界から見た現状に関する記事をまとめた。
()
「オートモーティブワールド2026」の構成展の一つである「第18回 ［国際］カーエレクトロニクス技術展」で披露された、車載ネットワークをはじめとするカーエレクトロニクス関連の展示レポートをお送りする。
()
AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
()
SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。
()
Infineon Technologiesの炭化ケイ素（SiC） MOSFETがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用された。車載充電器（OBC）およびDC-DCコンバーターに搭載。Infineonは「SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧によって航続距離の延伸と充電時間の短縮の実現に寄与する」としている。
()
Allegro MicroSystemsのACS37100は、10MHz帯域と高速応答を備え、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC） FETを用いる電力変換システムで高精度な電流検出を可能にするデバイスである。
()
ロームが2025年度通期の業績予想を上方修正した。売上高は前回予想比200億円増の4800億円。営業利益は同10億円増の60億円、純利益も同10億円増の100億円と見込む。前年同期比では売上高が7.0％増になる他、営業利益、純利益はそれぞれ400億円、500億円の赤字からの黒字転換になる。
()
生成AIの利用拡大やデータセンター投資の活発化などを背景に半導体需要が急増している。その中で、半導体製造工程の自動化と効率化を支える存在として注目されているのが、クリーンルーム対応の産業用ロボットだ。三菱電機では、最大可搬質量20kgの垂直多関節クリーンロボットの新モデル「RV-20FRL」を投入した。累計1万台を超える導入実績を持つ同社クリーンロボットの特徴と、新モデル投入の狙いに迫った。
()
オリックス不動産が埼玉県北足立郡伊奈町で開発を進めて来た延べ床面積3万3523平方メートルのマルチテナント型物流施設「伊奈ロジスティクスセンター」が完成した。
()
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
()
MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。
()
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。
()
トレックス・セミコンダクターは2026年1月20日、炭化ケイ素（SiC）を採用した650Vショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズ」を発表した。性能指数（FOM）を抑えつつ高いサージ電流耐量（IFSM）を両立したという。
()
次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
()
三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。
()
三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。
()
フェニテックセミコンダクターは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、同社が使用する貼り合わせSiC基板「SiCkrest（サイクレスト）」などを紹介した。
()
富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
()
ヌヴォトン テクノロジーは、波長379nmの紫外半導体レーザーの出力を同社従来品比で倍増となる1.0Wを達成した「高出力 1.0W 紫外（379nm）半導体レーザ」を開発した。主に、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光装置の微細化や加工速度向上の用途に向ける。
()
三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。
()
Wolfspeedが、単結晶300mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハーの生産に成功したと発表した。同社は「当社はSiCの300mm化によって世界で最も要求の厳しい半導体アプリケーションの一部で新たな性能の上限と製造におけるスケーラビリティを実現する」と述べている。
()
オンセミ（onsemi）は、シリコン（Si）／シリコンカーバイド（SiC）／窒化ガリウム（GaN）の3材料をそろえたパワーデバイスと、イメージセンサーや超音波センサーなどの幅広いセンシング技術で攻勢をかけている。「日本に製造拠点を持つ数少ない外資系半導体メーカーとして、オンセミは日本市場を非常に重視している」と語る日本法人社長の林孝浩氏に、2025年の振り返りと2026年の事業戦略を聞いた。
()
富士電機とRobert Bosch（ロバ―ト・ボッシュ／以下、ボッシュ）が、電動車（xEV）向けで互換性のある炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを開発する。2025年12月に合意を発表した。
()
Wolfspeedは、パワーサイクル耐性を最大3倍に高めた1200V SiCパワーモジュールを発表した。eモビリティ用途向けに高電流化と低損失化を実現する。
()
富士経済によると、炭化ケイ素（SiC）ウエハーの世界市場は、2025年見込みの1943億円に対し、2035年は約3倍の5724億円規模になるという。今後は、中国を中心に8インチウエハーを用いたパワー半導体デバイスの製造が本格化する見通しだ。
()
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
()
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
()
2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
()
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
()
SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。
()
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
()
半導体素材によって、トランジスタの音がどう変わるか気になります。
()
村田製作所は、3225Mサイズで定格電圧1.25kV、C0G特性を備えた静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーを商品化した。高耐圧と安定した容量により車載電源回路の高効率化に貢献する。
()
Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。
()
2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。
()
SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
()
村田製作所は、3225Mサイズで、静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーの量産を開始した。定格電圧は1.25kVで、C0G特性を備える。車載オンボードチャージャーや民生用高性能電源の電源回路での用途に適する。
()