最新記事一覧
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
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半導体素材によって、トランジスタの音がどう変わるか気になります。
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村田製作所は、3225Mサイズで定格電圧1.25kV、C0G特性を備えた静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーを商品化した。高耐圧と安定した容量により車載電源回路の高効率化に貢献する。
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Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。
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2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。
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SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
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村田製作所は、3225Mサイズで、静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーの量産を開始した。定格電圧は1.25kVで、C0G特性を備える。車載オンボードチャージャーや民生用高性能電源の電源回路での用途に適する。
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オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。
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インフィニオン テクノロジーズは、コアレス磁気電流センサー「TLE4971」「TLI4971」を発表した。DSO-16パッケージを採用し、温度範囲と製品寿命全体にわたる合計誤差を0.7％に抑えている。
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NTTは、窒化アルミニウム（AlN）系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」（同社）成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム（Al）組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。
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村田製作所は、外形寸法が3.2×2.5mmの3225Mサイズで、静電容量が最大15nFの積層セラミックコンデンサーを開発、量産を始めた。定格電圧は1.25kVで、温度が変化しても容量変化がほとんどないC0G特性に対応している。
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窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。
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インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。
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レゾナックは2025年11月13日、2025年12月期第3四半期の決算を発表した。半導体・電子材料セグメントが増収増益するも、他4セグメントが減収減益だったことから、連結業績は減収増益になった。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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インフィニオン テクノロジーズは、同社のパッケージ「EasyPACK」の次世代ファミリー「EasyPACK C」を発表した。最初の製品として、SiCパワーモジュールの提供を開始している。
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バンダイナムコミュージックライブは、声優ユニット・蓮ノ空女学院スクールアイドルクラブによる8枚目のシングルCD「はじまりの羽音」を発売延期すると発表した。制作進行に不備があり、ジャケットイラストに誤りがあったという。
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矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。
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ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
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ロームの2025年度上期（2025年4〜9月）売上高は前年同期比5.3％増の2442億円、営業損益は前年同期の9億円の赤字から76億円の黒字に、純利益は同398.9％増の103億円になった。この結果を受け、同社は通期計画を上方修正した。
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Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。
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デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。
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矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。
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onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年10月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『IoTセキュリティの現在地――深刻な失敗例と教訓、規制の後押し』です。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。
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半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。
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ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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東日本旅客鉄道（JR東日本）は、三菱電機が開発中の次世代車両駆動用インバーター装置（次世代VVVFインバーター装置）を山手線E235系電車に試験搭載し、制御状態やメンテナンス性などについて確認を行う。2026年2月ごろまで試験搭載し、得られた知見を次世代の車両設計・開発に活用していく。
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