最新記事一覧
東北大学は2026年10月21日、半導体の先端パッケージングおよびヘテロ集積化技術に関する研究開発コンソーシアム「T-CHIPS」が発足したと発表した。産学／異業種連携を推進し、半導体後工程技術の研究開発や研究成果の産業界への展開を支援する。
()
2026年10月19日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
()
第一稀元素化学工業は、同社の研磨用従来品種と比べて、研磨速度が1.6倍のジルコニアゾルを開発した。
()
Infineon Technologies（以下、Infineon）が、8インチ（200mm）ウエハーでの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産拡大に向け、基板の調達体制を強化する。同社は2026年10月15日（ドイツ時間）、Wolfspeedと8インチSiCウエハーに関する複数年の供給契約を締結したと発表した。
()
京大発スタートアップのFLOSFIAは、酸化ガリウムパワー半導体において、6インチサファイア基板上でのエピタキシャル成膜に成功した。
()
ロームは、半導体組立／テスト（OSAT：Outsourced Semiconductor Assembly and Test）企業への委託を拡大する。まずは既存製品の組立／検査を委託し、現地需要への対応から始める。
()
FLOSFIAが、6インチサファイア基板上への酸化ガリウム（α-Ga2O3）のエピタキシャル成膜に成功した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。2026年中に8インチサファイア基板上での成膜実証を進める計画だ。
()
Infineon Technologiesは、Eatonの中電圧ソリッドステートトランスフォーマー（MVSST）2.0プラットフォーム向けに、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスを供給する。今回の協業は800VDC AIデータセンター電力配分アーキテクチャを対象としている。
()
電気自動車（EV）市場の停滞で一時逆風を受けた炭化ケイ素（SiC）市場だが、ロームは次の成長を見据えて開発の手を緩めていない。
()
東京地下鉄（東京メトロ）と三菱電機は、鉄道用「同期リラクタンスモータシステム：SynTRACS」と「超小型VVVFインバータ装置」を組み合わせた新たな主回路システムを、東京メトロの東西線05系車両に導入すると発表した。これらの組み合わせを鉄道の主回路システムに導入するのは世界初となる。
()
レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功した。同社によると、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。
()
AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。
()
STMicroelectronics（以下、ST）が、ヒューマノイドをはじめとするロボティクス市場への取り組みを強化している。「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）でもロボティクス市場向けの展示が目立った。
()
レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）に関する国際会議「ICSCRM 2026」で、300mm SiC単結晶基板を初公開した。現時点で300mm SiCエピウエハーを販売する計画はないものの、顧客から要望があれば単結晶基板のサンプル提供には対応する。300mm品の開発で得た知見を、150／200mm品の品質向上にも生かす考えだ。【修正あり】
()
Cognexは2026年9月、半導体製造向けの新型ウエハー／パネル識別システム「In-Sight 1750」シリーズを発表した。特殊なマルチ照明モードやエッジAI活用の読み取りエンジン、200万画素イメージセンサーなどで高い読み取りレートを実現する。
()
onsemiがパワー半導体向けの新アーキテクチャ「Embedeed Power Platform（EPP）」を発表した。12インチシリコンウエハーそのものをパッケージとして活用する技術で、電気／熱／機械特性の協調最適化を行えるため、設計期間を大幅に短縮できる可能性がある。
()
2026年10月2日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
()
OKIエンジニアリングは、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI（Alternating Current - Bias Temperature Instability）試験サービス」を2026年11月2日から強化すると発表した。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。
()
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFETにおいて、長期間使用によるゲートしきい値電圧の変動を抑える技術を開発したと発表した。市販のトレンチゲート型SiC MOSFETと比べてゲートしきい値電圧変動を約50％低減し、高効率化と長期信頼性の両立に寄与するとしている。
()
ノリタケは、SiCウエハーなどの研磨工程向けに、ダイヤモンド砥粒を内包した研磨パッド「LumiDia」を開発した。ダイヤモンドスラリーを使わず、水だけでSiCウエハーの端面を研磨できる。ウエハーの欠けや割れ、異物付着を抑え、歩留まり向上や産業廃棄物の低減につなげる。
()
onsemi（オンセミ）はシリコンウエハーをパッケージ基盤として活用し、システム設計を統合するアーキテクチャ「Embedded Power Platform」を発表した。電力密度向上や開発期間短縮に貢献する。
()
京都大学とフェニテックセミコンダクターらは、6インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー全面にn型／p型の接合型電界効果トランジスタ（JFET）を一括作製し、正常動作を確認した。ウエハー中心部では、しきい値電圧のばらつきを標準偏差0.07V以下に抑えた。高温環境向けSiC集積回路（IC）の実用化に向けた成果だという。
()
Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。
()
OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。
()
ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代EV向け電動パワートレインに採用された。高効率化や高性能化に貢献する。
()
ノリタケは、SiCウエハーなどの研磨工程で使用するダイヤモンド砥粒内包型研磨パッド「LumiDia」を開発した。独自構造で効率よく作用し、水のみで高い研磨性能を発揮する。
()
東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。
()
東北大学金属材料研究所の研究グループは、金属溶湯脱成分法（LMD）を用い、800℃（1073K）という比較的低い温度で、「ナノポーラスβ-炭化ケイ素（SiC）」の作製に成功した。
()
2026年9月28日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
()
住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。
()
2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。
()
住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。
()
2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。
()
ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。
()
レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。
()
本連載では、半導体の高性能化において重要性が増す後工程を中心に解説する。前回は、半導体製造工程全体のイメージをつかむため、「前工程」を紹介した。今回は、後工程の入り口となる「ダイシング」について紹介する。
()
アドバンスコンポジットは、熱伝導率580W/m・Kという高い放熱性能と、低い熱膨張率を両立したグラファイトアルミ複合素材「ACM-H6」を開発した。
()
中村留精密工業は、新事業部「半導体・光学事業部」を発足した。半導体材料加工技術と光学分野の精密加工技術を融合させることで、次世代半導体産業の発展に貢献する。
()
インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies（以下、ソーラーエッジ）との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の技術開発を加速させる。
()
Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。
()
電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。
()
5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。
()
京都大学は、炭化ケイ素（SiC）を用いて新構造のトランジスタ素子を開発し、600℃という高温環境での動作を実証した。ジェットエンジン内部や地熱井の底など、極限の高温環境でも動作するセンサーや制御回路に適応できるとみている。
()
トヨタ自動車がレクサスブランドの小型SUV「NX」の新モデルを公開。ハイブリッドシステムの刷新やボディー剛性の大幅な向上、シャシーと車両制御のチューニングなど大幅な改良を施したビッグマイナーチェンジの位置付けとなる。
()
Texas Instruments（TI）は、データ転送速度最大20Mbpsおよびフレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応するCAN XLトランシーバー「TCAN6062」の販売を開始した。
()
2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。
()
Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。
()
NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。
()
富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。
()