最新記事一覧
Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。
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電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。
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5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。
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京都大学は、炭化ケイ素（SiC）を用いて新構造のトランジスタ素子を開発し、600℃という高温環境での動作を実証した。ジェットエンジン内部や地熱井の底など、極限の高温環境でも動作するセンサーや制御回路に適応できるとみている。
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トヨタ自動車がレクサスブランドの小型SUV「NX」の新モデルを公開。ハイブリッドシステムの刷新やボディー剛性の大幅な向上、シャシーと車両制御のチューニングなど大幅な改良を施したビッグマイナーチェンジの位置付けとなる。
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Texas Instruments（TI）は、データ転送速度最大20Mbpsおよびフレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応するCAN XLトランシーバー「TCAN6062」の販売を開始した。
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2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。
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Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。
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NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。
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富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。
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Texas Instruments（TI）は、CAN XL（Controller Area Network extended data-field length）対応トランシーバー「TCAN6062」を発売した。データレートは最大20Mビット/秒で、1フレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応する。商用CAN XLトランシーバーは「業界で初めて」（TI）だという。
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フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。
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パワーデバイスの開発現場における特性評価では、評価用基板への実装や自作治具が多く用いられていて、コストや手間、測定の安定性、安全性などが課題となっている。SDKは、AC 4kV／DC 5.5kV、−20〜＋200℃に対応する開発現場専用のテストソケット「パワーデバイス用高電圧ソケット」を開発した。過酷な条件下でも安定した評価を可能にし、デバイス本来の性能を正確に把握するための新たな選択肢を提案する。
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住友ベークライトは、東北大学との共同研究により小型で高出力密度を実現した「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。樹脂絶縁2層構造にしたことで、パワーモジュールのサイズを従来品の約半分に抑えた。しかも、300kVA/Lというインバーター出力密度に対応する。
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AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。
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住友ベークライトは東北大学と共同で、EV向けパワーユニットの体積を約半分にする「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。この強みは、パワーエレクトロニクス分野における競争優位性を高める重要な要素であり、将来的な成長と収益性の向上に寄与すると確信しているという。
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生成AIの本番利用が広がる中、その処理を支えるAIインフラ分野の競争も激しさを増している。Gartnerは、AI半導体ベンダーの現在の競争における「Companies to Beat」（分野をリードする本命企業）を特定した。
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STマイクロエレクトロニクスは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。すでに量産を開始している。
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マルツエレックは、半導体／電子部品のECサイト「マルツオンライン」や実店舗を通じて、販売・調達サービスと設計開発・試作・少量量産を一気通貫で支援するサービスを提供している。2026年8月には、パワーデバイスやバッテリーのSPICEモデルをサブスクリプションで提供するサービスを開始した。顧客の回路設計、さらには試作の高速化に貢献する。
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GaN／SiCパワー半導体を手掛けるNavitas Semiconductorが、ルネサス エレクトロニクスを特許侵害で提訴した。「SuperGaN」を含む主要GaN製品群が、Navitasの米国特許4件を侵害していると主張している。Navitasの現CEOはルネサスのパワー事業を統括した経歴を持つ。ルネサスは「現時点で当社からのコメントはない」としている。
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レゾナックは、2026年12月期中間期（2026年1〜6月）の決算を発表した。売上高は6768億5200万円で前年同期比5.4％増、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は887億5300万円で同156.5％増、純利益は484億5100万円で同146.5％増だった。けん引するのが半導体・電子材料で、特に後工程材料はAI需要などで前年同期比46％増収を果たした。
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熱波に襲われた欧州。エアコン需要が急速に高まる中、存在感を示しているのが中国メーカーです。
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富士経済によれば、中国のパワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円となる見通し。このうち、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体市場は9702億円になると予測した。
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ロームの2026年度第1四半期業績は、売上高が前年同期比16.8％増の1357億円、営業利益は同4825.6％増の96億円、純利益は203.6％増の90億円で増収増益となった。インバーター向け炭化ケイ素（SiC）デバイスも欧州向け中心に売り上げが伸長するなど自動車向けが好調だったほか、パワーデバイスやLSIを中心にAIサーバ向け事業も拡大した。
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今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。
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ルネサス エレクトロニクスは、半導体製造子会社であるルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリングの高崎工場について、段階的に生産終了した上で閉鎖する方針を決定したと発表した。
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東北大学発ベンチャーのFOXやC＆A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。
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三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。
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三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。
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ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。
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onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。
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ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。
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Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
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Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。
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インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。
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日置電機は、高周波かつ大電流領域の電流波形観測に対応した電流プローブ「CT6704」「CT6705」を発売した。SiC／GaNインバーターやDC-DCコンバーターなどの電流波形観測に使用できる。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
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「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！
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オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。
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DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2026年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2026年1〜3月）」をお送りする。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。
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三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
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フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。
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