最新記事一覧
EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。
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インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。
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レゾナックは2025年11月13日、2025年12月期第3四半期の決算を発表した。半導体・電子材料セグメントが増収増益するも、他4セグメントが減収減益だったことから、連結業績は減収増益になった。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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インフィニオン テクノロジーズは、同社のパッケージ「EasyPACK」の次世代ファミリー「EasyPACK C」を発表した。最初の製品として、SiCパワーモジュールの提供を開始している。
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バンダイナムコミュージックライブは、声優ユニット・蓮ノ空女学院スクールアイドルクラブによる8枚目のシングルCD「はじまりの羽音」を発売延期すると発表した。制作進行に不備があり、ジャケットイラストに誤りがあったという。
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矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。
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ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
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ロームの2025年度上期（2025年4〜9月）売上高は前年同期比5.3％増の2442億円、営業損益は前年同期の9億円の赤字から76億円の黒字に、純利益は同398.9％増の103億円になった。この結果を受け、同社は通期計画を上方修正した。
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Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。
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デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。
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矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。
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onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年10月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『IoTセキュリティの現在地――深刻な失敗例と教訓、規制の後押し』です。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。
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半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。
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ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
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東日本旅客鉄道（JR東日本）は、三菱電機が開発中の次世代車両駆動用インバーター装置（次世代VVVFインバーター装置）を山手線E235系電車に試験搭載し、制御状態やメンテナンス性などについて確認を行う。2026年2月ごろまで試験搭載し、得られた知見を次世代の車両設計・開発に活用していく。
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中国関連のニュースを見るたび、「人が多いってすごい」とつくづく思います。
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レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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山手線「E235系」電車1編成に、省エネ化・小型軽量化した「次世代車両駆動用インバータ装置」を試験搭載。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。
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近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。
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今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。
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ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。
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半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。
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「プロジェクトX」のような話でした。
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物質・材料研究機構（NIMS）は、東北大学や産業技術総合研究所（産総研）と共同で、電力損失を従来の半分以下に抑えることができる鉄系磁性材料を開発した。高周波トランスや電気自動車（EV）の駆動用電源回路といった用途での採用が期待される。
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ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
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