最新記事一覧
GlobalFoundriesが、TSMCと20億米ドル規模の製造契約を締結したと発表した。TSMCの先端パッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）」向けに、シリコンインターポーザーを米国で製造する。
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東京大学は、p型2次元半導体として動作するホウ素炭素窒化物（BCN）を初めて実現するとともに、この単層p型BCNを2インチウエハー上に作製した。原子置換により電子状態を変化させる方法を原子1層のBCNに応用することで実現した。
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Armの最新動向について報告する本連載。今回は、2026年9月の「Arm Everywhere China」で発表された3つの新プロダクト「Arm CSS for Mobile 2」「Arm Total design for Physical AI」「Arm Neoverse CSS N4」について少し詳し目に紹介する。
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AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。
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Cognexは2026年9月、半導体製造向けの新型ウエハー／パネル識別システム「In-Sight 1750」シリーズを発表した。特殊なマルチ照明モードやエッジAI活用の読み取りエンジン、200万画素イメージセンサーなどで高い読み取りレートを実現する。
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onsemiがパワー半導体向けの新アーキテクチャ「Embedeed Power Platform（EPP）」を発表した。12インチシリコンウエハーそのものをパッケージとして活用する技術で、電気／熱／機械特性の協調最適化を行えるため、設計期間を大幅に短縮できる可能性がある。
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ヒューマノイドロボットには最大70程度のモーター制御系が搭載され、半導体の部品表（BOM）の40〜50％をモーター制御関連が占める――。Infineon Technologiesは、ヒューマノイド1台当たりで同社が獲得可能な半導体市場を平均約500米ドルと試算。特にモーター制御では窒化ガリウム（GaN）の採用拡大を見込んでいる。
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京都大学とフェニテックセミコンダクターらは、6インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー全面にn型／p型の接合型電界効果トランジスタ（JFET）を一括作製し、正常動作を確認した。ウエハー中心部では、しきい値電圧のばらつきを標準偏差0.07V以下に抑えた。高温環境向けSiC集積回路（IC）の実用化に向けた成果だという。
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OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。
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2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。
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日清紡マイクロデバイスは新しい3次元実装技術「シリコンマザーボード（Si-MB）」を開発した。小型のシリコン基板の両面にICと外部部品を実装し、1パッケージに収めることで、実装面積を大幅に削減できる。機器やシステムの劇的な小型化に貢献する技術だ。
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ニュースでよく聞く「半導体」。「GPUのことね」「AI時代に重要なんでしょ」という認識はあっても、その本質を理解できていますか？ 半導体が重要視される理由を基礎から解説します。
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フランスの量子プロセッサ新興Quoblyが、商用半導体製造ラインで製造した単一のシリコン（Si）チップ上で、量子ビットの読み出し、1量子ビットゲート、2量子ビットゲートの3つの基本動作を実証したと発表した。STMicroelectronicsの商用300mm製造施設で、FD-SOI CMOSプロセスを用いて製造した。
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クラレは2026年9月、都内で記者説明会を開催。半導体やAIデータセンター分野向けの注力事業および製品を紹介した。
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東レリサーチセンターは、光通信用の半導体やシリコンフォトニクス関連材料を対象に、光通信波長帯を含む近赤外領域
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5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。
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Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。
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ジャパンディスプレイは2026年8月24日、同社の鳥取工場（鳥取市）の売却が完了したと発表した。譲渡益は5億円になる見込みだという。
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旭化成は、炭酸リチウムを活用したリチウムイオン電池を対象としたリチウムプレドープ技術を開発した。同技術は、シリコン系負極などを用いたLIBにおける初回充電時の不可逆容量の課題を解決し、LIBの高エネルギー密度化とコスト競争力向上に貢献することが期待される。
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日清紡マイクロデバイスは、シリコン基板の両面に回路を形成し、ICと受動部品を集積できる3次元実装技術「シリコンマザーボード（Si-MB）」を確立した。この技術を用いて試作した回路ブロックは、ディスクリートで構成した場合に比べ、実装面積を約80％削減できたという。
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AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。
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生成AIの本番利用が広がる中、その処理を支えるAIインフラ分野の競争も激しさを増している。Gartnerは、AI半導体ベンダーの現在の競争における「Companies to Beat」（分野をリードする本命企業）を特定した。
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筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム（He）、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。
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今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。
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Infineon Technologiesは、宇宙／衛星用途向けの耐放射線窒化ガリウム（GaN） HEMTゲートドライバー「RIC70115」を発表した。シリコンFETとGaN HEMTの両方をサポートし、GaNへの移行を容易にする。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
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DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。
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ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。
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インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンター用120V対応ゲートドライバー「EiceDRIVER 2EDL90xG3」シリーズを発表した。SiとGaNの電源設計を共通フットプリントで構築できる。
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今なお工業材料の中心的な存在であり、幅広い用途で利用されている「鉄鋼材料」について一から解説する本連載。第11回は、特殊鋼について説明する。
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ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。
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物質・材料研究機構（NIMS）は、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）成膜を行うため、「アモルファスライク中間層（AL-IL）」と呼ぶバッファ層を形成する技術を開発した。安価なSiウエハー上に縦型GaNデバイスを作製するための基盤技術となる。
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日本特殊陶業とNTKセラミックは「SEMISOL 2026（半導体後工程技術&ソリューション展）」（2026年6月10〜12日、東京ビッグサイト）で、セラミックインターポーザー基板や、優れた放熱特性を持つ直径300mmの窒化アルミニウム基板などを展示した。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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京都大学 工学研究科 准教授の金子光顕氏は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高温動作LSIの研究開発と事業化に取り組んでいる。まずは高温環境向けのA-Dコンバーター（ADC）開発を進め、2028〜2029年ごろのサンプル出荷を目指す。SiC LSIの可能性や社会実装に向けた課題、事業化の展望について聞いた。
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矢野経済研究所は、タンデム型ペロブスカイト太陽電池（PSC）の日本市場を調査し、2040年度までの導入量（累積）を予測した。タンデム（多接合）型と単接合型を合わせた累積導入量は、2040年度に12.5GWを見込む。
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エレファンテックは、無加圧でも十分な接合強度を実現できるパワー半導体向け接合材「SAphire D02」を開発した。半導体チップと基板を接続するダイアタッチ材や基板と放熱プレートを接続するTIM（Thermal Interface Material）として用いることができる。
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富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。
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三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。
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マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。
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AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
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ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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茨城大学の研究グループは、安価で身近な材料と汎用の製造プロセスを用い、波長2.1μmまでの近赤外領域で明瞭な受光感度を示す「赤外イメージセンサー」の開発に成功した。自動運転車や非破壊検査装置などへの応用に期待する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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