最新記事一覧
SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。
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京都大学 工学研究科 准教授の金子光顕氏は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高温動作LSIの研究開発と事業化に取り組んでいる。まずは高温環境向けのA-Dコンバーター（ADC）開発を進め、2028〜2029年ごろのサンプル出荷を目指す。SiC LSIの可能性や社会実装に向けた課題、事業化の展望について聞いた。
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矢野経済研究所は、タンデム型ペロブスカイト太陽電池（PSC）の日本市場を調査し、2040年度までの導入量（累積）を予測した。タンデム（多接合）型と単接合型を合わせた累積導入量は、2040年度に12.5GWを見込む。
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エレファンテックは、無加圧でも十分な接合強度を実現できるパワー半導体向け接合材「SAphire D02」を開発した。半導体チップと基板を接続するダイアタッチ材や基板と放熱プレートを接続するTIM（Thermal Interface Material）として用いることができる。
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富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。
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三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。
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マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。
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AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
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ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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茨城大学の研究グループは、安価で身近な材料と汎用の製造プロセスを用い、波長2.1μmまでの近赤外領域で明瞭な受光感度を示す「赤外イメージセンサー」の開発に成功した。自動運転車や非破壊検査装置などへの応用に期待する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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ジャパンディスプレイが、2025年3月まで車載用液晶パネルを製造していた同社の鳥取工場（鳥取市）を売却すると発表した。売却先は同市の不動産賃貸会社の八幡東栄エステートで、売却額は非公開。
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電力需要の増大でパワー半導体の性能向上の重要性が高まる中、次世代パワー半導体の研究開発が進んでいる。中でも優れた物性値を誇り、「究極の半導体材料」と称されるのがダイヤモンドだ。ダイヤモンド半導体の研究を進めるPower Diamond Systems（PDS） Co-Founder&CEOの藤嶌辰也氏、同社 事業連携統括 宇田川昌和氏に、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた同社の取り組みについて聞いた。
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東京科学大学工学院電気電子系の小寺哲夫准教授と久野拓馬博士後期課程学生および、日立製作所らの研究グループは、天然Si-MOS量子ビットにおいて、環境雑音に強い新たな量子ビット制御方式を開発した。位相変調マイクロ波によるConcatenated Continuous Drive（CCD）方式を適用することで実現した。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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アプライドマテリアルズジャパンは、プレスラウンドテーブル「次世代トランジスタ技術によるAI性能の最大化」を開催し、2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種を紹介した。
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名古屋大学とNU-Reiの研究グループは、酸化ガリウム（Ga2O3）のエピタキシャル成長に関する研究成果6件を、応用物理学会春季学術講演会（2026年3月15〜18日）で発表する。
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今回はGaNパワー半導体の基本特性やSi、SiCとの性能比較、用途ごとの住み分け、設計時の注意点について説明します。
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日立製作所は、ノイズが多い環境でも量子ビットを安定動作できる制御技術を東京科学大学と共同開発した。シリコンを用いた量子ビットにマイクロ波を連続照射し、その位相を制御することで実現した。
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前回に続き、「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介する。TSMCの2.5次元パッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）」において、インターポーザを低コスト化する技術を解説する。
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東芝は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの性能を高める2つの次世代ゲートドライバー技術を発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源で用いられるSiCパワーデバイスの高効率化／小型化／信頼性向上を実現するものだ。
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AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
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TSMC傘下の台湾ファウンドリー企業Vanguard International Semiconductorが、TSMCと650Vおよび80V窒化ガリウム（GaN）技術に関するライセンス契約を締結した。開発は2026年初頭に開始し、2028年上半期に生産開始する予定だ。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
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次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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物質・材料研究機構（NIMS）や東京大学らの研究グループは、MOCVD（有機金属化学気相成長）法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン（MoS2）」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。
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フェニテックセミコンダクターは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、同社が使用する貼り合わせSiC基板「SiCkrest（サイクレスト）」などを紹介した。
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富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
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オンセミ（onsemi）は、シリコン（Si）／シリコンカーバイド（SiC）／窒化ガリウム（GaN）の3材料をそろえたパワーデバイスと、イメージセンサーや超音波センサーなどの幅広いセンシング技術で攻勢をかけている。「日本に製造拠点を持つ数少ない外資系半導体メーカーとして、オンセミは日本市場を非常に重視している」と語る日本法人社長の林孝浩氏に、2025年の振り返りと2026年の事業戦略を聞いた。
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3D CADが使えるからといって、必ずしも正しい設計ができるとは限らない。正しく設計するには、アナログ的な知識が不可欠だ。連載「若手エンジニアのための機械設計入門」では、入門者が押さえておくべき基礎知識を解説する。第12回は、機械設計で使用頻度の高いアルミ合金を取り上げ、その基礎特性とともに、設計実務で重要となる調質や表面処理の考え方を整理する。
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環境省は「SEMICON Japan 2025」に出展し、GaNデバイスを用いたEV「All GaN Vehicle」など、産学官連携による、GaNの技術開発の早期社会実装の支援事業を紹介した。
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Voragoは、従来の宇宙グレード品より大幅に低コストなLEOミッション向け耐放射線マイコンを発表した。衛星コンステレーションの信頼性向上と迅速な導入を可能にする。
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FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
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半導体素材によって、トランジスタの音がどう変わるか気になります。
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onsemiが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体事業で攻勢に出ている――。onsemiは2025年12月18日（米国時間）、650V GaNパワーデバイスの開発と製造においてGlobalFoundries（GF）と協業すると発表した。2026年上半期にもサンプル出荷を開始する予定だ。
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シリコン量子ドット量子ビットは大規模化によって多くの利点をもたらす。imecは300mmウエハーを使って、シリコン量子ドットを大規模化した。
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2025年11月に都内で開催されたimecのフォーラム「ITF Japan 2025」から、三井化学による極端紫外線（EUV）露光用ペリクル（保護膜）の講演を解説する。最先端の半導体製造に不可欠なEUV露光だが、実は、ペリクルに関しては依然として多くの課題がある。三井化学はそれをどう解決しようとしているのか。
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SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
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キオクシアは、高密度／低消費電力の3次元（3D）DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体（InGaZnO）チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。
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NTTは、窒化アルミニウム（AlN）系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」（同社）成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム（Al）組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。
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onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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Googleは太陽光発電衛星群にTPUを搭載し光通信で接続する宇宙AIインフラ構想「Project Suncatcher」を発表した。宇宙の高効率発電を活用し地上資源の負荷軽減とスケーラブルなAI基盤の実現を目指す。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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