最新記事一覧
onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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Googleは太陽光発電衛星群にTPUを搭載し光通信で接続する宇宙AIインフラ構想「Project Suncatcher」を発表した。宇宙の高効率発電を活用し地上資源の負荷軽減とスケーラブルなAI基盤の実現を目指す。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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工学院大学の相川慎也氏らの研究グループは、熱処理を行わない酸化物薄膜トランジスタ（TFT）の製造プロセスを発表した。専用のガス供給装置などを用いずに大気中で完結する簡便なプロセスでありながら、耐熱性の低いプラスチック基板にも適用できるので、基板の選択肢が拡張する。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。最終回の第4回は、チップレット／先端パッケージングによる技術潮流を取り上げた後、製造チェーンとエンジニアリングチェーンが変化していく可能性について解説する。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。
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小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。
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300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。
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本連載で紹介する取り組みは、環境再生保全機構「令和3年度環境研究総合推進費 ジオポリマーコンクリートに資する木質バイオマス燃焼灰の資源化技術の実証開発（JPMEERF2021G03）」で実施した内容の一部である。第1回目の「木質バイオマス燃焼灰の類型化」では、京都大学大学院 教授の高岡昌輝氏をサブテーマリーダーとした研究グループの研究内容を紹介する。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。
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リガクは、半導体向けのマイクロスポット高分解能X線回折システム「XTRAIA XD-3300」の本格的な商業生産を開始した。ウエハー上の40μm角以下の微細パッド上で、数ナノメートル単位の積層構造まで非破壊で高精度に解析できる。
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「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。
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産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は、電極材料にテルル化ビスマス（Bi2Te3）を用い、この薄膜とn型Geを反応させることで、電子が流れやすい界面を形成することに成功した。エネルギー障壁をこれまでの約半分に低減できるという。
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リガクは、半導体ウエハーのパッド上にある超格子構造を、非破壊で高精度に解析できるX線回析システム「XTRAIA XD-3300」の商業生産を本格的に始めた。既に新工場棟も完成するなど生産能力を増強しており、2030年度には約100億円の売上高を見込む。
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リガクはマイクロスポット高分解能X線回折システム「XTRAIA （エクストライア）XD-3300」の本格商業生産を開始した。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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TSMCが窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業から撤退するニュースは大きな話題となった。撤退して後の「リソースの余力」を、TSMCはどこに振り分けるのか。
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横浜国立大学の研究グループは、電源開発や産業技術総合研究所と共同で、排ガス中のCO2とシリコン廃材を直接反応させて、ギ酸を合成することに成功した。
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AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。
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2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。
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総合モーターメーカーのニデックが、ドローン分野への参入をまた一歩前進させた。「Japan Drone 2025」に初出展し、独自開発のESC（電子速度制御装置）と、それを搭載したドローン用モーターを披露。軽量／高効率の設計に加え、エッジAIによる異常検知機能など、空のモビリティーの安全を支える新たな動力技術に注目が集まった。
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ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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レゾナックと東北大学大学院工学研究科、シリコン廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO2）を用いて、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体材料を作製するための研究を共同で行う。
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レゾナックと東北大学は、シリコンウエハーの製造過程で発生する廃棄物であるシリコンスラッジと炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体のSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討が完了し、活用に向けた本格検討を開始した。
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ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。
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ジャパンディスプレイ（JDI）は「JPCA Show 2025」に台湾を拠点に先端半導体パッケージングやセンサーを手掛けるPanelSemiと共同で出展し、セラミック基板上に高精細RDL（再配線層）配線を形成したサンプルを展示した。
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慶應義塾大学は、高効率で磁気トルクを生み出せるスピントロニクス材料を開発した。安価で安定的に入手が可能なシリコンとアルミニウムを用いてナノ傾斜構造で軌道渦を活用し、磁気トルクを生成する。
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京都大学の研究グループは、溶液塗布プロセスを用いて、「水素結合性有機薄膜トランジスタ」を開発することに成功した。溶解性に優れた熱前駆体を用いる薄膜作製法を採用することで、従来の課題を解決した。
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“作ったあとどうするか”にも称賛の声が。
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第一工業製薬は、戦略的資源として位置付けられるリチウムイオン二次電池の需要増に対応するため、滋賀工場で負極用水系複合接着剤「エレクセルCR シリーズ」の生産能力を増強した。
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福岡大学と慶應義塾大学、物質・材料研究機構（NIMS）、中国科学院大学は、シリコン（Si）とアルミニウム（Al）を原子レベルで交互に堆積し、その組成をナノメートルレベルで変える「ナノ傾斜構造」を開発した。そして、この材料が従来のプラチナと比べ、高い効率で磁気トルクを生み出せることを発見した。
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Intelが2025年4月に開催したイベント「Intel Foundry Direct Connect 2025」で注目度が高かったのが「EMIB-T」だ。チップ間をより効率的に接続できるようになるとする。
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秋田大学は、リチウムイオンキャパシター用の「三元複合負極材」を開発した。この負極材を用いて試作したリチウムイオンキャパシターは、129.3Wh/kgという最高エネルギー密度を達成した。
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「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体材料」に関するおすすめをまとめました。
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三菱電機は、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIP」シリーズでは初のSiC製品となる、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」とハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」を発表した。
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京都大学は、室温下で、4H型炭化ケイ素結晶中の単一スピン情報を電気的に読み出すことに成功した。光照射によって生じる光電流を計測するPDMR法を用いて、従来手法の約1.7倍となる信号対雑音比を達成した。
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