最新記事一覧
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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茨城大学の研究グループは、安価で身近な材料と汎用の製造プロセスを用い、波長2.1μmまでの近赤外領域で明瞭な受光感度を示す「赤外イメージセンサー」の開発に成功した。自動運転車や非破壊検査装置などへの応用に期待する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。
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ジャパンディスプレイが、2025年3月まで車載用液晶パネルを製造していた同社の鳥取工場（鳥取市）を売却すると発表した。売却先は同市の不動産賃貸会社の八幡東栄エステートで、売却額は非公開。
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電力需要の増大でパワー半導体の性能向上の重要性が高まる中、次世代パワー半導体の研究開発が進んでいる。中でも優れた物性値を誇り、「究極の半導体材料」と称されるのがダイヤモンドだ。ダイヤモンド半導体の研究を進めるPower Diamond Systems（PDS） Co-Founder&CEOの藤嶌辰也氏、同社 事業連携統括 宇田川昌和氏に、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた同社の取り組みについて聞いた。
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東京科学大学工学院電気電子系の小寺哲夫准教授と久野拓馬博士後期課程学生および、日立製作所らの研究グループは、天然Si-MOS量子ビットにおいて、環境雑音に強い新たな量子ビット制御方式を開発した。位相変調マイクロ波によるConcatenated Continuous Drive（CCD）方式を適用することで実現した。
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今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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アプライドマテリアルズジャパンは、プレスラウンドテーブル「次世代トランジスタ技術によるAI性能の最大化」を開催し、2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種を紹介した。
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名古屋大学とNU-Reiの研究グループは、酸化ガリウム（Ga2O3）のエピタキシャル成長に関する研究成果6件を、応用物理学会春季学術講演会（2026年3月15〜18日）で発表する。
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今回はGaNパワー半導体の基本特性やSi、SiCとの性能比較、用途ごとの住み分け、設計時の注意点について説明します。
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日立製作所は、ノイズが多い環境でも量子ビットを安定動作できる制御技術を東京科学大学と共同開発した。シリコンを用いた量子ビットにマイクロ波を連続照射し、その位相を制御することで実現した。
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前回に続き、「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介する。TSMCの2.5次元パッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）」において、インターポーザを低コスト化する技術を解説する。
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東芝は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの性能を高める2つの次世代ゲートドライバー技術を発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源で用いられるSiCパワーデバイスの高効率化／小型化／信頼性向上を実現するものだ。
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AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
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TSMC傘下の台湾ファウンドリー企業Vanguard International Semiconductorが、TSMCと650Vおよび80V窒化ガリウム（GaN）技術に関するライセンス契約を締結した。開発は2026年初頭に開始し、2028年上半期に生産開始する予定だ。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
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次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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物質・材料研究機構（NIMS）や東京大学らの研究グループは、MOCVD（有機金属化学気相成長）法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン（MoS2）」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。
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フェニテックセミコンダクターは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、同社が使用する貼り合わせSiC基板「SiCkrest（サイクレスト）」などを紹介した。
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富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。
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オンセミ（onsemi）は、シリコン（Si）／シリコンカーバイド（SiC）／窒化ガリウム（GaN）の3材料をそろえたパワーデバイスと、イメージセンサーや超音波センサーなどの幅広いセンシング技術で攻勢をかけている。「日本に製造拠点を持つ数少ない外資系半導体メーカーとして、オンセミは日本市場を非常に重視している」と語る日本法人社長の林孝浩氏に、2025年の振り返りと2026年の事業戦略を聞いた。
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3D CADが使えるからといって、必ずしも正しい設計ができるとは限らない。正しく設計するには、アナログ的な知識が不可欠だ。連載「若手エンジニアのための機械設計入門」では、入門者が押さえておくべき基礎知識を解説する。第12回は、機械設計で使用頻度の高いアルミ合金を取り上げ、その基礎特性とともに、設計実務で重要となる調質や表面処理の考え方を整理する。
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環境省は「SEMICON Japan 2025」に出展し、GaNデバイスを用いたEV「All GaN Vehicle」など、産学官連携による、GaNの技術開発の早期社会実装の支援事業を紹介した。
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Voragoは、従来の宇宙グレード品より大幅に低コストなLEOミッション向け耐放射線マイコンを発表した。衛星コンステレーションの信頼性向上と迅速な導入を可能にする。
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FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
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半導体素材によって、トランジスタの音がどう変わるか気になります。
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onsemiが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体事業で攻勢に出ている――。onsemiは2025年12月18日（米国時間）、650V GaNパワーデバイスの開発と製造においてGlobalFoundries（GF）と協業すると発表した。2026年上半期にもサンプル出荷を開始する予定だ。
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シリコン量子ドット量子ビットは大規模化によって多くの利点をもたらす。imecは300mmウエハーを使って、シリコン量子ドットを大規模化した。
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2025年11月に都内で開催されたimecのフォーラム「ITF Japan 2025」から、三井化学による極端紫外線（EUV）露光用ペリクル（保護膜）の講演を解説する。最先端の半導体製造に不可欠なEUV露光だが、実は、ペリクルに関しては依然として多くの課題がある。三井化学はそれをどう解決しようとしているのか。
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SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。
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キオクシアは、高密度／低消費電力の3次元（3D）DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体（InGaZnO）チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。
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NTTは、窒化アルミニウム（AlN）系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」（同社）成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム（Al）組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。
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onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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Googleは太陽光発電衛星群にTPUを搭載し光通信で接続する宇宙AIインフラ構想「Project Suncatcher」を発表した。宇宙の高効率発電を活用し地上資源の負荷軽減とスケーラブルなAI基盤の実現を目指す。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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工学院大学の相川慎也氏らの研究グループは、熱処理を行わない酸化物薄膜トランジスタ（TFT）の製造プロセスを発表した。専用のガス供給装置などを用いずに大気中で完結する簡便なプロセスでありながら、耐熱性の低いプラスチック基板にも適用できるので、基板の選択肢が拡張する。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。最終回の第4回は、チップレット／先端パッケージングによる技術潮流を取り上げた後、製造チェーンとエンジニアリングチェーンが変化していく可能性について解説する。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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