最新記事一覧
ロームは、プリンタや搬送装置などの民生、産業機器向けアナログ近接センサー「RPR-0730」を発表した。発光素子にVCSEL、受光素子にフォトトランジスタを採用。0.1mm幅の微細線を識別できる。
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産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。
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Rapidusは2025年7月、2nmノードのGAAトランジスタの動作確認を発表した。この迅速な成果は驚異的だが、巨額の資金提供者へのアピールという側面も考えられる。本格的な量産やビジネスに入るには、まだまだ課題がありそうだ。また、米国への輸出における関税問題は、Rapidusのビジネスに大きな影を落としそう。そこで、Rapidusの課題について、いろいろと考えてみた。
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Rapidusは、北海道千歳市にある最先端ファウンドリ「IIM-1」で、2nm GAAトランジスタの試作ウエハーで動作を確認したと発表した。これは、同社が掲げる2027年の量産開始に向けた重要なマイルストーンとなる。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。
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Rapidusは、最先端半導体の開発／生産を行う「IIM-1」（北海道千歳市）で、2nm GAA（Gate All Around）トランジスタの試作を開始し、動作を確認したと発表した。Rapidus 社長兼CEOの小池淳義氏は「2nm GAAトランジスタがこのスピードで本当にできたということに、顧客は非常に驚き、ものすごい期待を持つだろう」と語った。
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東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。
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新興ファウンドリのRapidusは7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAAトランジスタの動作確認に成功したと発表した。
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数兆パラメータを備えるAIモデルを、既存のGPUベースのシステムよりも高速かつ高効率で実行できるとして、ウエハースケール技術に期待が高まっている。米国カリフォルニア大学リバーサイド校（UCR）のエンジニアチームは、過熱や過度な電力消費なしで大量のデータ移動が可能な、フリスビーサイズの半導体チップを開発した。
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EE Times Japan 創刊20周年に合わせて、半導体業界を長年見てきたジャーナリストの皆さまや、EE Times Japanで記事を執筆していただいている方からの特別寄稿を掲載しています。今回は、独自視点での考察が人気のフリージャーナリスト、湯之上隆氏が、2025年の「VLSIシンポジウム」で度肝を抜かれた中国発の論文について解説します。
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筆者は約50年前の1974年に大学を卒業して、大手電機メーカーに就職した。初めての仕事は、当時ベンチャー企業だった警備会社に納入される防犯装置の開発だった。入社当時はまだマイコンは広く一般には販売されておらず、主にリレーやトランジスタを使用した回路が設計されていた。この装置開発で面白い不思議な現象を経験した。
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東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは、新たに開発した結晶化酸化物半導体の形成技術を用い、「ゲートオールアラウンド（GAA）型酸化物半導体トランジスタ」を開発した。酸化物半導体デバイスのさらなる高集積化と高機能化を実現できる可能性が高まった。
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Xiaomiが、独自開発のスマートフォン向け3nmプロセス採用SoCを正式に発表した。最先端の第2世代3nmプロセスを採用し、最大動作周波数3.9GHzのArm Cortex-X925コア2つを含む10コアのCPUおよび16コアのArm Immortalis-G925 GPUなどを搭載。スマートフォンの性能を数値化する「AnTuTuベンチマーク」で300万スコアを達成しているという。
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京都大学の研究グループは、溶液塗布プロセスを用いて、「水素結合性有機薄膜トランジスタ」を開発することに成功した。溶解性に優れた熱前駆体を用いる薄膜作製法を採用することで、従来の課題を解決した。
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Infineon Technologiesは、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNトランジスタとしては世界初となる「CoolGaNトランジスタG5」ファミリーを発表した。デッドタイム損失を低減し、システムの高効率化に寄与する。
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Infineon Technologiesが、「世界初」（同社）となる、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ「CoolGaN Transistors G5」ファミリーを開発した。デッドタイム損失を低減することで電力システムの性能を向上し、システム全体の高効率化を進めると同時に、パワーステージ設計簡素化による部品表（BOM）コスト低減も実現するとしている。
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IBM ResearchとRapidusは、新たなエッチングプロセスであるSLR（Selective Layer Reductions：選択的薄膜化）を用いて、マルチ閾値電圧を持つナノシートGAAトランジスタを製造できるようになったと発表した。
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キオクシアは、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。
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産業技術総合研究所は、生体神経組織の動作を模倣するトランジスタの動作実証に成功した。外部から入力したパルス信号を内部でゆっくりと時間変化する信号に変換することで、生体神経素子のリーク積分と呼ばれる振る舞いを模倣する。
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インテルの半導体製造部門であるIntel Foundryは「第70回 IEDM 2024」において、同社で開発中の次世代半導体製造技術を発表した。半導体業界が、2030年までに1兆個のトランジスタを半導体上に集積することを目指す中で、今後10年間のブレークスルーを支える技術になるとする。
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産業技術総合研究所（産総研）と東京大学、九州大学、兵庫県立大学、名古屋工業大学らによる研究グループは、生体神経組織の動作を模倣できるMOSトランジスタの動作実証に成功した。従来のCMOSトランジスタに比べ100万倍以上もゆっくり動作し、消費電力は500pWと極めて小さい。
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東京大学と物質・材料研究機構（NIMS）の共同研究グループは、フィルム基板上に形成された有機半導体単結晶を用い、精度が高い「薄膜型イオンセンサー」を開発した。従来の半導体を用いたトランジスタ型イオンセンサーに比べ、小型薄型化や低コスト化が可能となる。
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ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
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北海道大学の研究グループは、電子移動度が78cm2/Vsで安定性に優れた「酸化物薄膜トランジスタ」を高知工科大学と共同で開発した。次世代8K有機ELテレビの画面を駆動することが可能となる。
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インフィニオン テクノロジーズは、同社の「CoolGaN」テクノロジーをベースとした、高電圧トランジスタ「650V G5」ファミリーと中電圧トランジスタ「G3」ファミリーを発表した。
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北海道大学の研究グループは、大阪大学と共同で、「熱トランジスタ」の高性能化に成功した。「熱」を自在に操ることができれば、廃熱を有効利用することが可能となる。
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今岡通博氏による、組み込み開発に新しく関わることになった読者に向けた組み込み用語解説の連載コラム。第2回で取り上げるのは「トランジスタ」だ。
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ソニーセミコンダクタソリューションズは、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサーについて、歩留まり改善に向けた取り組みを進めるとともに、フラグシップおよびハイエンドモデルのモバイル向けに第2世代品も検討していることなどを明かした。
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10年以上、先端半導体をけん引してきたFinFETだが、今後は新しいトランジスタ構造であるGAA（Gate-All-Around）への移行が本格化すると考えられる。
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東京工業大学は、水素と触媒反応を利用し、金属と半導体界面の接触抵抗を従来に比べ約3桁も低減させた「アモルファス酸化物半導体（IGZO）トランジスタ」（IGZO-TFT）の開発に成功した。
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東京大学とNTTは、パイクリスタル、東京工業大学とともに、金属元素を一切含まないカーボン系の材料だけを用いて、p型とn型のトランジスタの組み合わせから成る相補型集積回路を開発したと発表した。
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「Blackwell」は2つのGPUダイ（半導体のチップ本体）を10TB／秒の超高速なインタフェース「NV-HBI」で接続し、1つのGPUとして振る舞う仕組みを採用している。トランジスタの数は2080億個に上る。
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米ジョージア工科大学と中国天津大学の研究チームは、グラフェンを用いた機能性半導体の作成に成功したと発表した。SiCの結晶面で成長する単層のグラフェン（エピタキシャルグラフェン）を用いたものだ。
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矢野経済研究所は、次世代有機デバイスの世界市場を調査し、有機トランジスタにおける世界市場規模の予想を発表した。2025年の同市場は1800億円に拡大し、2045年には2025年対比で10.9倍となる1兆9690億円の成長を見込む。
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Power Diamond Systems（PDS）は、pチャネル型のダイヤモンドMOSFETとnチャネル型のSiC-MOSFET／GaN-HEMTを組み合わせた相補型パワーインバーターの開発に着手した。トランジスタの動作周波数を高速化することで構成部品を小型化でき、インバーター自体もさらなる小型化と軽量化が可能となる。
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2022年に、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3nm世代プロセスでの量産を開始したSamsung Electronics。「業界初」（同社）をうたい、開始した3nm世代だが、難易度が高いGAA／ナノシート技術には、Samsungも苦戦しているようだ。
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産業技術総合研究所（産総研）は、0.015K（−273.135℃）という超極低温におけるトランジスタのスイッチング特性を解明した。研究成果は量子コンピュータ用制御回路の設計などに適用できるとみられている。
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東北大学と理化学研究所の研究グループは、インジウムリン系高電子移動度トランジスタ（HEMT）をベースとしたテラヘルツ波検出素子で、新たな検出原理が現れることを発見。この原理を適用して、検出感度を従来に比べ一桁以上も高めることに成功した。6G／7G超高速無線通信を実現するための要素技術として注目される。
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住友電気工業は、新たに開発した結晶技術を用いることで、出力密度を従来の2倍に高めた窒化ガリウムトランジスタ（GaN HEMT）を開発した。ポスト5G基地局向け増幅器の小型化と高性能化が可能となる。
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住友電工は、NEDOが委託する「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の一環で、新規結晶技術を用いて従来比で2倍となる高出力密度を実現した窒化ガリウムトランジスタを開発したと発表した【訂正あり】。
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静岡大学と島根大学の研究チームは、ゲート電圧を制御することにより、シリコントランジスタ上で同時に電子と正孔を存在させることに成功した。しかも、電子と正孔の距離は約5nmと極めて接近しており、「強く束縛したペア（励起子）」を生成していることが分かった。
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Appleの「iPhone 15」。やっぱり2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー（CIS）を採用しているようです。
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東京大学は、強誘電体トランジスタを用いて、電源をオフにしても光位相の情報を失わない不揮発光位相器を開発した。メモリとして強誘電体を用いることで、電源オフの状態でも不揮発動作を光位相器に付与することに成功した。
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東京大学は、光位相器を強誘電体トランジスタで駆動させる新たな手法を開発した。強誘電体中のメモリ効果を利用することで、光位相器の不揮発化に成功した。
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Intelが、有機素材の代わりにガラス素材を使った基板を用いたCPU（半導体）の製造を2020年代後半に開始することを表明した。ガラス基板を用いることで回路の集積度や電力効率のさらなる向上、ゆがみの減少による歩どまりの改善が期待される。
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東北大学は、マイクロ流路を備え、溶液センサーに特化した原子レベル薄膜二硫化モリブデン電界効果トランジスタを作成し、有機ELなどに使用される分子を溶液中で精密に検出することに成功した。
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物質・材料研究機構 （NIMS）と東京理科大学の研究チームは、セラミックス薄膜とダイヤモンドを用い、従来に比べ8.5倍も高速動作する電気二重層トランジスタを開発した。このトランジスタはニューロモルフィック動作を高速かつ高い精度で行えるという。
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東京理科大学らの研究グループは、リチウムイオン伝導性ガラスセラミック基板上にタングステン酸リチウム薄膜を積層した「全固体酸化還元型トランジスタ」を開発した。この素子を物理リザバーに用いれば、機械学習を高速かつ低消費電力で実行できる「ニューロモルフィックコンピューティング」技術を実現できるという。
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