最新記事一覧
Intelは2024年4月19日（米国時間）、高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置のプロトタイプ「TWINSCAN EXE:5000」の組み立てを完了したと発表した。装置は、米国オレゴン州ヒルズボロの「Fab D1X」に設置されていて、「Intelの将来のプロセスロードマップの生産に向けて現在、校正段階に入っている」という。
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Intelが高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置のプロトタイプ「TWINSCAN EXE:5000」の組み立てを完了し、その設置の様子や装置の概要、EUVリソグラフィの仕組みなどを説明する動画を公開した。
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STMicroelectronicsが、次世代「STM32」MCUを、18nmのFD-SOIプロセスで製造すると発表した。この発表、実はかなり興味深い。それはなぜなのか、FD-SOIのこれまでの経緯をたどりながら解説したい。
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STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。
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産業技術総合研究所は、ポリ乳酸の靭性と生分解性の改善に成功した。遺伝子組み換え大腸菌により糖類から生合成した共重合体をブレンドすることで、引張試験で200％を超える伸びに耐えられる。
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積水化学工業は、エム・エム ブリッジや恒栄電設とともに、フィルム型ペロブスカイト太陽電池をプール上に設置するための共同実証実験を、東京都北区で2024年4月3日に開始したと発表した。
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M3チップを搭載したMacBook Airは、先代機同様にファンレス設計だ。この薄っぺらいボディーにこれだけのリッチなプロセッサを搭載しながらファンレスであるというのは、Windows PCの常識では考えられないことだ。3世代目となるApple Siliconの進化や実力が気になるところだ。早速レビューしよう。
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台湾の市場調査会社TrendForceは2024年4月4日、前日に発生した台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震による、半導体工場の最新の被害／稼働状況を発表した。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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自動車用先端SoC技術研究組合は新エネルギー・産業技術総合開発機構の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（委託）」の公募に「先端SoCチップレットの研究開発」を提案し、採択されたと発表した。
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ロームは2023年9月、独自技術を採用したシリコンキャパシターを発表し、同市場に参入した。後発として市場に挑むロームに戦略を聞いた。
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STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。
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STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
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半導体の微細化による「ムーアの法則」が頭打ちになりつつあるなかで注目が集まるチップレット技術。本稿では今後の発展の展望や2023年にあった重要なブレイクスルーなどを紹介する。
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AMDは、コスト効率や電力効率を高めるなど、エッジ向けに最適化したFPGAファミリー「AMD Spartan UltraScale+」を発表した。
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今回は第3章第4節第8項（3.4.8）「パッケージ基板」の概要を説明する。パッケージ基板の変遷と、パッケージ基板に対する要求仕様のロードマップを解説する。
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トレックス・セミコンダクターは2024年2月26日、60V耐圧の300mA 降圧DC-DCコンバーター「XC9702シリーズ」を販売開始した。小型周辺部品に対応することで、実装面積は9.4×7.4mmと、60V耐圧動作において「世界最小クラス」（同社）を実現した。
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JEITA「2022年度版 実装技術ロードマップ」の「パッケージ組立プロセス技術動向」について解説するシリーズ。今回は第3章第4節第6項（3.4.6）「電磁シールド」の概要を説明する。
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Analog DevicesがTSMCとのパートナーシップを拡大。TSMCの製造子会社であるJASM（Japan Advanced Semiconductor Manufacturing）を通じ、長期的なウエハー生産能力の提供を受ける。
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ベルギーimecは、2nm世代の半導体製造プロセスを用いた半導体デバイス設計に向け、PDK（Process Design Kit）を公開する。半導体の設計者が、2nmのような最先端の技術ノードに早期にアクセスできるようにすることが狙いだという。
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日本製鉄は水素還元技術を用いた試験炉において、高炉からのCO2排出量を33％削減することに成功した。同社は2023年8月に同技術による22％削減を確認しており、今回はそれに続く成果だ。
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今回は第3章第4節第5項（3.4.5）「樹脂封止技術（アンダーフィル、モールディング）」の概要を説明する。
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半導体受託生産の世界最大手TSMCが、第一工場と同じ熊本県で第二工場を建設する。2024年内にも着工し、2027年の稼働を目指す。
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物議を醸した『事前情報』通りの発表となりました。
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今回は、第3章第4節第4項（3.4.4）「ダイボンディングおよび電極ボンディング技術」の概要を説明する。
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台湾の半導体受託開発／設計メーカーである Faraday Technology（以下、Faraday）が、Intel 18Aプロセス技術を使用し、Intel Foundry Services（IFS）でArmの「Neoverse」ベースの64コアサーバプロセッサを製造するという。
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台湾の半導体受託製造大手のTSMCは熊本県に2つ目に工場を建設することを発表した。
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TSMC、ソニーセミコンダクタソリューションズ、デンソー、トヨタ自動車は2024年2月6日、TSMCの半導体受託製造子会社Japan Advanced Semiconductor Manufacturing（JASM）の熊本第二工場を建設する計画を正式に発表した。
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IntelとUMCが12nmプロセスの開発／製造で戦略的提携を発表した。両社はこの協業によって何を得るのだろうか。本稿では、この半導体製造パートナーシップの動機について掘り下げていく。
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今回は第3章第4節第3項（3.4.3）「ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」の概要を説明する。第3項は、裏面研磨技術、ウエハーダイシング技術、DBG（Dicing Before Grinding）プロセスの3つで構成される。
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今回から、第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の内容を紹介する。本稿では、ハイブリッドボンディングを解説する。
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次世代半導体パッケージ実装技術の開発を目指すコンソーシアム「JOINT2」は、「SEMICON Japan 2023」（2023年12月13〜15日／東京ビッグサイト）で、取り組みの内容や研究開発の進捗を紹介した。
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TSMCは2023年12月に開催された「IEDM 2023」で、半導体製造プロセスのロードマップについて言及した。同社は2030年までに、1nm世代での製造を開始する予定で、それまでに技術面や財務面での課題を解決できると自信を見せた。
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「More than Moore」を進める技術の一つとされる先進パッケージングの開発が加速している。本稿では、Intel、TSMC、Samsung Electronicsのパッケージング技術動向を解説する。
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2022年に、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3nm世代プロセスでの量産を開始したSamsung Electronics。「業界初」（同社）をうたい、開始した3nm世代だが、難易度が高いGAA／ナノシート技術には、Samsungも苦戦しているようだ。
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ポーライトと産業技術総合研究所（産総研）は、多孔質ステンレス鋼基板を支持体とする「固体酸化物形燃料電池（SOFC）」を開発した。従来に比べ機械強度を高めたことで、自動車やドローンなどモビリティへの搭載が可能となる。
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本稿では、2023年後半となる7〜12月の出来事を、EE Times Japanの記事とともに振り返る。
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インテルが新しいモバイル向けCPU 「Core Ultraプロセッサ」（開発コード名：Meteor Lake）を日本で正式に発表した。
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ASMLとSamsung Electronicsが、次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR＆D（研究開発）ファブを韓国に設立するMoU（協業覚書）を締結した。両社は、ファブ設立に向け1兆ウォン（約7億7500万米ドル）を共同出資する。
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2nmプロセスベースのAIエッジデバイス領域での半導体IPに関して、Rapidusと提携を結んだTenstorrent。同社CEOのJim Keller氏が今回、米国EE Timesのインタビューに応じ、事業の現状や戦略などを語った。
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AVEVAが国内外でのビジネス戦略に関する説明会を開催。リアルタイムでの産業データ活用を強化するとともに、日本IBMとの連携で水素エネルギーのサプライチェーン／バリューチェーン構築の支援などにも注力する方針だ。
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EUは欧州半導体法の一環として、最先端ノードの製造プロセスを産業化すべく、少なくとも3つのパイロットラインを構築する。imecで2nm以細のGAAプロセス技術開発を、CEA-Letiで10nm以降のFD-SOIプロセス技術を、Fraunhofer Instituteでヘテロジニアスシステムインテグレーションを手掛けていくという。
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今回からは、「2022年度版 実装技術ロードマップ」の第3章「電子デバイスパッケージ」の概要説明に入る。
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レゾナックは2023年11月22日、都内で会見を開き、後工程の開発拠点を米国シリコンバレーに新設すると発表した。さらに、Intel、AMDらで構成される先端半導体コンソーシアムに、日本メーカーとして初めて参画することも明らかにした。
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サプライチェーンの混乱をへて、機器メーカーはウエハーの調達戦略を再考する必要がある。特に慎重に検討すべきは、レガシープロセスを使用する半導体だ。
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Intelが、シリコンフォトニクスベースのプラガブル光トランシーバー事業を売却する。今後は、電子機器の設計と販売を手掛ける米Jabilが、将来世代品の開発も含めて同事業を引き継ぐ。
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3nmプロセス採用の「Mac」用自社製プロセッサの第3世代「M3」ファミリーが発表されたイベントでの、最大のサプライズでした。
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活発な投資が続くTSMC。本稿では、TSMCの半導体製造プロセスのロードマップをまとめる。
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Appleの「iPhone 15」。やっぱり2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー（CIS）を採用しているようです。
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太陽誘電は「CEATEC 2023」（2023年10月17〜20日／幕張メッセ）に出展し、チップ型の全固体電池を展示した。独自開発の正極材／負極材の改良によって、容量密度は50mAh/cm3超を実現した。
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