IBMとTDK、大容量MRAMの共同開発スタート
米IBMとTDKは8月20日、大容量MRAM（磁気抵抗メモリ）の研究開発を共同で開始したと発表した。次世代不揮発性メモリの大容量化に向け、両社の技術を持ち寄る。
「スピン注入磁化反転方式」を適用し、現行の「磁化反転方式」と比べメモリセルを小型化できるという。低コストな大容量化が可能になれば、携帯電話など幅広く機器に搭載できる道がひらけるとしている。
IBMはMRAM技術の研究開発を続けてきた。TDKは、MRAMの記憶素子となるMTJ（磁気トンネル接合）技術をHDDヘッドに導入してきた実績を持つ。
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