Samsung、30ナノ64GビットNANDフラッシュチップを開発

公開 2007年10月24日 09時39分

更新 2007年10月24日 09時37分

[ITmedia]

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　韓国のSamsung Electronicsは10月23日、30ナノメートル（nm）プロセス技術を使った世界初の64Gビットマルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュメモリチップを開発したと発表した。2009年に製造を開始する。

　このチップは従来よりも容量が大幅に増加しており、最大でこのチップ16個を搭載した128Gバイトのメモリカードを作ることができる。DVD並の解像度の映画80本、あるいはMP3ファイル3万2000個を格納できる容量という。

　これにより、「NAND型フラッシュ技術は、平均12カ月ごとに記録密度が倍増する」とするSamsung半導体部門のホアン・チャン－ギュ社長の「法則」が8年連続で実現することになる。

　このメモリチップはSaDPT（Self-aligned Double Patterning Technology）という新技術を採用。この技術は従来のリソグラフィ技術の役割を拡大することで、30nm以下の回路形成のボトルネックを解消するという。Samsungは既存のリソグラフィ設備を使って、2009年に30nmプロセスでこのチップの製造を開始する見込み。既存設備の活用により、迅速化とコスト効率の改善が可能としている。

　同社はこの64Gビットフラッシュメモリチップに関連して30件の特許を出願済みとしている。

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