IntelとMicron、34nmプロセスの32GビットNAND型フラッシュ開発
米Intelと米Micron Technologyは5月29日、34ナノメートル（nm）プロセスによる32GビットのマルチレベルセルNAND型フラッシュメモリを発表した。両社によれば、40nm以下の製造プロセスによるNAND型フラッシュとしては業界初の製品となる。
このフラッシュメモリはIntelとMicronが共同開発したもので、両社の合弁企業IM Flash Technologies（IMFT）が製造する。顧客へのサンプル出荷開始は6月で、年内に量産を開始する予定。
SSDへの採用を念頭に開発された新メモリは、サイズ172平方ミリで48ピンTSOP（Thin Small Out-Line Package）を使用。現在のSSD業界標準である1.8インチの小型フォームファクターで、コストを抑えつつ記憶容量を256Gバイト以上に増やすことができるとしている。
また両社は、もっと低密度のマルチレベルセル製品やシングルレベルセル製品など、34nmプロセスを用いた製品のラインアップを、年内にさらに拡大する計画という。
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