最新記事一覧
EE Times Japanは今回、半導体製造装置大手Lam Researchでウェット装置技術システム事業を統括するAaron Fellis氏にインタビューを実施。「AI時代の半導体製造」において、ウェット装置にはどのような役割が求められているのかなど詳細を聞いた。
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最先端半導体の微細化を支える極端紫外線（EUV）露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数（NA）0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。
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王子ホールディングスは、次世代半導体製造（A14世代）に向けた木質バイオマス由来のフォトレジストで、幅10nmの直線パターン形成に成功した。
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Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。
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本稿では、2026年上半期の半導体業界を振り返る。
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理化学研究所（理研）と宇都宮大学らによる国際共同研究グループは、波長2μmの固体レーザーとマルチレーザー照射法を組み合わせることで極端紫外線（EUV）光変換効率を40％も高めることに成功し、その有用性を実証した。EUV露光装置の省電力化につながるとみている。
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フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。
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2026年8月21日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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ADEKAは、極端紫外線（EUV）など先端半導体リソグラフィ工程に必要なレジスト用「光酸発生剤」の生産設備増強を発表した。千葉工場に約10億円を投じてラインを増設し、生産能力を従来の約2倍に引き上げる。
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ADEKAは先端フォトレジスト向け光酸発生剤（PAG）の生産増強を発表した。千葉工場（千葉県袖ケ浦市）の既存建屋内に生産ラインを増設する計画で、生産能力は約2倍になる見込みだ。
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AGCは、2026年12月期第2四半期の決算で、前年同期比で増収増益を達成したと発表した。円安効果に加え、東南アジアでの化学品事業などが業績をけん引した。
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筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム（He）、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。
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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies（CXMT）が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。
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ASMLは、2026年第2四半期の業績が当初の予想を上回ったことを受け、通期売上高見通しを430億〜450億ユーロ（約494億5000万〜517億5000万米ドル）に引き上げた。AIインフラや広帯域メモリ（HBM）、先端ロジック向けの需要拡大に対応し、2027年には極端紫外線（EUV）露光装置および深紫外線（DUV）液浸露光装置の生産能力を30％増強する。
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ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。
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Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。
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ADEKAが埼玉県久喜市で「半導体イノベーションセンター」を本格稼働させた。総工費約120億円を投じ、最新のクリーンルームや評価設備を集約。半導体材料事業を全社利益の40％を占めるコア事業へと引き上げ、2035年には同事業の営業利益を現在の2倍超へと拡大する。総合半導体材料メーカーへの飛躍を狙う同社の戦略と、新拠点の全貌に迫る。
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産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
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AIの強烈な追い風に吹かれ、メモリ市場が「大爆発」している。この「メモリバブル」はいつまで続くのか。メモリ市場の歴史とともに考えてみたい。併せて、超好況のいまだからこそやっておきたい「不況への備え」を提言する。
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ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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IBMが、「世界初」（同社）となる1nm未満（0.7nm）世代の半導体プロセス技術を発表した。IBMのパートナー企業による初期生産は5年後を見込んでいる。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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Huaweiが独自のスケーリング則「τ（タウ）スケーリング」を発表した。極端紫外線（EUV）露光技術における、米国の対中輸出規制に対し、中国がどのような取り組みを行ってきたのか、それが分かる発表となった。
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imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。
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中東情勢緊迫化による原油高と調達難に対し、AGC 代表取締役の竹川善雄氏は「業績への影響は軽微」との見方を示した。業績への影響を抑えるために、どのような取り組みを進めているのか――。2026年12月期第1四半期の決算説明会を通して、紹介する。
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極端紫外線（EUV）露光用ペリクルの主流候補とされているカーボンナノチューブ（CNT）ペリクル。最大の課題は「耐久性と光透過率の両立」だが、この解消に向けた大きな一歩となる技術をリンテックが開発した。同社は産業技術総合研究所（産総研）の先端半導体研究センターとの共同研究により、90％と高い光透過率を維持しつつ、CNTペリクルの耐久性を大幅に向上させることに成功した。また、産総研つくばセンター中央事業所内に同CNTペリクルの量産設備を導入。「つくばイノベーティブクリエーションセンター」として2026年内を目標に、「EUVペリクルプロダクト」の本格生産開始に向けた取り組みを推進していく。
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TSMCは、次世代プロセスおよび先進パッケージング技術のロードマップを明らかにした。1.4nm世代の「A14」やその派生プロセス、2nm派生「N2U」に加え、フォトニクス技術や大規模集積を実現するパッケージング戦略を提示。AIデータセンター向けの性能向上と電力効率改善を狙う。
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中東情勢に伴うナフサ供給危機の影響は、フォトレジストにも及ぶ。それは「世界の半導体工場を停止させる臨界点」になり得るほど、多大なものだ。本稿では、主にリソグラフィ専門家に向けて、フォトレジストにおける「ナフサ供給危機」のリスクを詳細に解説する。さらに、リソグラフィ専門家に対する対策の提言と、政府・業界団体に対する提言をまとめる。
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中東情勢に伴うヘリウム（He）とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。
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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム（He）供給逼迫（ひっぱく）およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶／不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。
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富士フイルムは、フッ素由来の材料を一切使わずに、優れた酸反応効率と高い撥水性を両立させた「フッ素フリー」のネガ型ArF液浸レジストを世界で初めて（同社調べ）開発した。
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TSMCの2026年の設備投資額は560億米ドルに達する見込みだ。それでも、AI半導体の旺盛な需要に応えるには不十分だという。
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住友化学は、大阪工場（大阪市此花区）内にEUVレジストおよびArFレジストといった先端半導体用フォトレジストの製造プロセス開発や品質評価／分析などを行う機能を集約するための新たな「技術棟」を建設する。完成は2027年度末の予定だ。
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住友化学は、大阪工場（大阪市此花区）に先端半導体用フォトレジストの技術棟を新設する。EUVやArFといった次世代半導体の製造に欠かせない材料の供給体制を強化するため、分散していた製造プロセス技術、品質評価、分析の3機能を1つに集約する考えだ。
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ヘリウム調達停止が半導体業界にもたらす影響を解説する記事の後編。AI投資への影響と、フォース・マジュールの連鎖を回避するための短期〜中長期での対策を提言する。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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Elon Musk氏（イーロン・マスク氏）が発表した半導体複合施設「TeraFab」の建設プロジェクトが、大きな話題を呼んでいる。Musk氏はTeraFabで、半導体製造の「再定義」を狙っているのだろうか。
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Intelが、アイルランド工場「Fab 34」を運営する会社の株式49％を投資会社Apollo Global Management（以下、Apollo）から142億米ドルで買い戻し、完全子会社化すると発表した。
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imecがASMLの高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光装置「TWINSCAN EXE:5200」を受領したと発表した。ベルギー・ルーベンにあるimecの300mmクリーンルームに導入する。
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IBMとLam Researchが、1nm世代以降の半導体チップの実現に向け、プロセスと材料の開発において協業を発表した。高NA（開口数）極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置の導入加速を促す目的もあるという。
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今回は、大阪大学産業科学研究所がレーザー航跡場加速で生成した電子ビームを用いて、27n〜50nmの極端紫外線領域で自由電子レーザーの発振に成功したことについてつらつら語っています。
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東京応化工業（TOK）は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けているという。中国のプレイヤーは本当に欧米の競合に付いていけるのだろうか。
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巨大化が進むレーザー加速器の卓上サイズ化に向け一歩前進した。大阪大学産業科学研究所などの研究グループは、従来のレーザー加速器と比べて1000倍以上という強い加速電場を創出できる「レーザー航跡場加速」で生成した電子ビームを用いて、自由電子レーザーの発振に成功した。
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AGCは、記者会見を開き、2025年12月期の通期業績で減収増益になったと発表した。同会見の内容を通して、減収や増益の要因について紹介する。
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ASMLは、2025年第4四半期（10〜12月）および通期の業績を発表した。それによると、第4四半期の売上高は97億1800万ユーロ、粗利益率は52.2％で、売上高は過去最高だった。2025年通期での売上高は326億6700万ユーロ、粗利益率は52.8％だった。
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2025年8月に開催された「FMS」の講演を紹介するシリーズ。今回はメモリとストレージの市場アナリストとして知られるJim Handy氏の講演を前後編でご紹介する。
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