最新記事一覧
ASMLは、EUV露光装置などの需要拡大を受け、2028年に向けたさらなる生産能力の増強を検討している。ただし、増産には光学系を供給するCarl Zeiss SMTの生産能力拡大が欠かせない。
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生成AIは半導体市場を大きく変えている。半導体製造装置市場も例外ではない。本稿では、13種類の前工程装置市場の推移を振り返りながら、生成AIの登場による同市場の変化と、今後（After AI）の行く末を予想したい。
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三菱地所は、北海道千歳市（以下、千歳市）およびNTTドコモビジネスと、北海道千歳市工業団地「千歳美々ワールド」内における先端半導体研究開発／イノベーション推進拠点「Chitose Technology Frontier」の形成に向けた連携協定を締結したと発表した。次世代半導体を核としたR＆Dの推進や、国内外の研究者、技術者が交流／共創できる環境の構築を目指す。
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Intelは、米国アリゾナ州チャンドラーの拠点で建設を進める最先端半導体工場「Fab 62」について、2028年末までに稼働を開始する見通しを明らかにした。現在、建設工事と製造装置の搬入／設置が本格的に進んでいるという。同工場は、同拠点で6番目の半導体量産工場となる。
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中国のメモリメーカー「CXMT」が、2026年内に新構造の最先端DRAMを投入すると発表した。既存の韓国勢を2年先行するアグレッシブな動きは、市場に衝撃を与え関連株価の下落を招いている。米国の輸出規制下で自前製造を進める中国の思惑と、過熱するAI投資バブルの限界をDRAM市場の動きから読み解く。
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GlobalFoundriesが、フィジカルAI向けの新世代FD-SOI技術「FDX Fusion」を発表した。同社はAI半導体の次なる巨大市場が、データセンターGPUを巡る競争とは大きく異なるものになると確信しているようだ。
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中国のDRAMメーカーCXMTと、NANDフラッシュメーカーYMTCの動きが活発になっている。昨今のIPO（新規株式公開）による多額の資金調達や、AIブームを受け、DRAMやNANDフラッシュの「専業」メーカーではなく、両方の市場に参入することを検討していると報じられている。メモリビジネスの性質を説明しつつ、両社の思惑を探ってみたい。
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Kepler Computingは、広帯域メモリ（HBM）やSRAMの代替となる新型メモリについて、2027年の生産開始を目指している。独自の3次元（3D）積層技術と強誘電体メモリ技術を活用し、HBMと比べて電力当たりの帯域幅を5〜10倍に高められるという。GlobalFoundriesなどとの協業によって量産を進める方針だ。
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東京応化工業は、郡山工場（福島県郡山市）で、半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。
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東京応化工業は、郡山工場（福島県郡山市）に建設していた半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。2026年11月から稼働予定だ。
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ASMLジャパンは設立25周年を記念する記者説明会を開催した。日本は世界の技術革新を支える重要市場であるとし、AI需要の拡大と半導体の微細化を見据え、2030年度に向け国内人員を700人規模へ増員し、サポート体制を強化する。
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日立ハイテクは、独ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology（以下、ZEISS SMT）と共同で取り組んでいる半導体製造工程向けマルチビーム電子線検査装置の開発体制を強化する。従来の光学式では検出が難しい微小な欠陥を、シングルビーム電子線検査装置の数十倍の速度で検査できる装置の開発を加速する。
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Appleが同社初の折りたたみ式スマートフォン「iPhone Duo」を発表した一方で、Huaweiの三つ折りスマホ「Mate XT 2 Ultimate Design」が注目を集めている。Huaweiが2026年5月に提案した新法則「タウスケーリング」を適用した新型プロセッサが搭載されているからだ。
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半導体工場の誘致を目指す韓国・光州のフォーラムに参加した。しかし、誘致対象のSamsung ElectronicsとSK Hynixの姿はなく、政府の熱意と企業の姿勢には隔たりがうかがえた。半導体産業を巡る状況は対照的な日韓だが、「官」と「民」の意思のズレは共通する。両国の事例から、企業の実態と意思を踏まえた半導体戦略の必要性を考える。
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EE Times Japanは今回、半導体製造装置大手Lam Researchでウェット装置技術システム事業を統括するAaron Fellis氏にインタビューを実施。「AI時代の半導体製造」において、ウェット装置にはどのような役割が求められているのかなど詳細を聞いた。
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最先端半導体の微細化を支える極端紫外線（EUV）露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数（NA）0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。
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王子ホールディングスは、次世代半導体製造（A14世代）に向けた木質バイオマス由来のフォトレジストで、幅10nmの直線パターン形成に成功した。
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Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
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ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。
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本稿では、2026年上半期の半導体業界を振り返る。
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理化学研究所（理研）と宇都宮大学らによる国際共同研究グループは、波長2μmの固体レーザーとマルチレーザー照射法を組み合わせることで極端紫外線（EUV）光変換効率を40％も高めることに成功し、その有用性を実証した。EUV露光装置の省電力化につながるとみている。
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フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。
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2026年8月21日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。
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ADEKAは、極端紫外線（EUV）など先端半導体リソグラフィ工程に必要なレジスト用「光酸発生剤」の生産設備増強を発表した。千葉工場に約10億円を投じてラインを増設し、生産能力を従来の約2倍に引き上げる。
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ADEKAは先端フォトレジスト向け光酸発生剤（PAG）の生産増強を発表した。千葉工場（千葉県袖ケ浦市）の既存建屋内に生産ラインを増設する計画で、生産能力は約2倍になる見込みだ。
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AGCは、2026年12月期第2四半期の決算で、前年同期比で増収増益を達成したと発表した。円安効果に加え、東南アジアでの化学品事業などが業績をけん引した。
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筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム（He）、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。
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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies（CXMT）が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。
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ASMLは、2026年第2四半期の業績が当初の予想を上回ったことを受け、通期売上高見通しを430億〜450億ユーロ（約494億5000万〜517億5000万米ドル）に引き上げた。AIインフラや広帯域メモリ（HBM）、先端ロジック向けの需要拡大に対応し、2027年には極端紫外線（EUV）露光装置および深紫外線（DUV）液浸露光装置の生産能力を30％増強する。
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ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。
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Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。
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ADEKAが埼玉県久喜市で「半導体イノベーションセンター」を本格稼働させた。総工費約120億円を投じ、最新のクリーンルームや評価設備を集約。半導体材料事業を全社利益の40％を占めるコア事業へと引き上げ、2035年には同事業の営業利益を現在の2倍超へと拡大する。総合半導体材料メーカーへの飛躍を狙う同社の戦略と、新拠点の全貌に迫る。
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産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
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AIの強烈な追い風に吹かれ、メモリ市場が「大爆発」している。この「メモリバブル」はいつまで続くのか。メモリ市場の歴史とともに考えてみたい。併せて、超好況のいまだからこそやっておきたい「不況への備え」を提言する。
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ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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IBMが、「世界初」（同社）となる1nm未満（0.7nm）世代の半導体プロセス技術を発表した。IBMのパートナー企業による初期生産は5年後を見込んでいる。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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Huaweiが独自のスケーリング則「τ（タウ）スケーリング」を発表した。極端紫外線（EUV）露光技術における、米国の対中輸出規制に対し、中国がどのような取り組みを行ってきたのか、それが分かる発表となった。
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imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。
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中東情勢緊迫化による原油高と調達難に対し、AGC 代表取締役の竹川善雄氏は「業績への影響は軽微」との見方を示した。業績への影響を抑えるために、どのような取り組みを進めているのか――。2026年12月期第1四半期の決算説明会を通して、紹介する。
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極端紫外線（EUV）露光用ペリクルの主流候補とされているカーボンナノチューブ（CNT）ペリクル。最大の課題は「耐久性と光透過率の両立」だが、この解消に向けた大きな一歩となる技術をリンテックが開発した。同社は産業技術総合研究所（産総研）の先端半導体研究センターとの共同研究により、90％と高い光透過率を維持しつつ、CNTペリクルの耐久性を大幅に向上させることに成功した。また、産総研つくばセンター中央事業所内に同CNTペリクルの量産設備を導入。「つくばイノベーティブクリエーションセンター」として2026年内を目標に、「EUVペリクルプロダクト」の本格生産開始に向けた取り組みを推進していく。
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TSMCは、次世代プロセスおよび先進パッケージング技術のロードマップを明らかにした。1.4nm世代の「A14」やその派生プロセス、2nm派生「N2U」に加え、フォトニクス技術や大規模集積を実現するパッケージング戦略を提示。AIデータセンター向けの性能向上と電力効率改善を狙う。
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中東情勢に伴うナフサ供給危機の影響は、フォトレジストにも及ぶ。それは「世界の半導体工場を停止させる臨界点」になり得るほど、多大なものだ。本稿では、主にリソグラフィ専門家に向けて、フォトレジストにおける「ナフサ供給危機」のリスクを詳細に解説する。さらに、リソグラフィ専門家に対する対策の提言と、政府・業界団体に対する提言をまとめる。
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中東情勢に伴うヘリウム（He）とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。
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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム（He）供給逼迫（ひっぱく）およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶／不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。
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富士フイルムは、フッ素由来の材料を一切使わずに、優れた酸反応効率と高い撥水性を両立させた「フッ素フリー」のネガ型ArF液浸レジストを世界で初めて（同社調べ）開発した。
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TSMCの2026年の設備投資額は560億米ドルに達する見込みだ。それでも、AI半導体の旺盛な需要に応えるには不十分だという。
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住友化学は、大阪工場（大阪市此花区）内にEUVレジストおよびArFレジストといった先端半導体用フォトレジストの製造プロセス開発や品質評価／分析などを行う機能を集約するための新たな「技術棟」を建設する。完成は2027年度末の予定だ。
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