最新記事一覧
Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。
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ADEKAが埼玉県久喜市で「半導体イノベーションセンター」を本格稼働させた。総工費約120億円を投じ、最新のクリーンルームや評価設備を集約。半導体材料事業を全社利益の40％を占めるコア事業へと引き上げ、2035年には同事業の営業利益を現在の2倍超へと拡大する。総合半導体材料メーカーへの飛躍を狙う同社の戦略と、新拠点の全貌に迫る。
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産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
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AIの強烈な追い風に吹かれ、メモリ市場が「大爆発」している。この「メモリバブル」はいつまで続くのか。メモリ市場の歴史とともに考えてみたい。併せて、超好況のいまだからこそやっておきたい「不況への備え」を提言する。
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ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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IBMは、世界初となる1ナノメートル未満（sub-1nm）のチップ技術を発表した。独自の3次元トランジスタ構造「nanostack」（ナノスタック）を開発し、原子数個分の微細化を達成。2nmノード比で性能が最大50％向上、電力効率が70％改善する。生成AIの高度なデータ処理を支える基盤として、今後5年以内の量産化を目指す。
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IBMが、「世界初」（同社）となる1nm未満（0.7nm）世代の半導体プロセス技術を発表した。IBMのパートナー企業による初期生産は5年後を見込んでいる。
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ニコンが、半導体製造装置の販売戦略の見直しを図っている。2028年までに、新型のArF液浸プラットフォームを発表する予定で、ASML製リソグラフィ装置との互換性も構築していくという。
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Huaweiが独自のスケーリング則「τ（タウ）スケーリング」を発表した。極端紫外線（EUV）露光技術における、米国の対中輸出規制に対し、中国がどのような取り組みを行ってきたのか、それが分かる発表となった。
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imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。
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中東情勢緊迫化による原油高と調達難に対し、AGC 代表取締役の竹川善雄氏は「業績への影響は軽微」との見方を示した。業績への影響を抑えるために、どのような取り組みを進めているのか――。2026年12月期第1四半期の決算説明会を通して、紹介する。
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極端紫外線（EUV）露光用ペリクルの主流候補とされているカーボンナノチューブ（CNT）ペリクル。最大の課題は「耐久性と光透過率の両立」だが、この解消に向けた大きな一歩となる技術をリンテックが開発した。同社は産業技術総合研究所（産総研）の先端半導体研究センターとの共同研究により、90％と高い光透過率を維持しつつ、CNTペリクルの耐久性を大幅に向上させることに成功した。また、産総研つくばセンター中央事業所内に同CNTペリクルの量産設備を導入。「つくばイノベーティブクリエーションセンター」として2026年内を目標に、「EUVペリクルプロダクト」の本格生産開始に向けた取り組みを推進していく。
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TSMCは、次世代プロセスおよび先進パッケージング技術のロードマップを明らかにした。1.4nm世代の「A14」やその派生プロセス、2nm派生「N2U」に加え、フォトニクス技術や大規模集積を実現するパッケージング戦略を提示。AIデータセンター向けの性能向上と電力効率改善を狙う。
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中東情勢に伴うナフサ供給危機の影響は、フォトレジストにも及ぶ。それは「世界の半導体工場を停止させる臨界点」になり得るほど、多大なものだ。本稿では、主にリソグラフィ専門家に向けて、フォトレジストにおける「ナフサ供給危機」のリスクを詳細に解説する。さらに、リソグラフィ専門家に対する対策の提言と、政府・業界団体に対する提言をまとめる。
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中東情勢に伴うヘリウム（He）とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。
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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム（He）供給逼迫（ひっぱく）およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶／不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。
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富士フイルムは、フッ素由来の材料を一切使わずに、優れた酸反応効率と高い撥水性を両立させた「フッ素フリー」のネガ型ArF液浸レジストを世界で初めて（同社調べ）開発した。
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TSMCの2026年の設備投資額は560億米ドルに達する見込みだ。それでも、AI半導体の旺盛な需要に応えるには不十分だという。
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住友化学は、大阪工場（大阪市此花区）内にEUVレジストおよびArFレジストといった先端半導体用フォトレジストの製造プロセス開発や品質評価／分析などを行う機能を集約するための新たな「技術棟」を建設する。完成は2027年度末の予定だ。
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住友化学は、大阪工場（大阪市此花区）に先端半導体用フォトレジストの技術棟を新設する。EUVやArFといった次世代半導体の製造に欠かせない材料の供給体制を強化するため、分散していた製造プロセス技術、品質評価、分析の3機能を1つに集約する考えだ。
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ヘリウム調達停止が半導体業界にもたらす影響を解説する記事の後編。AI投資への影響と、フォース・マジュールの連鎖を回避するための短期〜中長期での対策を提言する。
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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】
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Elon Musk氏（イーロン・マスク氏）が発表した半導体複合施設「TeraFab」の建設プロジェクトが、大きな話題を呼んでいる。Musk氏はTeraFabで、半導体製造の「再定義」を狙っているのだろうか。
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Intelが、アイルランド工場「Fab 34」を運営する会社の株式49％を投資会社Apollo Global Management（以下、Apollo）から142億米ドルで買い戻し、完全子会社化すると発表した。
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imecがASMLの高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光装置「TWINSCAN EXE:5200」を受領したと発表した。ベルギー・ルーベンにあるimecの300mmクリーンルームに導入する。
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IBMとLam Researchが、1nm世代以降の半導体チップの実現に向け、プロセスと材料の開発において協業を発表した。高NA（開口数）極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置の導入加速を促す目的もあるという。
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今回は、大阪大学産業科学研究所がレーザー航跡場加速で生成した電子ビームを用いて、27n〜50nmの極端紫外線領域で自由電子レーザーの発振に成功したことについてつらつら語っています。
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東京応化工業（TOK）は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。
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中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けているという。中国のプレイヤーは本当に欧米の競合に付いていけるのだろうか。
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巨大化が進むレーザー加速器の卓上サイズ化に向け一歩前進した。大阪大学産業科学研究所などの研究グループは、従来のレーザー加速器と比べて1000倍以上という強い加速電場を創出できる「レーザー航跡場加速」で生成した電子ビームを用いて、自由電子レーザーの発振に成功した。
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AGCは、記者会見を開き、2025年12月期の通期業績で減収増益になったと発表した。同会見の内容を通して、減収や増益の要因について紹介する。
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ASMLは、2025年第4四半期（10〜12月）および通期の業績を発表した。それによると、第4四半期の売上高は97億1800万ユーロ、粗利益率は52.2％で、売上高は過去最高だった。2025年通期での売上高は326億6700万ユーロ、粗利益率は52.8％だった。
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2025年8月に開催された「FMS」の講演を紹介するシリーズ。今回はメモリとストレージの市場アナリストとして知られるJim Handy氏の講演を前後編でご紹介する。
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大日本印刷（DNP）は「SEMICON Japan 2025」に出展し、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）用テンプレートや極端紫外線（EUV）リソグラフィ用フォトマスクを紹介した。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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中国で極端紫外線（EUV）露光装置の試作機が動作したと、ロイターが報じた。市場投入できるチップを量産できる装置ではないものの、中国は、最先端チップ製造における障壁をまた一つ崩したのかもしれない。さらに専門家は、これによりレガシープロセスで製造したチップの価格の下落が始まる可能性があると指摘している。
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日本半導体製造装置協会（SEAJ）は「SEMICON Japan 2025」に出展。学生の採用強化に向けた取り組みとして、半導体業界の情報や「あるある」を表現したかるたを紹介した。
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瞬く間に新たなバズワードとなった「生成AI」。求められる演算量や演算速度が右肩上がりで増加する中、半導体はそのニーズに応えられるのか。
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シリコン量子ドット量子ビットは大規模化によって多くの利点をもたらす。imecは300mmウエハーを使って、シリコン量子ドットを大規模化した。
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2025年11月に都内で開催されたimecのフォーラム「ITF Japan 2025」から、三井化学による極端紫外線（EUV）露光用ペリクル（保護膜）の講演を解説する。最先端の半導体製造に不可欠なEUV露光だが、実は、ペリクルに関しては依然として多くの課題がある。三井化学はそれをどう解決しようとしているのか。
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東京エレクトロン（TEL）が、極端紫外線（EUV）や深紫外線（DUV）を用いた露光プロセスに対応できる300mmウエハー塗布／現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE」を発売する。
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オランダ政府によるNexperia接収で、EU諸国では「半導体ビジネスにおいて政府がどこまで介入すべきか」という議論が巻き起こっている。
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2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。
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AIで使われる高性能コンピュータチップ市場を独占しているNVIDIA。最近は、AIの各方面でライバルが登場し、NVIDIAの地位に迫ろうとしている。
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世をにぎわす“DRAMパニック”はなぜ発生し、いつ終わるのか？
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大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。
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Intelの最新CPU「Core Ultraプロセッサ（シリーズ3）」と「Xeon 6+プロセッサ」（Eコア）のComputeタイル（CPUコア）は、自社の最新プロセス「Intel A18」で作られている。その特徴を詳しく解説しよう。
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富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（FFEM）の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発／評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。
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知っていると何かのときに役に立つかもしれないITに関するマメ知識。「味の素」といえば、うま味調味料はもちろん、最近では「冷凍餃子」などの冷凍食品でもおなじみ、日本を代表する食品企業です。実は、この味の素が高性能半導体を支える素材メーカーであることをご存じですか。今回は、半導体産業を支える意外な日本の企業を紹介します。
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