最新記事一覧
複雑化するシステムの安全性解析の理論「STAMP」とその分析手法である「STPA」を実践する上での勘所をTips形式で簡潔に分かり易く説明する本連載。第2回は、STPA手順「第1のステップ：解析目的を定義」を失敗しないための重要ポイントとして、分析する対象のハザードを識別する際に行う、システム境界の定義について解説する。
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2025年8月に開催された「FMS（the Future of Memory and Storage）」の一般講演を紹介する。今回は、Yole Groupのシニアアナリストがメモリ市場の概況を解説する講演を取り上げる。
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複雑化するシステムの安全性解析の理論である「STAMP」とその分析手法である「STPA」に注目が集まっている。本連載では、この「STAMP/STPA」を実践する上で失敗しないための勘所をTips形式で簡潔に分かり易く説明する。第1回は、あらためてSTAMP/STPAを解説するとともに、Tips形式で進める本連載の狙いについて紹介する。
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EE Times Europeの独占インタビューで、CEA-LetiおよびSTMicroelectronicsが、エッジAIの普及／進化において重要な「メモリの壁」を突破するために進めている研究の最新状況ついて語った。
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名古屋大学は、ハロゲンフリーのプラズマプロセスで、酸化ハフニウムの異方性原子層エッチングに成功した。難エッチング材料の酸化ハフニウムを原子レベルで微細に加工、制御可能になる。
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RAMXEEDは、サイズが1.04mm角と超小型のFeRAM搭載チップセットを開発した。シードが展開するスマートコンタクトレンズプラットフォーム向けの製品で、当初から「サイズは1mm角」という厳しい制約がある中、RAMXEEDはFeRAMとアナログ半導体技術をかけ合わせた高い設計力で、そのニーズに応えた。そこにはどのような技術革新があったのか。RAMXEED 設計統括部 第二設計部 部長の伊藤慎也氏とシード デバイス技術部 部長の木下卓氏が対談した。
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ドイツ国内のメモリ工場、実現すればQimonda以来。
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東京科学大学は、窒化アルミニウムと窒化ガリウムを合金化し、結晶にスカンジウムを従来より多く取り入れた膜を作製できることを発見した。
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産業技術総合研究所（産総研）と東京科学大学は、強誘電体メモリ（FRAM）に用いる新材料として「GaScN結晶」を開発した。金属添加物（Sc）の濃度を高めることで、杭電界を小さくした。これにより、従来の窒化物材料と比べメモリ動作に必要な電圧を60％も下げることができるという。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、2025年1月1日付で「RAMXEED」に社名を変更すると発表した。
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東京工業大学とキヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターの研究グループは、窒化物強誘電体であるスカンジウムアルミニウム窒化物「（Al,Sc）N」薄膜が、従来の強誘電体に比べ、熱／水素雰囲気下での耐久性に優れていることを確認した。強誘電体メモリの製造プロセスを簡素化でき、大幅なコスト削減が可能となる。
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東京大学の研究グループは、大容量強誘電体メモリに実装可能な二酸化ハフニウム（HfO2）系強誘電体を用いたキャパシターが絶縁破壊に至る過程を、電極越しに可視化することに成功した。
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特番はTOKYO MX公式YouTubeで11月5日19時から配信。
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インフィニオン テクノロジーズは、車載向けの強誘電体RAM（FRAM）「EXCELON F-RAM」ファミリーとして、シリアル（SPI／QSPI）インタフェースを搭載した1Mビット品を発表した。4Mビット品も同時に発売する。
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】
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Intelが電子デバイスの学会「IEDM 2022」で、パッケージング上での10倍の実装密度向上を目指し、原子3個分の厚さの新素材でトランジスタの微細化を進める計画を発表した。果たして計画通りに進むのか、注目すべき点を解説しよう。
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Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。
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Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
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フラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット」で、フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表が公開される。この歴史年表が、とても参考になるので、今回からその概略をシリーズで紹介していく。
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電力は宇宙では貴重だ。FRAM（強誘電体メモリ）が地球から離れたところで使用されるアプリケーションにとって理想的なメモリであるのもそのためである。オペレーションの間だけではなく、デバイスがプログラミングされる際にもエネルギー消費が重要となる。そのことは、Infineon Technologies（以下、Infineon）の最新の極限環境向けシリアルインタフェース対応FRAMの主な特長でもある。
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半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。
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人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、54Mバイト/秒の高速データ書き換えを可能にした、メモリ容量8MビットのQuad SPI FRAM「MB85RQ8MLX」を開発、サンプル出荷を始めた。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、100兆回の書き込みを保証したパラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始した。高速動作と低消費電力を両立し、SRAMの代わりとして産業機械に利用可能だ。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、消費電力を抑えつつ高速動作を可能にした8MビットFRAM「MB85R8M2TA」を開発、サンプル出荷を始めた。書き込み回数は100兆回を保証する。
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東北大学多元物質科学研究所の研究グループは、イオン伝導性と強誘電性が共存する、新たな分子集合体構造を開発した。新規の動作原理を用いた有機メモリ素子の開発につながるとみられている。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、車載規格AEC-Q100グレード1に準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を開始した。＋125℃動作に対応した不揮発メモリで、ADASや高性能産業用ロボットに適する。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度範囲が最大125℃で車載グレードに準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を始めた。
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東京大学は富士通セミコンダクターメモリソリューションと共同で、1V以下という極めて低い動作電圧で、100兆回の書き換え回数を可能にした「ハフニア系強誘電体メモリ」を開発した。
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今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。
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今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。
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東北大学未来科学技術共同研究センターの桑野博喜教授らによる研究グループは、仙台スマートマシーンズと協力し、小型軽量で高い発電出力が得られるマイクロ環境発電デバイス（エナジーハーベスター）を開発した。振動加速度1Gで10mW以上の発電出力が可能である。
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高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。
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富士通エレクトロニクスは、「第6回 IoT＆5Gソリューション展 秋」（2020年10月28〜30日、幕張メッセ）において、ドイツ3D Globalが開発した裸眼3Dディスプレイのデモなどを展示した。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、最大125℃の高温動作を保証する4MビットFRAM「MB85RS4MTY」を開発した。動作温度−40〜＋125℃の範囲で、10兆回のデータ書き換えを保証する。
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岡山大学と高輝度光科学研究センター（JASRI）、産業技術総合研究所（産総研）、東京工業大学、パリサクレー大学の共同研究グループは、電気分極に由来する強誘電体の傾斜したバンド構造の観測に初めて成功した。
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半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、125℃の環境下において1.8Vで動作する2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を発表した。リアルタイムなデータ記録が可能で、AEC-Q100 グレード1に準拠することから、ADASなどの先端車載用途に適している。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度が最大125℃の車載向けFRAM製品として、電源電圧1.8Vの2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を追加すると発表した。
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富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット（256K×8ビット）FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。−40〜＋125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。
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今回は、いつもとは毛色を変えて、“半導体メーカーの働き方改革”に目を向けてみたい。筆者がメーカー勤務だった時代と現在とでは、働き方にどのような違いがあるのだろうか。
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メモリ需要の拡大が続く自動車、産業機器、医療機器などの市場に向け、サイプレス セミコンダクタ（Cypress Semiconductor）が、新たな価値を提供するさまざまなメモリ製品を相次いで投入している。そこで、今回は、サイプレスの最新メモリ製品のいくつかを紹介する。
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本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。
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富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ（以下、ReRAM）として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。
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今回は「強誘電体メモリ（FeRAM）」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。
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ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO（Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting）」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。
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次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ（NRAM：Nanotube RAM）について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。
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2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」（IMW）に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。
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サイプレス セミコンダクタ（Cypress Semiconductor）は2019年5月14日、東京都内で、車載向け製品についてのメディア説明会を実施した。同社の自動車事業部マーケティングディレクター、楠本正善氏が製品展開戦略を説明したほか、会場では、最新の車載関連製品のデモ実演も行われた。
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