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「広帯域メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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2026年、世界は各地で噴出する戦火と、膨張しきった「AIバブル」の臨界点に直面している。NVIDIAとOpenAIの関係変化や、ホルムズ海峡封鎖によるエネルギー危機、そして半導体供給を揺るがす物理的リソースの限界。かつての日本バブル崩壊を知る筆者が、複雑に連関し、制御不能な大クラッシュへと向かう世界の危うさを鋭く突く。

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現在中東地域で続いている戦争が、半導体製造に不可欠なヘリウムや臭素(Br)などの重要な材料の供給を妨げる可能性がある。そしてそれが、現在コンピューティングチップやメモリに対する未曾有の需要をけん引しているAIブームに、深刻な影響を及ぼす恐れがあるのだ。本稿ではその概要を述べる。

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カウンターポイントリサーチは、AIサーバ向けコンピュートASICにおける広帯域メモリ(HBM)のビット需要が、2028年までに2024年比で35倍に拡大すると予測した。ASIC向けHBMのビット需要は、2028年まで「HBM3E」の比率が過半数を占める。今後は「HBM4/HBM4E」へと進化していく中で、カスタムHBMの消費率が急速に高まるとみている。

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Micron Technologyは2026年3月、データセンター向けに256GB(ギガバイト)のLPDRAM SOCAMM2のサンプル出荷を開始した。1γ(ガンマ)世代のプロセスを適用した32Gb(ギガビット) LPDDR5Xダイを採用することで、容量が従来の1.3倍に増加した他、標準的なRDIMMに比べて消費電力と実装面積を3分の1に削減できる。

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AI半導体スタートアップの米SambaNova SystemsがIntelとの提携を発表した。IntelがSambaNovaを約16億米ドルで買収する方針という以前の報道とは異なる結果になった。両社は複数年にわたるパートナーシップを締結。IntelはSambaNovaの3億5千万米ドルのシリーズE資金調達ラウンドの一環として戦略的投資を行った。

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TechInsightsのアナリストによると、「メモリメーカーは過去の好況と不況のサイクルから学び、AI主導の需要に対応するための増産において、より規律ある姿勢を示している」という。HBM/DRAMの供給不足が予測されているが、これはサプライチェーンの混乱によるものではなく、予想を超えるようなかつてない規模で導入が進んでいることが原因だ。

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DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給不足に続いて、もう1つのメモリ分野であるNOR型フラッシュメモリでも供給危機が発生しつつあり、値上げの可能性も報じられている。一方でAIアプリケーションがかつてない高密度を要求することから、3D構造化への期待も高まっている。

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SEMIは、SEMI Silicon Manufacturers Group(SMG)による分析結果を基に2025年のシリコンウエハー世界市場を発表した。シリコンウエハーの出荷量(面積)は前年比で5.8%増の129億7300万平方インチとなったが、販売額は同1.2%減の114億米ドルだった。先端半導体とレガシー半導体でその動向は大きく分かれた。

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Microsoftは自社製AI推論チップ「Maia 200」を発表した。TSMCの3nmプロセスを採用し、演算性能はAmazonやGoogleの最新チップを凌駕するとしている。推論の価格性能比を30%改善し、OpenAIの「GPT-5.2」の提供基盤としても活用される。アイオワ州リージョンで稼働を開始しており、順次グローバルへ拡大する。

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2025年の半導体市場はAIブームが成長をけん引する一方で、非AI領域との“2極化”が際立った。だがMicrochip Technologyは2026年、AI/データセンターの伸長に加え、アナログやマイクロコントローラーなど成熟技術の領域を含め、業界全体で幅広く成長に向かうと見ている。もっとも、輸出規制や関税に代表される地政学リスクがサプライチェーンの不確実性を高め、人材不足など業界の構造課題も重なる。こうした環境下で同社は何を優先し、どう備えるのか。今回、同社CEO兼社長のSteve Sanghi氏に、2026年の市場見通しと成長機会、そして課題への対応策を聞いた。

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NVIDIAが新プラットフォーム「Rubin」を発表。AI需要の爆発によりDRAM不足が深刻化し、PCやスマホの供給にも影響が出始めている。単なるチップから「エコシステム」へと進化し、ネットワークやストレージまでをも飲み込もうとするNVIDIAの戦略と、AIへの過度な投資が招く世界規模のリスクを考察する。

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2025年にはAIが技術分野において大きな注目を集めたが、新年を迎え、本質的にAIブームとの関係が深い業界もその存在感を示しつつある。AIデータセンターで普及している広帯域メモリ(HBM)デバイスを手掛けるDRAMメーカーは、ファブの生産能力獲得に奔走していて、それが地政学的な緊張によってさらに困難な問題になってきている。

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