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「高密度」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。

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キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS(MSA-CBA)構造で、「世界初」(両社)のクアッドレベルセル(QLC)動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

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OKIは、AIサーバ機器の製造を受託する「まるごとEMSサービス」の提供を開始した。電子機器製造受託(EMS)事業や自社製品製造で培った高密度実装や熱マネジメントのノウハウを活用し、AIサーバ機器の歩留まり向上や顧客企業の「持たない経営」への貢献を目指す。同サービスの詳細や、OKIのEMS事業の強みについて、OKI EMS事業部 生産技術部 部長の高齋一貴氏に聞いた。

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ルネサス エレクトロニクス、3nm FinFETプロセスを用いたコンフィギュラブルなTCAM(Ternary Content Addressable Memory)技術を発表した。TCAMの高密度化と低消費電力化、機能安全の強化に貢献し、車載SoC(System on Chip)にも適用できる。ルネサスはこの成果を「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC) 2026」で発表した。

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DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給不足に続いて、もう1つのメモリ分野であるNOR型フラッシュメモリでも供給危機が発生しつつあり、値上げの可能性も報じられている。一方でAIアプリケーションがかつてない高密度を要求することから、3D構造化への期待も高まっている。

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2026年は40年ぶりとなる労働基準法の改正が行われる予定でした。しかし昨年末、厚生労働省は労基法の改正案を2026年通常国会へ提出することを見送るとしました。予定されていた改正内容について触れるとともに、なぜ直前になって提出が見送られたのか、そして企業への影響について社会保険労務士が解説します。

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キオクシアは、高密度/低消費電力の3次元(3D)DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体(InGaZnO)チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。

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東北大学は、有機分子の分子設計と固体中における分子配列を適切に制御することで、複数の機能を共存させた「固体有機材料」を信州大学と共同で開発した。この材料は、固体状態で光応答性と強誘電性が共存しており、高密度な電場−光メモリ素子への応用が期待される。

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村田製作所は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」(2024年12月11〜13日、東京ビッグサイト)に出展する。ブースでは半導体およびその周辺デバイスの高密度/高機能集積化のトレンドに対し同社が有する、最先端のパッケージ関連部品や技術、最新ソリューションを紹介する予定だ。

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Koto Online編集長の田口紀成氏が、製造業DXの最前線を各企業にインタビューする本シリーズ。今回は、ソフトバンクロボティクスの高密度自動倉庫システム「AutoStore」と、部品や荷物を自動で運ぶ搬送ロボット「BellaBot 工業用モデル」について話を伺いました。

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AI(人工知能)やDX(デジタルトランスフォーメーション)によってデータ量が爆発的に増加する中、NAND型フラッシュメモリの重要性がますます高まっている。キオクシアが量産を開始した3次元フラッシュメモリBiCS FLASH 第8世代は、2枚のウエハーを高精度に貼り合わせる「CMOS directly Bonded to Array(CBA)」という新技術を導入し、記憶密度と性能の向上に成功した。

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