最新記事一覧
ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM(MRAM)の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。
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TSMCは2023年12月に開催された「IEDM 2023」で、半導体製造プロセスのロードマップについて言及した。同社は2030年までに、1nm世代での製造を開始する予定で、それまでに技術面や財務面での課題を解決できると自信を見せた。
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ASMLとSamsung Electronicsが、次世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR&D(研究開発)ファブを韓国に設立するMoU(協業覚書)を締結した。両社は、ファブ設立に向け1兆ウォン(約7億7500万米ドル)を共同出資する。
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2023年6月に京都で開催される「VLSIシンポジウム2023」。ようやく、本格的なリアル開催が戻ってくるようだ。本稿では、デバイス分野のTechnologyおよび、回路分野のCircuitsそれぞれについて、投稿/採択論文数の分析を行う。
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ベルギーの研究機関imecの持続可能半導体技術/システムプログラム担当マネジャーであるCedric Rolin氏は、米国EE Timesの取材に応じ、「われわれは次世代集積回路開発に当たり、環境的に持続可能な世界半導体製造プロセス実現に向けて注力している」と述べた。
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Intelが電子デバイスの学会「IEDM 2022」で、パッケージング上での10倍の実装密度向上を目指し、原子3個分の厚さの新素材でトランジスタの微細化を進める計画を発表した。果たして計画通りに進むのか、注目すべき点を解説しよう。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、12月4日週に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう!
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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV(極端紫外線)露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。
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今回は、1988年〜1989年の主な出来事をご紹介する。NORフラッシュの量産が始まり、応用開発が活発になった。
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今回は、1985年から1988年の主な出来事を報告する。NORフラッシュに続き、NANDフラッシュが表舞台に登場する。
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今回は、1981年から1985年の主な出来事を報告する。ついにフラッシュメモリ(フラッシュEEPROM)が登場する時期だ。
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エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回はSamsungが3nm世代で採用、量産開始したGAA(Gate-All-Around)にフォーカスする。
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今回は、本シリーズの完結回として「8. 将来への展望」の講演部分を紹介する。
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今回は「7.4 試作例」の講演パートを解説する。ワイヤレス受電端末を試作し、低消費電力の小型機器をワイヤレス電力伝送で動かした。
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今回は「7.2 アンテナ」と「7.3 アンテナの集積化」の内容について、簡単に解説する。
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ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は2022年6月16日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM、以下MRAM)の高速読み出し/書き換え技術を開発したと発表した。同技術を適用した32MビットのMRAMメモリセルアレイを搭載したテストチップでは、150℃の接合温度でランダムアクセス時間5.9ナノ秒、書き換えスループット5.8Mバイト/秒を達成。
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半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022(以下IMW2022)」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。
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今回から、「7. 放射型ワイヤレス電力伝送の応用例」の講演部分を紹介する。主に受信側の回路を解説する。
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今回は、レクテナの後段に位置する直流コンバータ(昇圧と降圧)について解説する。
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ダイオードを使った整流回路の解析について、複数のダイオードを接続した整流回路兼電圧逓倍回路を解説する。
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人工知能(AI)とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM(抵抗変化型メモリ)は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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今回は、常微分方程式を数値計算によって解く手法と、EDAソフトウェアを活用する手法を紹介する。
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今回は近似解を求める手法である「Ritz-Galerkin(リッツ・ガラーキン)法」を簡単に説明しよう。
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今回からは、「6.2 整流器(Rectifier)」に関する講演のサブパートを解説する。
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前編に続き、「レクテナ」の要素部品であるアンテナを解説する。後編となる今回は、小型アンテナの代表的な事例と、特性の計算手法を紹介していく。
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今回は、「6.1 アンテナ」の講演部分を紹介する。
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今回からは、レクテナに関する講演部分を解説する。
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今回は4番目のサブパート「5.4 利用可能な周波数帯域と許容電力レベル」と、5番目のサブパート「5.5 結論」の講演部分を説明していく。
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今回は「5.3 アンテナの整合」の講演部分を説明する。
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今回は、「フリスの伝達公式」について解説する。
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今回は、アンテナ(主に送電用アンテナ)を解説した講演部分を紹介する。
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今回からは、マイクロ波を使った電力伝送の基礎理論に関する講演部分を紹介していく。理論的な支えとなる学問は「電磁気学」と「アンテナ工学」である。
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後編では、ウイリアム・ブラウン(William C. Brown、1916年5月22日生〜1999年2月3日没)による実験の概要を説明する。
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今回からは、電磁波を使った電力伝送をさらに発展させた実験と構想を前後編で紹介していく。
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後編では、電磁波の発見によって信号伝送(無線通信)と電力伝送が考案され、試みられていった歴史を簡単に説明する。
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今回からはワイヤレス電力伝送の歴史を振り返る。
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後編となる今回は、誘導型(非放射型)ワイヤレス電力伝送(WPT)の簡略史と、放射型WPT技術の種類を解説する。
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前回に続き、「IEDM 2021」の講演を紹介する。今回から、ワイヤレス電力伝送の基本原理を前後編に分けて解説する。
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今回から、「IEDM 2021」でオランダimec Holst Centreでシニアリサーチャー、オランダEindhoven University of TechnologyでフルプロフェッサーをつとめるHubregt J. Visser氏が講演した「Practical Implementation of Wireless Power Transfer(ワイヤレス電力伝送の実用的な実装)」の内容を紹介する。
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ソニーセミコンダクタソリューションズ(以下、SSS)は2022年1月25日、グループ理念や事業活動について紹介するイベント「Sense the Wonder Day」をオンラインで開催した。イベントでは、同社が前年12月に発表した「2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術」について開発担当者が説明したほか、車載事業の創業メンバーが車載事業の歴史を語るなどした。
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ベルギーの研究機関であるimecの研究チームは、GaN(窒化ガリウム)パワーICを次のレベルに引き上げ、スマートパワープラットフォーム上にショットキーバリアダイオード(SBD)とHEMT(高電子移動度トランジスタ)を統合したと発表した。
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ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM、以下MRAM)を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11〜15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT(モノのインターネット)向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。
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今回から、シリコンダイを3次元積層する技術「SoIC(System on Integrated Chips)」を解説する。
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ソニーセミコンダクタソリューションズは「世界初」(同社)の2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発した。光を電気信号に変換するフォトダイオードと信号を制御するための画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層することで、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーと比べて約2倍の飽和信号量を確保した。
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キヤノンが、暗所でも高感度に撮像が可能なSPADセンサーで、フルHD(約207万画素)を超えて「世界最高」(同社)となる320万画素を達成したと発表。従来発表の100万画素SPADセンサーから3倍以上の高画素化を実現するとともに、カラーフィルターを用いたカラー撮影も可能であり、センサーサイズも13.2×9.9mmと小型に抑えた。
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前編に続き、「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate、コワース)」の進化について解説する。
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今回はInFOを高性能コンピューティング(HPC)向けに改良した「InFO_oS(InFO-on-Substrate)」を説明する。
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今回は、フロントエンド3Dとバックエンド3Dを解説する他、TSMCが「CSYS(Complementary Systems, SoCs and Chiplets integration、シーシス)」と呼ぶソリューションを紹介する。
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本シリーズの最終回となる今回は、前回に続き「システム・製造協調最適化(STCO)」を解説する。
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7nm以降の技術ノードでは、「設計・製造協調最適化(DTCO)」だけでなく、「システム・製造協調最適化(STCO:System Technology Co-Optimization)」も利用することでPPAあるいはPPACのバランスを調整することが求められるようになってきた。
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