最新記事一覧
シリコン量子ドット量子ビットは大規模化によって多くの利点をもたらす。imecは300mmウエハーを使って、シリコン量子ドットを大規模化した。
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キオクシアは、高密度／低消費電力の3次元（3D）DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体（InGaZnO）チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。
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NTTは、窒化アルミニウム（AlN）系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」（同社）成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム（Al）組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。
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キオクシアホールディングスの副社長執行役員である太田裕雄氏が、同社の主力製品である「BiCS FLASH」のロードマップやキーテクノロジー、開発中の新メモリソリューションなどについて語った。
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TSMCはオランダで開催したイベントにおいて、ドイツ・ミュンヘンに「European Design Center（欧州設計センター）」を設立すると発表した。2025年第3四半期（7〜9月）に開設し、欧州の顧客企業をサポートしていく予定だ。
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米スタートアップのAelumaが、短波長赤外（SWIR）センサーや量子ドットレーザーの分野で革新を起こそうとしている。300mmウエハーを用いたシリコンフォトニクス技術と融合し、これまでは特殊な分野でしか用いられてこなかったSWIRセンサー／量子ドットレーザーを、民生機器などにも広げようとしている。
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TSMCは、2024年12月に開催された「IEDM 2024」で、2nm世代のプロセス技術「N2」に関する論文を発表した。同社はN2プロセスでの量産を2025年内にも開始する予定だ。
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電子デバイスの学会「IEDM 2024」でIntelとRapidusが製造プロセスに関して発表した。両社とも、いまはお金を集めることが重要な状況にある。果たして、順風満帆といくのか、それとも前途は多難なのか。両社の状況を予想する。
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IBM ResearchとRapidusは、新たなエッチングプロセスであるSLR（Selective Layer Reductions：選択的薄膜化）を用いて、マルチ閾値電圧を持つナノシートGAAトランジスタを製造できるようになったと発表した。
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キオクシアは、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。
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インテルの半導体製造部門であるIntel Foundryは「第70回 IEDM 2024」において、同社で開発中の次世代半導体製造技術を発表した。半導体業界が、2030年までに1兆個のトランジスタを半導体上に集積することを目指す中で、今後10年間のブレークスルーを支える技術になるとする。
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Intelの半導体生産受託（ファウンドリー）部門が、IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）の第70回会合において半導体生産に関する論文を公開する。同社は論文に記載した最新技術を「将来のAI需要にかなう、業界初の進化」だとしている。
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imecは、業界で関心が高まっている2.5D（次元）／3Dインテグレーション技術の研究開発を加速している。EE Times Europeが、imecのシニアフェローに開発の進捗を聞いた。
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キオクシアは2024年10月21日、国際会議「IEDM 2024」において、新コンセプトの半導体メモリ技術に関する3本の論文が採択されたと発表した。
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NVIDIA製GPUの需要が高まる“GPU祭り”は、今後どうなっていくのだろうか。本稿では、AI（人工知能）サーバの出荷台数のデータを読み解きながら、NVIDIAの“GPU祭り”の行く末を予想する。
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Intel、TSMC、Samsung Electronics（Samsung Foundry）というファウンドリートップ3社で、GAA（Gate-All-Around）を採用する半導体製造プロセスのロードマップが出そろった。今回は、各社のロードマップを読み解いてみたい。
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夫の河野さん「今日の体重84.5kg」
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引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。
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NVIDIAのGPUが足りていない。需要そのものが大きいこともあるが、とにかく供給が追い付いていない。本稿では、その要因について詳細を分析する。
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ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。
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TSMCは2023年12月に開催された「IEDM 2023」で、半導体製造プロセスのロードマップについて言及した。同社は2030年までに、1nm世代での製造を開始する予定で、それまでに技術面や財務面での課題を解決できると自信を見せた。
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ASMLとSamsung Electronicsが、次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置による先端半導体プロセス技術開発のR＆D（研究開発）ファブを韓国に設立するMoU（協業覚書）を締結した。両社は、ファブ設立に向け1兆ウォン（約7億7500万米ドル）を共同出資する。
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2023年6月に京都で開催される「VLSIシンポジウム2023」。ようやく、本格的なリアル開催が戻ってくるようだ。本稿では、デバイス分野のTechnologyおよび、回路分野のCircuitsそれぞれについて、投稿／採択論文数の分析を行う。
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ベルギーの研究機関imecの持続可能半導体技術／システムプログラム担当マネジャーであるCedric Rolin氏は、米国EE Timesの取材に応じ、「われわれは次世代集積回路開発に当たり、環境的に持続可能な世界半導体製造プロセス実現に向けて注力している」と述べた。
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Intelが電子デバイスの学会「IEDM 2022」で、パッケージング上での10倍の実装密度向上を目指し、原子3個分の厚さの新素材でトランジスタの微細化を進める計画を発表した。果たして計画通りに進むのか、注目すべき点を解説しよう。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、12月4日週に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV（極端紫外線）露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。
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今回は、1988年〜1989年の主な出来事をご紹介する。NORフラッシュの量産が始まり、応用開発が活発になった。
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今回は、1985年から1988年の主な出来事を報告する。NORフラッシュに続き、NANDフラッシュが表舞台に登場する。
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今回は、1981年から1985年の主な出来事を報告する。ついにフラッシュメモリ（フラッシュEEPROM）が登場する時期だ。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回はSamsungが3nm世代で採用、量産開始したGAA（Gate-All-Around）にフォーカスする。
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今回は、本シリーズの完結回として「8. 将来への展望」の講演部分を紹介する。
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今回は「7.4 試作例」の講演パートを解説する。ワイヤレス受電端末を試作し、低消費電力の小型機器をワイヤレス電力伝送で動かした。
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今回は「7.2 アンテナ」と「7.3 アンテナの集積化」の内容について、簡単に解説する。
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ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2022年6月16日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の高速読み出し／書き換え技術を開発したと発表した。同技術を適用した32MビットのMRAMメモリセルアレイを搭載したテストチップでは、150℃の接合温度でランダムアクセス時間5.9ナノ秒、書き換えスループット5.8Mバイト/秒を達成。
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半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。
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今回から、「7. 放射型ワイヤレス電力伝送の応用例」の講演部分を紹介する。主に受信側の回路を解説する。
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今回は、レクテナの後段に位置する直流コンバータ（昇圧と降圧）について解説する。
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ダイオードを使った整流回路の解析について、複数のダイオードを接続した整流回路兼電圧逓倍回路を解説する。
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人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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今回は、常微分方程式を数値計算によって解く手法と、EDAソフトウェアを活用する手法を紹介する。
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今回は近似解を求める手法である「Ritz-Galerkin（リッツ・ガラーキン）法」を簡単に説明しよう。
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今回からは、「6.2 整流器（Rectifier）」に関する講演のサブパートを解説する。
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前編に続き、「レクテナ」の要素部品であるアンテナを解説する。後編となる今回は、小型アンテナの代表的な事例と、特性の計算手法を紹介していく。
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今回は、「6.1 アンテナ」の講演部分を紹介する。
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今回からは、レクテナに関する講演部分を解説する。
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今回は4番目のサブパート「5.4 利用可能な周波数帯域と許容電力レベル」と、5番目のサブパート「5.5 結論」の講演部分を説明していく。
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今回は「5.3 アンテナの整合」の講演部分を説明する。
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今回は、「フリスの伝達公式」について解説する。
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