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「IEDM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム(He)、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。

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キオクシアホールディングスは2026〜2028年度の3年間で年平均約4700億円の設備投資を実施する方針を示した。また同社副社長執行役員 財務統括責任者(CFO)の河村芳彦氏は今後の成長について「スーパーサイクルに入っていくと考えられる」と述べ、同社の事業構造が、安定的で高収益な成長を実現できる形へと大きく変化しているとの認識を示した。

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2025年12月に開催された国際学会IEDMにおける、TSMCの講演を解説するシリーズ。今回は、前回に続き、「先進パッケージ技術の進化」を取り上げる。分割した複数のミニダイを同一パッケージに収容する際の、3つの接続手法を解説する。

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キオクシアは、高密度/低消費電力の3次元(3D)DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体(InGaZnO)チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。

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NTTは、窒化アルミニウム(AlN)系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」(同社)成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム(Al)組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。

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米スタートアップのAelumaが、短波長赤外(SWIR)センサーや量子ドットレーザーの分野で革新を起こそうとしている。300mmウエハーを用いたシリコンフォトニクス技術と融合し、これまでは特殊な分野でしか用いられてこなかったSWIRセンサー/量子ドットレーザーを、民生機器などにも広げようとしている。

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インテルの半導体製造部門であるIntel Foundryは「第70回 IEDM 2024」において、同社で開発中の次世代半導体製造技術を発表した。半導体業界が、2030年までに1兆個のトランジスタを半導体上に集積することを目指す中で、今後10年間のブレークスルーを支える技術になるとする。

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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV(極端紫外線)露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。

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