Samsung、業界初の60ナノメートル8GビットNANDフラッシュ開発
Samsung Electronicsは9月20日、業界初の60ナノメートル8GビットNANDフラッシュメモリを開発したと発表した。これにより、1枚のメモリカードに16Gバイトのメモリを搭載することが可能となる。
同社は2001年のISSCCカンファレンスで提示した、メモリ集積度を毎年2倍にするという公約を守ったとしている。
同社は2003年に70ナノメートルプロセスによる4GビットNANDフラッシュメモリを開発しているが、新技術によりセルサイズの30％縮小に成功している。同社によれば、開発の鍵となったのは、3Dセルトランジスタ構造と高誘電性ゲート絶縁技術だという。
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