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「3Dメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS(MSA-CBA)構造で、「世界初」(両社)のクアッドレベルセル(QLC)動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

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中東情勢に伴うヘリウム(He)とナフサの供給危機問題を解説するシリーズ。今回は、製造装置メーカーとチップメーカーへの波及経路をたどりながら、短期〜中長期的な影響を推測する。さらに、政府による「ナフサ4カ月在庫」議論が“的外れ”である理由を述べる。

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半導体業界にとって、中東情勢に伴うヘリウム(He)供給逼迫(ひっぱく)およびナフサの不足は、思っている以上に深刻な影響をもたらす。本稿では、これら2つの材料の供給が途絶/不足するという危機の本質を、主要装置に与える影響を考察しながら、詳細に解説する。

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米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム(He)の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】

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名古屋大学の研究グループと東京エレクトロン宮城は、ウエハーを冷却しフッ化水素(HF)プラズマを用いる反応性イオンエッチング(RIE)プロセスのメカニズムを明らかにした。SiO2(二酸化ケイ素)膜のエッチング速度を従来プロセスに比べ5倍も向上させた。エッチングガスにHFを用いるため環境負荷も低減できるという。

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2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体/エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。

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キオクシアは、高密度/低消費電力の3次元(3D)DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体(InGaZnO)チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。

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ラムリサーチは2025年10月に開催した記者説明会で、新しいプラズマ化学蒸着(PECVD)装置「VECTOR TEOS 3D」について説明した。先端パッケージング向けの装置で、反りが大きいウエハーにも厚さ60μm以上の絶縁体膜を成膜できる。これにより、ダイ間埋め込みの工程において、ボイドやクラックのない絶縁体膜を作成できるとする。

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生成AIの普及でデータ量が爆発的に増える中、AIデータセンターではストレージの重要性が増している。キオクシアは次世代「BiCS FLASH」をベースに、大容量や広帯域光SSD、1億IOPSのSSDなど、新しいAIストレージ基盤を見据えた革新技術を次々に提案している。

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300mmファブ装置に対する世界投資額が2025年に初めて1000億米ドル台に達し、2026年から2028年までの3年間で総額3740億米ドルに達するという予測をSEMIが発表した。「AIチップの需要増」や「主要地域における半導体の自給率向上に向けた取り組み」などが設備投資に弾みをつける。

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ASMLの2024年第3四半期決算は業績が「期待外れ」とされ、決算発表の翌日に株価が暴落。「ASMLショック」が広がったと報じられた。だが業績の推移を見れば、これが「ショック」でも何でもないことはすぐに分かる。それよりも注視すべきは、中国によるASML製ArF液浸露光装置の爆買い、そして何よりも「トランプ・ショックの到来」ではないだろうか。

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「FMS(Flash Memory Summit)」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award(生涯功績賞)」を授与してきた。2024年の「FMS(Future Memory and Storage)」では、東芝(当時)で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。

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これまであまり物理的なサーバとストレージに触れてこなかった方を対象に、AWSを用いてサーバとストレージの基礎知識を解説する連載。第2回は、Amazon EC2向けのストレージサービス「Amazon EBS」を詳しく解説する。

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