最新記事一覧
富士フイルムのグループ企業である富士フイルムビジネスイノベーション（以下、富士フイルムBI）は、面発光レーザー（VCSEL）採用の独自レーザー光源「Smart Addressable VCSEL」を活用し、空間センシング技術を開発したと発表した。複合機で培ったレーザー光源を活用していて、人や物の位置だけでなく、動きや移動方向も認識できるという。
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Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。
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東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。
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imecは2026年9月21日（ベルギー時間）、100GHzの帯域幅や5Vの低電圧動作、Oバンド／Cバンド両帯域にわたる1.8A/Wの応答性を同時に実現したゲルマニウムインシリコン（Ge/Si）アバランシェフォトダイオード（APD）を発表した。同デバイスによって「APD受信機を採用した光リンクとして世界で初めて正味400Gbpsのデータ受信を実証した」（imec）という。
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Alpha & Omega Semiconductor（AOS）は、上面冷却型パッケージを採用した600V耐圧のスーパージャンクションMOSFETを発売した。電気経路と熱経路を協調して最適化することで、電力密度を高めている。
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東レリサーチセンターは、光通信用の半導体やシリコンフォトニクス関連材料を対象に、光通信波長帯を含む近赤外領域
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リテルヒューズは、12V車載電子機器向けTVSダイオード「TPSMD-FL」シリーズを発表した。ピークパルス電力耐量は3000Wで、ISO 7637-2 Pulse 5bの負荷遮断保護を簡素化できる。
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電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。
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サンケン電気は、車載用高圧3相モータードライバー「SAM470M50AF1」の量産を開始した。耐圧が700V、出力電流が50Aで、大電流を要する機器での用途を想定する。
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東京農工大学は、次世代高速通信での利用が期待されるテラヘルツ波を狙った方向へ放射できる、51μmの薄型レンズを開発した。電波を拡散せず、目的方向に平面波として届ける指向性は、最大3.1倍に向上した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、VCSELを内蔵した短距離近接センサー「VCNL36829UM」を発表した。5μAの低アイドル電流と14ビットの近接検出分解能を備えている。
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Kinetic Technologiesは、車載電源ラインを異常電源や負荷状態から保護するAEC-Q100準拠ロードスイッチ「KTS1642Q」を発表した。
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「2026年度版 実装技術ロードマップ」の概要をご報告するシリーズ。今回は「2.2 情報通信」の「2.2.1.1 光伝送技術と光トランシーバ構造」について、概要を説明する。
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今回は、デクセリアルズのフォトダイオードの展望について、つらつら語っています。
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NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。
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名古屋大学らによるASPIRE（先端国際共同研究推進事業）国際共同研究グループは、薄膜p型窒化ガリウム（p型GaN）表面の平たんさを維持しつつ、低抵抗のオーミック接触を形成する技術を開発した。LEDやp型GaNゲートHEMT、HBTなど、薄膜p型GaN層を用いる電子・光デバイスへの応用に期待する。
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ロームは、共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ波発振デバイスの第2世代品を開発した。第1世代品と同じサイズで発振出力を4倍に高め、測定対象の拡大を図る。同社は小型で扱いやすい評価キットを通じて利用者を増やし、テラヘルツ波の用途開拓と市場形成につなげる考えだ。
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デクセリアルズは、2027年3月期第1四半期の連結業績について、為替影響が追い風となり、売上高が前年同期比4％増の271億8200万円、事業利益は同4.8％増の82億7500万円になったと発表した。
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「Claude Mythos」に代表される高度なAIモデルの悪用により、ゼロデイ攻撃のリスクがかつてないほど深刻化している。シグネチャベースのセキュリティ対策では限界が見えつつある中で、パッチ当てに忙殺されることなく未知の脅威に対抗する鍵とは。
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ロームは、共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いた「テラヘルツ波発振デバイス」の第2世代品を開発した。第1世代品に比べ発振出力を4倍に高めた。第2世代のサンプル品を含む評価キット「RTD-EVK-G2」も用意している。
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今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、幅3.6mmのパッケージを採用した車載向け1MBd高速フォトカプラ「VOMHA43A」を発表した。CMTIが最小保証40kV/マイクロ秒になっている。
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AIの急速な普及は、シリコンフォトニクスの世界にも影響を及ぼしている。より高速なデータ通信への要求が高まるにつれ、シリコンフォトニクスの需要が増え、300mmウエハーへの移行が急がれているのだ。
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光通信の基礎から応用までを紹介する本連載。第4回は、さらに基本に立ち返って「Lチカ」を話題として取り上げる。C言語プログラミングの基礎の基礎“Hello, World”との共通点とは。
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Littelfuseは、48V車載電子機器向けTVSダイオード「TP5.0SMD-FL」「TP1KSMB-FL」を発表した。低いクランプ電圧と高速応答により、過渡電圧から回路を保護する。
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今回はタップを設けたチョークを使用して高入力電圧に対応したDC/DCコンバーターを紹介します。
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今回はマイコン（マイクロコンピュータ／マイクロコントローラー）の概要やメリット、開発に必要な情報など入門的な内容を解説します。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。
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三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。
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ソニーセミコンダクタソリューションズが、モバイル向けとして初めてLOFIC（横型オーバーフロー蓄積容量）構造を採用した積層型CMOSイメージセンサーを商品化した。飽和電荷量を従来比約10倍に拡大するとともに、新たなHDR技術や回路技術を組み合わせることで、単一露光で100dBのダイナミックレンジを実現した。2026年夏に量産出荷を開始する予定だ。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、表面実装TVSダイオード「T3KNxxA」「T3KNxxCA」「3KDFNxxA」「3KDFNxxCA」シリーズを発表した。単方向と双方向品をそろえ、最大3000Wの電力損失耐量を備える。
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光通信の基礎から応用までを紹介する本連載。第3回は、赤外線発光ダイオードを使って光信号を送受信する実験を行う。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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Diodesの車載向けホール効果ラッチ「AH3711Q」は、±10ガウスの高感度磁気検出を実現する。小型磁石の採用によるシステム小型化と低消費電力化に貢献する。
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電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。
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三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、最大600mmの中距離検出に対応する、近接センサー「VCNL36758」を発表した。IRエミッターやフォトダイオード、アンプ、12ビットA-Dコンバーターを集積している。
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NECらは、室温で波長1.55μ〜3μm帯までの中赤外光を検出可能な小型赤外光センサーを試作した。ゲルマニウム基板上にすずを13.6％含有した高品質層を形成し、近赤外から中赤外までをカバーする。
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Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。
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名古屋大学とNECは、産業技術総合研究所（産総研）と共同で室温において波長1.55μ〜3μmの赤外光を検出できる小型センサーを開発した。ガス検知に加え、環境モニタリングやヘルスケア、食品／医薬品の品質管理など身近な領域での応用が期待される。
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三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
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工場内でワーク搬送を担うコントロールユニットについて、通信エラーが発生するとの修理依頼を受けた。本機器は、センター装置から受信した情報を基に搬送機器と通信を行うコントローラーだ。今回は、珍しい搬送機器に関する調査および修理内容について報告する。
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スマートフォン市場の成熟などで競争環境が変化する中、イメージセンサー世界首位のソニーセミコンダクタソリューションズは今、大きな転換点にある。今回、同社CTOの大池祐輔氏に同社を支える技術革新の背景と、今後の進化の方向性を聞いた。
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富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。
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Littelfuseは、航空電子機器や軍事用途向けに、雷サージ保護性能を備えた高信頼TVSダイオードシリーズを投入した。高速応答と小型実装性を両立する。
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今回は電源ICの基本的な役割や機能などについて説明します。
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ロームは、10Gビット/秒超の高速通信インタフェース向けに、ESD保護ダイオード「RESDxVx」シリーズを開発した。超低容量と低ダイナミック抵抗を両立し、高いIC保護性能を確保。高速データ通信を用いるアプリケーションに対応する。
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