最新記事一覧
真っ赤な目を点滅させ、左右を見回しながら大音響で相手を威嚇する―。野生動物を撃退するオオカミ型の装置「モンスターウルフ」が全国から注目されている。
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ピカリング インターフェースは、12スロットのLXI、USBモジュラー型シャーシ「60-107-001」を発表した。PXI、PXIeモジュールに対応し、同社従来品と比べてモジュール密度が20％向上した。
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今回はダイオードの選定について説明するとともに、チョーク電流連続でも平滑キャパシターへのエネルギー供給期間が短くなるMode IIについて説明します。
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2025年8月10日夜、筆者の暮らす熊本で大雨の特別警報が出た。愛車は嫁さんの実家に駐車していた。自宅も嫁さんの実家も井芹川の近くにあり、内水氾濫で駐車していた車は1m近く水没した。翌朝、車を確認。一目で『廃車』という文字が頭の中で横切ったが、車を乾燥させ、数日後にバッテリー充電を試みた。
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スタンフォード大学のショレンスタイン・アジア太平洋研究センター（APARC）の所長に9月、初の日本人教授が就任した。同大学社会学部の筒井清輝教授だ。どうすれば日本企業が、再び世界に羽ばたけるようになるのか。日本企業の強みとは？ 筒井教授に聞いた。
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日清紡マイクロデバイスは、車載カメラモジュールに向けた4チャンネル複合電源IC「NP8700」シリーズを発売した。4つのレギュレーターを1パッケージに集約していて、周辺部品の削減や実装基板の省スペース化を可能にした。
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3種類のコンバーターの各種計算式をまとめて比較していきます。
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リテルヒューズは、TVSダイオード「DFNAK3」シリーズの販売を開始した。3kAのサージ電流保護に対応し、DC電源システムやPoEなど、過酷な環境下での機器保護に適する。
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サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM2シリーズ」として、車載用途に向けた最大定格650V／50Aの「SAM265M50AS3」の量産を始めた。スイッチング速度を高めることで、同等の他社製品に比べスイッチング損失を20％以上も低減したという。
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Googleのスマートウォッチ新モデル「Pixel Watch 4」が発売された。実機を試して分かったオススメのユーザーを考えた。
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欧州の半導体大手STMicroelectronicsを誕生させた功績を持つPasquale Pistorio氏がイタリア・ミラノにおいて89歳で死去した。本稿では、同氏の歩みとその功績を振り返る。
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ソニーセミコンダクタソリューションズが2.1μm画素を採用し、RGB画像とIR画像の撮像をワンチップで実現するインキャビン用のイメージセンサーを開発した。車外向けのセンサーを中心に扱ってきた同社にとって、この用途では初の製品だ。背景にあるのは、法規制強化によって今後急速に拡大が見込まれる市場機会だ。同社担当者に、製品の詳細や狙いを聞いた。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。
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マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「A-Dコンバーターのトラブル例」についてです。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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東京大学と物質・材料研究機構（NIMS）、岡山大学、ジョージア工科大学および、コロラド大学ボルダー校の国際共同研究グループは、有機半導体を用い周波数920MHz（UHF帯）の交流電力を、5.2％という高い効率で直流電力に変換できる「整流ダイオード」を開発した。IoT向け無線通信などへの応用を視野に入れる。
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前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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東京科学大の研究チームは、考案した独自の設計指針に基づき、p型／n型半導体特性や光学特性を広範囲に制御できる材料を開発した。開発したスピネル型硫化物は、高効率の緑色LEDや太陽電池に向けた新材料として有用であることを実証した。
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東北大学の研究グループと物質・材料研究機構（NIMS）が、マグネシウム蓄電池向けた酸化物正極材料を開発。これを用いて試作した電池で、室温環境下で200回以上の繰り返し充放電ができることを確認したという。
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欧州最大の家電・IT見本市「IFA」。現地を取材したIT分野の調査・コンサルティング会社、MM総研の関口和一代表取締役所長がレポートする。
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東北大学の研究グループは、物質・材料研究機構（NIMS）と共同で、マグネシウム蓄電池（RMB）に向けた非晶質の酸化物正極材料を開発した。これを用いて試作したRMBは、室温で200回以上も繰り返し充放電ができることを確認した。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SOT-23パッケージを採用した、車載グレードのESD保護ダイオードを発表した。単線用「VGSOTxx」シリーズと二線用「VGSOTxxC」シリーズの2種で、動作電圧は3.3〜36Vに対応する。
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今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。
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三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。
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「プロジェクトX」のような話でした。
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イスラエルproteanTecsは、2nmプロセスノードに対応したVDDコア専用LVTS（Local Voltage and Thermal Sensor）を発表した。高い精度と統合性を実現した電圧・温度センサーとして、次世代AIやクラウド、自動車などの用途に提案していく。
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旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC（ウルテック）」を設立した。窒化アルミニウム（AlN）を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード（UV-C LD）」などの早期実用化と市場拡大を目指す。
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旭化成発のスピンアウトベンチャーが設立された。その名は「ULTEC」。同社は、ノーベル賞受賞者である天野浩氏の協力のもと、窒化アルミニウムを用いたウルトラワイドギャップ半導体技術を基盤に、紫外線レーザーダイオードなどの開発／事業化を進める。
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小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。
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リテルヒューズは、DC電源ラインの過電圧過渡保護向けTVSダイオード「5.0SMDJ-FB」シリーズを発表した。同社従来品と比較して、クランピング電圧が最大15％低減している。
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名古屋大学は、IV族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造（DBS）を形成する技術を開発した。この技術を用い、テラヘルツ（THz）発振に必要な共鳴トンネルダイオード（RTD）を試作し、室温（300K）での動作実証に成功した。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「電子部品の極性」についてです。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。
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Patentixは、イオン注入により、r-GeO2に対してn型導電性を付与することに成功した。r-GeO2は、p型、n型の両方の導電制御を可能とする次世代パワー半導体材料だ。
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サンケン電気は、白物家電向けの高圧3相モーター用ドライバー「SCM127xMB」シリーズを発表した。出力素子、プリドライバー、制限抵抗付きのブートストラップダイオードを1パッケージに統合している。
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今回はチョーク電流連続でキャパシターへの充電期間tcがtc＝toffとなるMode I動作時のリップル電圧とキャパシターに流れるリップル電流の計算の仕方について説明していきます。
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知人からPFC電源の焼損の相談があった。半導体工場で装置の電源部品の焼損事故が発生して、装置内に煙が充満したようだ。今回、その原因や対策を紹介する。
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EE Times Japan 創刊20周年を記念した特別寄稿。本稿では、40年以上にわたり半導体技術／電子技術を見守り、フリーの技術ジャーナリストとして活躍されている福田昭氏が、1980年代の「高温超伝導フィーバー」を振り返ります。
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サンケン電気は、車載オルタネーター用ダイオード「SG-K17VLEFGR」「SG-K17VLEFGS」の量産を開始した。両製品は極性が逆で、組み合わせて使用することでブリッジ回路を省スペースで構成できる。
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FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。
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Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。
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EE Times Japan 創刊20周年に合わせて、半導体業界を長年見てきたジャーナリストの皆さまや、EE Times Japanで記事を執筆していただいている方からの特別寄稿を掲載しています。今回は、40年以上にわたり半導体技術／電子技術を見守り、フリーの技術ジャーナリストとして活躍されている福田昭氏にご寄稿いただきます。EE Times Japan創刊からさらに20年さかのぼり、1985年の話からスタートします。
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OKIとNTTイノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6Gや非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を2026年より始める。
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クルマの電子化および電動化を背景にカーエレクトロニクスの進化が著しい。「人とくるまのテクノロジー展2025 YOKOHAMA」でも多くの半導体／電子部品メーカーが出展し、カーエレクトロニクス関連のさまざまな提案を行っていた。
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新電元工業は、高電圧対応の面実装パッケージ「CGパッケージ」を開発した。第1弾製品として、外形寸法は従来品と同じで端子間距離を5.6mmに拡大した民生機器向けダイオード「D3CG160V」を発売する。
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発明協会は、令和7年度（2025年度）全国発明表彰の受賞者を発表した。最も優れた発明に贈られる「恩賜発明賞」には、旭化成の船川明恭氏および蜂谷敏徳氏による「ニッケルを用いた電極長寿命化技術」が選ばれた。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、AEC-Q100準拠の照度センサー「VEML4031X00」を発表した。ALSおよび高感度IRフォトダイオードを内蔵し、光源の識別も可能だ。
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