最新記事一覧
今回は、Samsung Electronicsが開発した埋め込みMRAM技術の製品化事例を報告する。具体的には、Huaweiのスマートウォッチ「GT2」に搭載されているソニーセミコンダクタソリューションズのGPSレシーバーIC「CXD5605」に、SamsungのMRAMマクロが内蔵されていることが明らかになった。
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今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。
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今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。
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今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。
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ストレージクラスメモリの一種である「MRAM」には幾つかの種類が存在する。それぞれどのような技術を採用していて、容量や性能の観点でどのような違いがあるのだろうか。
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ストレージインタフェースにSATAやSASを採用したSSDよりも、NVMeを採用したフラッシュストレージが選ばれる傾向があるという。その理由とは何か。
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メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。
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MRAM（磁気抵抗メモリ）の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。
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今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。
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NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。
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MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies（STT）は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。
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MRAM（磁気メモリ）を手掛けるEverspin Technologiesが、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）を採用したストレージアクセラレーターを発表した。同社にとって初となる、システムレベルのMRAM製品だという。
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EE Times Japanで2016年9月24〜30日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!
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TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元（3D）パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。
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次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM（磁気抵抗メモリ）メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。
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GLOBALFOUNDRIES（GF）が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM（磁気抵抗メモリ）をサポートする予定だ。
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STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。
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IMECは、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。
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3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。
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「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介！（メルマガ配信日：2016年5月6日）
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MRAMメーカーのEverspin Technologiesが、56MビットのST-MRAM（スピン注入磁化反転型MRAM）のサンプル出荷を開始した。
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NAND型メモリの後継として期待されている「ReRAM（Resistive Random Access Memory）」とSSDを組み合わせることで、大容量高速化とエラー発生低減を狙う動きがあります。このSSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」について解説します。
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ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。
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幅広い用途でDRAMやSRAMの置き換えになると予想されているMRAM（磁気抵抗メモリ）。産業用途を中心に採用が進んでいるが、普及が加速するにはまだ時間が必要なようだ。
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日米20社の半導体企業が集まって、東北大学でMRAMを共同開発するという。MRAMはすでに製品も登場しているものの、期待ほど市場は立ち上がっていない。さて、この共同開発でブレークスルーが起き、DRAMを置き換えるまでになるのか。
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DRAMに近い高速性と書き換え耐性が得られる次世代不揮発メモリとして注目されるMRAM。これまでに製品化されていたトグル方式のMRAMは記憶容量に制約がありDRAMを置き換える応用は難しかった。この状況が変わる。大容量化の有力手段として期待がかかるスピン注入方式を使った、新型MRAMの製品化が始まった。
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バッファローメモリがESEC2012でデモを披露しているMRAMキャッシュ搭載SSD。電源が瞬断した後の立ち上がり時間といった特性の他、制御コントローラやMRAMのベンダーが明らかになった。
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宇宙がより身近なものになりつつある。これまでは、ごく限られた企業や研究機関のみが手掛けてきた人工衛星開発のすそ野が、最近になって広がってきた。回紹介する「スプライト観測衛星（SPRITE-SAT）」は、この相乗り衛星の1つだ。
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現在のDRAMやNAND型フラッシュメモリの用途に向けた次世代不揮発メモリの候補は4種類ある。FeRAM、MRAM、PRAM、ReRAMだ。ただし、どれか1つの不揮発メモリで全用途に対応することは難しそうだ。これはどの不揮発メモリにも何らかの欠点が存在するからだ。後編では不揮発メモリの用途や各不揮発メモリの性能向上策、技術動向について解説する。
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FreescaleのMRAM製造関連の技術や資産を新会社EverSpin Technologiesが引き継ぎ、組み込み製品の開発は今後もFreescaleが継続する。
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