最新記事一覧
大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。
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富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（FFEM）の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発／評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。
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富士フイルムの半導体材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場（静岡県吉田町）内で建設が進められていた先端半導体材料の開発／評価用の新棟が完成し、2025年11月に稼働を開始した。
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前工程用の半導体製造装置において日本メーカーのシェア低下が止まらない中、健闘しているのがキヤノンである。同社のナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、光露光プロセスにパラダイムシフトを起こす可能性を秘めている。
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富士フイルムは、先端半導体の製造プロセス向け環境配慮型材料として、有機フッ素化合物（PFAS）不使用のネガ型ArF液浸レジストを開発した。
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本稿では、2024年下半期（7〜12月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。
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東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。
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東京科学大学工学院と東京応化工業は、UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクスプロセスを開発した。
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TOPPANは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」でFC-BGA基板や次世代半導体パッケージ向け部材、EUVフォトマスクなど、半導体の前工程および後工程をカバーする幅広い製品やソリューションを紹介する。
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キヤノン、キヤノンアネルバ、キヤノンマシナリーは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展する。ブースではナノインプリント半導体製造装置などの前工程向け装置から先端パッケージングに対応する後工程向け装置まで、幅広い製品ラインアップを紹介する予定だ。
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大日本印刷（DNP）は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展する。ブースではEUV（極端紫外線）リソグラフィ用フォトマスクや光電融合向けパッケージ基板などを紹介する予定だ。
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日本デザイン振興会は「2024年度グッドデザイン賞」の受賞結果を発表した。2024年度は「勇気と有機のあるデザイン」をテーマに掲げ、全5773件の審査対象の中から、1579件をグッドデザイン賞に選出。大賞候補となる20件の「グッドデザイン金賞」についても紹介した。
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キヤノンは、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE）に向けて出荷した。
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NTTアドバンステクノロジは、耐光性に優れた屈折率1.9の高屈折率ナノインプリント樹脂を開発した。
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ASMLはimecの年次イベントで、次世代のEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置のロードマップについて言及した。開口数（NA）が0.75の「Hyper-NA」リソグラフィ装置を開発中だという。
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富士フイルムは、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じ、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を発売する。
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富士フイルムは、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売する。
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日本電気硝子は「nano tech 2024 第23回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」に出展し、開発した超薄板ガラス「G-Leaf」や超薄板ガラスと樹脂積層体を組み合わせた「Lamion［フレキシブル］」、紫外線遮蔽超薄板ガラス、化学強化専用超薄板ガラス「Dinorex UTG」を披露した。
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本稿では、2023年後半となる7〜12月の出来事を、EE Times Japanの記事とともに振り返る。
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東北大学は、可視光や次世代通信に必要な電波を透過する、透明な遮熱窓用の基材を開発した。nmサイズの周期構造を持つアルミ製遮熱メタマテリアルにより、波長が異なる電磁波の反射や透過を制御する。
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キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。
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キヤノンおよびキヤノンマーケティングジャパンはプライベートイベント「Canon EXPO 2023」で最新半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を実寸大パネルを用いて紹介した。
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東北大学は、近赤外波長は反射し5G／6G用の電波（可視波長）は透過する、ナノ周期構造の「アルミ製遮熱メタマテリアル」を開発した。建物や自動車の窓ガラスに応用すれば、室内や車内の温度上昇による熱中症の発症や電力の消費量を抑えることが可能となる。
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キヤノンはナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を活用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。従来の投影露光装置に比べて製造コストや消費電力の削減に貢献する。
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キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。
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2022年10月26日、キオクシアの四日市工場（三重県四日市市）に完成した第7製造棟（Y7棟）の竣工式が開催された。同日には、竣工式とともに記者説明会も開催され、キオクシア 代表取締役社長の早坂伸夫氏と、同社 常務執行役員 四日市工場長 松下智治氏が、報道機関からの質問に答えた。
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NEDOと経済産業省、AIST、TIAの4者が「先端半導体製造技術つくば拠点オープニングシンポジウム」を開催。「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の中で進められる「先端半導体製造技術の開発」のキックオフに当たるイベントで、2nm世代以降のロジックICを対象とした前工程プロジェクトと、3D ICを対象とした後工程プロジェクトについての説明が行われた。
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パナソニックは、フォトン（photon、光子）ではなく、フォノン（phonon、音子）の応用となる「フォノニック結晶構造」をシリコンウエハー上で量産するための作成方法を開発した。このフォノニック結晶構造は、遠赤外線センサーの感度を約10倍向上できるという画期的な技術である。
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大日本印刷は、「タッチレスAR透明浮遊ディスプレイ」の提供を開始した。モーションセンサーと液晶調光フィルム、透明スクリーンを組み合わせることで、ディスプレイに触れることなく、手指の動きでカーソル操作できる。
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産業技術総合研究所（産総研）は、印刷技術を応用し、低反射率で耐久性に優れたワイヤグリッド偏光シートを菱江化学などと共同開発した。
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ウシオ電機は2017年11月から、リソグラフィ技術などを活用した微細加工を受託するサービスを開始した。
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情報通信研究機構（NICT）は、発光波長265nm帯で光出力が150mWを上回る「深紫外LED」の開発に成功した。産業用途で十分に利用可能な出力レベルだという。
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大日本印刷（DNP）は、3次元構造のNAND型（3D NAND）フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、回路線幅が10nm台のナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入する。
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アスカネットは、「Aerial Imaging-空中ディスプレイ」と呼ぶ空間映像技術について、プレスカンファレンスを開催した。同社のAIプレートは、高輝度な空中映像を実像として結像できるという。
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凸版印刷は2016年8月、顔料や染料などの色素を使わずに、モルフォチョウの瑠璃色を再現した構造発色シート「モルフォシート」を開発したと発表した。偽造防止などのセキュリティや、屋内外でのプロモーションツール向けの製品として、2017年度中の実用化を目指す。
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東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟（N-Y2）」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。
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今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。
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今回は、露光の際にシリコン・ウエハー周辺部で発生する現象「パーシャルフィールド」をもう少し掘り下げて解説しよう。このパーシャルフィールドについてキヤノンは、3種類に分けて対処しているという。
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ナノインプリント・リソグラフィでは、ウエハー1枚当たりの処理時間を短縮しようとすると、欠陥密度が増加する傾向にある。だが要求されるのは、生産性の向上と欠陥密度の低減だ。キヤノンは、こうした“二律背反”の要求に応えるべく、リソグラフィ技術の改良を重ねてきた。
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今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性（スループット）だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。
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今回から、ナノインプリント・リソグラフィ技術の解説に入る。この技術の最大の強みは装置コストが非常に低いことだ。一方で、欠陥をどう低減するかという難しい課題を抱えている。
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キヤノンは、解像力10nm台の高度な微細加工が可能なナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発した。光露光装置に比べ、高解像度で均一性のあるパターンを描くことができる。
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EE Times Japanで先週（2015年2月21〜27日）に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!
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キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。
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大日本印刷（以下、DNP）は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ（以下、NIL）用のテンプレート（型）の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。
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DRAMeXchangeによると、2014年第四半期におけるNAND型フラッシュメモリの世界市場は、全体として好調だったようだ。ただし、価格の下落は続いている。今後、Samsung Electronics（サムスン電子）は3次元NANDフラッシュ、東芝は15nmプロセスへの移行を加速させると見られている。
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東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型（モールド）をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。
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NANDフラッシュメモリ関連機密を不正に取得・使用されたとして東芝がSK Hynixを訴えていた訴訟で和解。SK Hynixが東芝に和解金を支払い、次世代露光装置技術の開発などで協業関係も構築。
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東芝は、NAND型フラッシュメモリの技術漏えいで、SKハイニックス（SK Hynix）を相手取り民事訴訟を起こしていた件について、両社が和解に至ったと発表した。
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キヤノンと米国のモレキュラーインプリント社（MII）は、2014年2月に合意した、キヤノンによるモレキュラーインプリント社の買収手続きが完了したことを明らかにした。新子会社名は「キヤノンナノテクノロジーズ（Canon Nanotechnologies）」となる。
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