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» 2005年02月03日 19時10分 UPDATE

相変化膜を半導体メモリに エルピーダ、米社技術を導入

[ITmedia]

 エルピーダメモリは2月3日、米Ovonyxと「相変化メモリ」技術の契約で基本合意したと発表した。次世代メモリ開発に活かす。

 相変化メモリは、光ディスクの記録層に使われている相変化膜を半導体メモリに用いる。不揮発性を持つ上、フラッシュメモリに比べ高速な点などが特徴という。Ovonyxはエルピーダのほか、BAE SystemsやIntel、ST Microelectronicsなdにライセンスしている。

 エルピーダはDRAM技術をOvonyxの技術と組み合わせ、次世代の超低消費電力メモリ開発を進める。

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