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2016年07月28日 12時04分 UPDATE

世界初、64層の3次元NANDフラッシュをサンプル出荷 東芝

東芝は、64層の3次元NANDフラッシュメモリを開発し、世界で初めてサンプル出荷を始めたと発表した。

[ITmedia]

 東芝は7月27日、3次元NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、世界で初めてサンプル出荷を始めたと発表した。1セル当たり3ビット記録でき、メモリ1個当たりの容量は256Gbit(32GB)。来年前半に量産を始める。

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 データセンター向けやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを中心に展開。今後、容量512Gbit(64GB)版の製品化も計画する。

 新製品は、48層積層プロセスの従来品と比べて単位面積当たりのメモリ容量を約1.4倍に大容量化。回路技術やプロセスを最適化することでチップサイズを小型化し、1枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を拡大するとともに、ビットあたりのコストを削減したという。

 3次元NANDフラッシュメモリは、シリコン平面から垂直方向にメモリ素子を積み上げたもの。メモリ素子を平面上に並べた従来のNANDフラッシュメモリと比べ、素子密度を大幅に向上させられる。

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