コラム
» 2018年06月18日 08時00分 公開

インメモリDBの「SAP HANA」、Intelの不揮発性メモリに正式対応 サーバダウン時もデータを失わず高速起動Publickey(2/4 ページ)

[新野淳一,Publickey]

全てのメモリをDRAMにするよりも、安価なメモリ構成が可能に

 SAP HANAはインメモリデータベースであるため、基本的に全てのデータをメモリ上で管理しています。データ圧縮機能は備えていますが、それでも多くのデータを扱うにはSAP HANAを稼働するサーバに数百GBから数十TB級のメモリ、すなわちDRAMを搭載することが求められます。それは当然、サーバの調達コストの大きな上昇に直結します。

 ここに、インテルの不揮発性メモリを利用するメリットの1つがあるのです。Intel Optane DC persistent memoryは容量当たりの単価が(まだ本格出荷されていないため、実勢価格が不明ではあるものの)DRAMよりも安いとされています。そのため、より安いコストで大容量のメモリをサーバに搭載できるのです。

 ただし、Intel Optane DC persistent memoryのアクセス速度は、DRAMよりもおおむね1桁から2桁程度遅いと考えられています。一般に、メインメモリとして使われているDRAMのアクセス速度は、数十ナノ秒から数百ナノ秒程度。Optane DC persistent memoryに使われている不揮発性メモリ媒体「3D XPoint」のアクセス速度は、1マイクロ秒から10マイクロ秒程度とされています。

 そのため、全てのメモリをIntel Optane DC persistent memoryにするのではなく、データベースのデータのうち、あまりアクセスされない部分を置き換えるのが効果的な使い方です。そこで今回のSAP HANA SPS03では、下図のように、メインストア(main store)と呼ばれるデータ領域の一部、または全部を不揮発性メモリに配置することができるようになっています。

photo SAP HANA SPS03での不揮発性メモリの配置

 インメモリデータベースとしてのSAP HANAが不揮発性メモリを活用する上で、このメインストアと呼ばれる領域の性質は大きなポイントです。そこで、このメインストアとはどんな領域なのかを紹介しておきましょう。

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