Samsung、華城製造施設拡張計画に330億ドル

[ITmedia]

　韓国のSamsung Electronicsは9月29日、華城半導体製造施設拡張計画の第2段階として、330億ドルを投じて2012年までに新しい研究開発施設1棟と製造施設8棟を建設する計画を発表した。

　次世代研究開発施設は来年5月に営業開始予定。メモリ／システムLSI向けに、ナノテクノロジー、プロセステクノロジーをはじめとする素材研究に取り組む。

　製造施設8棟のうち4棟は、300mm以上のウエハーに対応し、従来以上の製造能力を備えた施設となる見通し。

　華城工場は2000年に建設され、第1段階として製造施設5棟、研究開発施設1棟などが開設されている。第2段階の計画が2012年に完了すれば、近隣の施設と合わせて世界最大の半導体製造施設になると説明している。