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» 2006年04月14日 08時10分 公開

Samsung、性能強化と小型化実現のメモリパッケージ技術開発

Samsungが開発したWSPでは、現在のマルチチップパッケージに比べて設置面積を15%、厚さを30%縮小でき、パフォーマンスは約30%向上するという。

[ITmedia]

 Samsung Electronicsは4月13日、パフォーマンスの大幅な強化と小型化を実現した3Dメモリパッケージを開発したと発表した。

 このパッケージ技術はWSP(wafer-level processed stack package)と呼ばれ、TSV(through silicon via)相互接続技術を使った高密度メモリチップで構成する。

 Samsungの試作品では50マイクロメートルの2GビットNANDフラッシュのダイを垂直に8個重ね、高さは0.56ミリ。シリコンを垂直に貫くマイクロメートル規模の穴を作って回路を直接接続することで、ワイヤ接続を使った現在のマルチチップパッケージ(MCP)に比べて設置面積を15%、厚さを30%縮小した。また、電気抵抗の低減によりパフォーマンスも約30%向上するとしている。

 WSPは携帯機器や家電に利用してバッテリー持続時間の向上とパフォーマンス強化を図ることができ、薄型の高性能携帯に最適だとSamsung。同社は2007年初頭から、まず携帯などの家電製品向けNANDベースのメモリカードにWSP技術を導入する計画。

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