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» 2006年11月09日 07時26分 公開

Intel、65nmのマルチレベルセル型NORフラッシュメモリを量産開始

Intelは、65nmプロセスによるNOR型フラッシュメモリの量産を開始した。携帯電話機向けの1Gビット品も含まれる。

[ITmedia]

 米Intelは11月8日、65ナノメートル(nm)プロセスによる、マルチレベルセル(MLC)技術を用いたNOR型フラッシュメモリの量産を、業界に先駆けて開始したと発表した。製品中には、携帯電話機向けの容量1GビットのモノリシックNOR型フラッシュメモリも含まれる。

 これら新製品は、同社の「StrataFlash Cellular Memory(M18)」アーキテクチャをベースとし、同社の90nmフラッシュメモリとアーキテクチャを共有するため、端末メーカーは90nm世代から65nm世代へと短期間で移行できるという。

 新メモリは、データ読み出し速度は133MHzで90nm世代と同じだが、書き込み速度は毎秒1Mバイトと、前世代の毎秒500Kバイトから向上した。これにより、400万画素のデジタルカメラとMPEG-4ビデオに対応できる。

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