Intel、65nmのマルチレベルセル型NORフラッシュメモリを量産開始

[ITmedia]

　米Intelは11月8日、65ナノメートル（nm）プロセスによる、マルチレベルセル（MLC）技術を用いたNOR型フラッシュメモリの量産を、業界に先駆けて開始したと発表した。製品中には、携帯電話機向けの容量1GビットのモノリシックNOR型フラッシュメモリも含まれる。

　これら新製品は、同社の「StrataFlash Cellular Memory（M18）」アーキテクチャをベースとし、同社の90nmフラッシュメモリとアーキテクチャを共有するため、端末メーカーは90nm世代から65nm世代へと短期間で移行できるという。

　新メモリは、データ読み出し速度は133MHzで90nm世代と同じだが、書き込み速度は毎秒1Mバイトと、前世代の毎秒500Kバイトから向上した。これにより、400万画素のデジタルカメラとMPEG-4ビデオに対応できる。