東芝は2月7日、1チップで16Gビット(2Gバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。43ナノメートル(nm)プロセスによるもので、3月に量産を開始する計画。今年7〜9月期には32Gビット(4Gバイト)品の量産も始める予定だ。
メモリセルの工夫などで面積効率を向上し、56nm世代の同容量製品と比べチップ面積を約3割削減。16Gビット品のチップサイズは約120ミリ平方メートルに抑えた。
同日から製品のサンプル出荷を開始。量産は四日市工場(三重県四日市市)で行う
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