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「ダイヤモンド半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素(SiC)だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン(Si)を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。

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佐賀大学と宇宙航空研究開発機構(JAXA)および、ダイヤモンドセミコンダクターは、ダイヤモンドを用いてマイクロ波帯域(3〜30GHz)やミリ波帯域(30〜300GHz)で増幅動作が可能な「高周波半導体デバイス」を開発した。オフ時の耐電圧は4266Vで、電力利得の遮断周波数は120GHzだ。これらの値はいずれも世界最高レベルだという。

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佐賀大学とJVCケンウッドが、次世代の高周波パワー半導体として期待されるダイヤモンド半導体の社会実装に向けた共同研究を開始する。佐賀大学は、JVCケンウッドから共同研究契約を通じた支援を受け研究を促進するとともに、JVCケンウッドに主にマイクロ波帯、ミリ波帯通信用半導体の技術情報を提供する。

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Power Diamond Systems(PDS)は、pチャネル型のダイヤモンドMOSFETとnチャネル型のSiC-MOSFET/GaN-HEMTを組み合わせた相補型パワーインバーターの開発に着手した。トランジスタの動作周波数を高速化することで構成部品を小型化でき、インバーター自体もさらなる小型化と軽量化が可能となる。

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ダイヤモンド半導体がにわかに注目を集めている。半導体として優れた特性を持つダイヤモンドは、パワーデバイス向けの材料としての期待値も高い。ダイヤモンドパワーデバイスの開発を手掛けるフランスDiamfabのインタビューを基に、ダイヤモンド半導体が秘める可能性を探る。

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さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。

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