3ビット/セルの25nmフラッシュメモリ、IntelとMicronから

IntelとMicronがサンプル出荷している新たなフラッシュメモリは、従来技術よりも記録密度とコスト効率が高くなっている。

[ITmedia]

　米Intelと米Micronは8月17日、25ナノメートル（nm）製造プロセスを採用した3ビット/セルのNAND型フラッシュメモリをサンプル出荷開始した。年内に量産を開始する。

　1つのセルに3ビットのデータを記録でき、記録容量は64ギガビットで、ダイサイズは131平方ミリ。同じ容量の25nmの2ビット/セルのフラッシュメモリと比べて、20％以上サイズが小さい。従来よりも記録密度が高く、コスト効率が高いフラッシュメモリが実現できるという。フラッシュメモリはUSBメモリやSDカードなど家電分野で使われており、高容量化と低価格化が求められている。