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「NAND」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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福田昭のストレージ通信(192) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(19):
10年後の3D NANDフラッシュはワンチップに4Tビットを記憶へ
今回は3D NANDフラッシュの高層化(ワード線の積層数の増加)と大容量化に関する2033年までの将来予測を報告する。(2021/4/16)

福田昭のストレージ通信(191) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(18):
1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ
今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト(記憶容量当たり)を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。(2021/4/13)

福田昭のストレージ通信(190) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(17):
3D NANDフラッシュの製造歩留まりを高める2段階積層
今回は、3D NANDフラッシュの製造工程の中で最も困難とされる、「メモリスルーホール」の形成プロセスに関する講演部分をご報告する。(2021/4/9)

福田昭のストレージ通信(189) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(16):
急速にキャッチアップを進めたSK hynixの3D NAND技術
今回は、NANDフラッシュメモリ大手の一角を占めるSK hynixの3D NANDフラッシュ開発の軌跡をたどる。(2021/4/5)

福田昭のストレージ通信(188) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(15):
中国YMTCの3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品
今回は、中国のNANDフラッシュベンチャーであるYMTCが開発した3D NANDフラッシュメモリ技術「Xtacking(エクスタッキング)」と、同社の3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品を報告する。(2021/3/31)

福田昭のストレージ通信(187) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(14):
周辺回路とセルアレイを積層して3D NANDの密度をさらに高める
今回は、周辺回路とメモリセルアレイを積層することによって3D NANDフラッシュの記憶密度をさらに高める技術を説明する。(2021/3/26)

プレミアムコンテンツ:
Computer Weekly日本語版:NANDの後継はReRAM
特集はデータ保護手段としてのスナップショットのメリット/デメリット解説と生体認証の欠点と解決策。他にフラッシュメモリ後継技術の候補であるReRAMの解説と動向、量子コンピュータによる暗号解読リスク対抗策などの記事をお届けする。(2021/3/25)

湯之上隆のナノフォーカス(36):
高騰するDRAM価格と横ばいのNAND価格、“SSDコントローラー不足”も明らかに
DRAMとNAND型フラッシュメモリの価格を分析した結果、レガシーなDRAMのスポット価格が異常に高騰していることが分かった。また、SSDコントローラーが不足していることも明らかになった。なぜ、このような事態になっているのかを推測する。(2021/3/23)

福田昭のストレージ通信(186) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(13):
3D NANDフラッシュの高層化と記憶密度の推移
今回は、3D NANDフラッシュ技術の高密度化をけん引してきた高層化と多値化の推移について解説する。(2021/3/23)

福田昭のストレージ通信(185) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(12):
3D NANDフラッシュの技術開発史
今回からは、3D NANDフラッシュのベンダー各社のメモリアーキテクチャと要素技術を比較検討する。(2021/3/19)

福田昭のストレージ通信(184) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(11):
スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュの変遷
今回は、スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュメモリの変遷をたどる。(2021/3/16)

福田昭のストレージ通信(183) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(10):
3D NANDフラッシュメモリの開発ロードマップ
今回から、TechInsightsのJeodong Choe氏による講演の内容を紹介する。まずは、3D NANDフラッシュメモリ各社の開発ロードマップを解説している。(2021/3/12)

福田昭のストレージ通信(182) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(9):
3D NANDフラッシュのGバイト単価は2025年に2米セント未満へ
今回は3D NANDフラッシュの製造コスト(記憶容量当たり)が低下する様子を2025年までHDDと比較しながら予測するとともに、事業環境の動向をまとめて示す。(2021/3/8)

福田昭のストレージ通信(181) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(8):
3D NANDフラッシュの製造コストを2022年まで予測
今回は3D NANDフラッシュのシリコンダイ製造コストが2020年〜2022年にどのように変化するかを解説する。(2021/3/1)

福田昭のストレージ通信(180) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(7):
3D NANDフラッシュのコスト削減モデル
今回は3D NANDフラッシュのウエハー当たり製造コスト(ウエハーコスト)が世代交代でどのように変わるかを解説する。(2021/2/24)

福田昭のストレージ通信(179) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(6):
次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減
今回は、次世代の3D NANDフラッシュについて解説する。次世代3D NANDフラッシュでは、176層の高層化と、QLC(quadruple level cell)方式の多値化が主流になる。(2021/2/18)

トランセンド、“SLCモード”を備えた高耐久仕様の産業用2.5インチSATA SSD
トランセンドジャパンは、SLC NANDと同等の耐久性を実現するというSLCモードを搭載した産業用2.5インチSATA SSD「SSD530K」シリーズを発表した。(2021/2/17)

福田昭のストレージ通信(178) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(5):
中国の3D NANDフラッシュメーカー「YMTC」の現状
今回は、中国の3D NANDフラッシュベンチャーであるYMTC(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)の現状に関する講演部分を紹介する。(2021/2/15)

eMMCの不具合でリコール:
Teslaの考え方は自動車メーカーというよりソフトウェア企業
eMMC対応のNAND型フラッシュメモリのウェアアウトによるTesla(テスラ)のリコールは、同社が、自動車メーカーというよりもソフトウェア企業のような考え方を持っていることの表れかもしれない。(2021/2/12)

より高いパワーレベルが利用可能に:
Lam、3Dメモリ向け絶縁膜エッチング技術を開発
Lam Research(ラムリサーチ)は、エッチングプラットフォーム「Sense.i(センスアイ)」向けに開発した絶縁膜エッチング技術「Vantex」を発表した。次世代の3D NAND型フラッシュメモリやDRAM製造におけるエッチング用途に向ける。【修正あり】(2021/2/12)

福田昭のストレージ通信(177) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(4):
高層化の継続で、製造コストを爆下げする3D NANDフラッシュ
今回からは、半導体メモリのアナリストであるMark Webb氏の「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025(フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望する)」と題する講演の概要をご紹介する。(2021/2/9)

デイリーユースでの性能を高めた高耐久SATA SSD「870 EVO」を試す
SamsungのSSDに新顔「870 EVO」が加わった。3D TLC NANDフラッシュメモリ搭載の2.5インチSSDで、「860 EVO」の後継に当たる。何が強化されたのか、細かく見ていこう。(2021/1/20)

サムスン、第6世代V-NANDを採用した2.5インチSATA SSD「870 EVO」
ITGマーケティングは、サムスン製2.5インチSATA SSD「870 EVO」の取り扱いを発表した。(2021/1/20)

スマートモジュラーテクノロジーズ BGAE440:
産業用組み込みアプリケーション向けeMMC
スマートモジュラーテクノロジーズは、産業用組み込みアプリケーション向けのeMMCファミリー「BGAE440」を発表した。3D NANDフラッシュメモリを搭載し、JEDECの「eMMC v5.1」規格に準拠。153および100ボールのBGAパッケージに対応する。(2021/1/15)

Intelが144層QLC採用の新型SSD「670p」「Optane Memory H20」を投入 2021年第1四半期から順次
Intelが144層QLC 3D NANDメモリを搭載するクライアントデバイス向けSSDを発表した。搭載製品は2021年第1四半期から順次発売される予定だ。(2020/12/16)

2022年春に土地整備完了予定:
キオクシア、製造棟新設に向け北上工場の敷地拡張へ
キオクシアは2020年12月9日、3次元NAND型フラッシュメモリの生産拡大のため、北上工場(岩手県北上市)の隣接地を取得する方針を決定したと発表した。(2020/12/9)

米中対立が続く中:
NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心
中国の新興企業であるYangtze Memory Technologies Corp(YMTC)は、今後数年間で競合先にライセンス供与する可能性が高いNAND型フラッシュメモリ技術で、Samsung Electronics(以下、Samsung)やMicron Technology(以下、Micron)をリードする構えだ。YMTCの元代理チェアマンであるCharles Kau氏が明らかにした。(2020/11/30)

ダイの厚さは64層3D NANDと同等:
3つの技術で高密度化、Micronの176層3D NAND
Micron Technology(以下、Micron)は2020年11月18日、日本のメディア向けに、同年11月9日(米国時間)に発表した176層の3D NAND型フラッシュメモリ(以下、176層3D NAND)の説明会を行った。(2020/11/20)

組み込み開発ニュース:
マイクロンの176層NANDは3つの技術で実現、一気に「業界のリーダー」へ
マイクロン(Micron Technology)がオンラインで会見を開き、2020年11月9日に量産出荷を開始した「世界初」(同社)の176層3D NANDフラッシュメモリ(176層NAND)の技術について説明した。(2020/11/19)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心 ―― 電子版2020年11月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2020年11月号。今号のEE Exclusive(電子版限定先行公開記事)では、中国の新興メモリメーカー・Yangtze Memory Technologies Corpの現状をレポートする「NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心」をお送りする。(2020/11/16)

トップクラスのコスト効率を維持:
Micron、176層3D NANDフラッシュの出荷を開始
Micron Technologyは、世界で初めてという「176層3D NANDフラッシュメモリ」の出荷を始める。モバイル端末や車載システム、データセンター向けSSDなどの用途に提案していく。(2020/11/13)

マイクロン uMCP5:
LPDDR5搭載のマルチチップパッケージ
マイクロンテクノロジーは、LPDDR5 DRAMを搭載した、UFS規格対応のマルチチップパッケージ「uMCP5」を発売する。LPDDR5 DRAMに加え、NANDフラッシュ、UFS 3.1コントローラーを搭載し、5G対応スマートフォンなどで利用できる。(2020/10/30)

モノづくり総合版 メールマガジン 編集後記:
SK hynixがNANDでも世界2位に!Intelの事業売却で業界は新たなステージへ?
Samsung超えの大連合に?(2020/10/22)

Intel、NANDメモリ事業をSK hynixに90億ドルで売却
Intelが韓国SK hynixにNANDメモリおよびストレージ事業を90億ドル(約9500億円)で売却する。Intelは売却収益をAI、5Gネットワーキング、エッジ製品などの主力事業に投資していくとしている。(2020/10/20)

「3D XPoint」事業は維持:
Intel、SK hynixにNANDメモリ事業を90億ドルで売却へ
 IntelとSK hynixは2020年10月20日、IntelのNAND型フラッシュメモリ事業をSK hynixに90億米ドルで売却することに合意したと発表した。(2020/10/20)

大きなけん引役:
5Gが開くメモリの市場機会
DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ企業の幹部は、メモリ市場の未来が次世代の携帯電話にいかにけん引されるかについてよく語っている。現在、大きなけん引役となっているのは5G(第5世代移動通信)だ。(2020/10/8)

サムスン、QLC NANDを採用した2.5インチSATA SSD「870 QVO」 最大8TBモデルまで用意
ITGマーケティングは、日本サムスン製のQLC NAND採用2.5インチSATA SSD「870 QVO」の取り扱いを発表した。(2020/7/29)

QLC SSDは第2世代でどう進化したか Samsung「870 QVO」を試す
次世代のQLC 3D NANDフラッシュメモリが登場した。8TBとさらなる大容量化を実現したSamsung「870 QVO」で、パフォーマンスをチェックしよう。(2020/7/2)

フラッシュメモリの今【後編】
NAND型よりも「NOR型フラッシュメモリ」を選ぶべき用途とは?
NOR型フラッシュメモリは自動車や医療をはじめ幅広い分野で活躍している。NAND型フラッシュメモリとの違いを踏まえつつ、NOR型フラッシュメモリの用途を探る。(2020/7/2)

フラッシュメモリの今【前編】
いまさら聞けない「NAND型」「NOR型」フラッシュメモリの違いとは?
フラッシュメモリの種類には、よく耳にするNAND型の他にNOR型がある。どのような違いがあり、それぞれどのようなメリットとデメリットがあるのだろうか。(2020/6/25)

フラッシュメモリより1000倍高速
ReRAMはフラッシュメモリの後継の最有力候補となるか?
NAND型フラッシュメモリより1000倍高速で消費電力は1000分の1というReRAM。このReRAMを開発しているイスラエルのスタートアップ企業の取り組みを紹介する。(2020/6/22)

湯之上隆のナノフォーカス(26):
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は? バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。(2020/6/3)

addlink、3D TLC NAND採用のM.2 NVMe SSD「S68」に1TBモデルを追加
リンクスインターナショナルは、台湾addlink製のM.2 NVMe SSD「S68 1TB」の取り扱いを発表した。(2020/5/28)

NAND型フラッシュメモリの進化と現実【後編】
「QLC」と「TLC」の違いとは? NAND型フラッシュメモリの賢い選び方
「QLC」方式と「TLC」方式のNAND型フラッシュメモリのどちらが適切かは、どのような基準で判断すればよいのか。用途に注目して両者を比較する。(2020/5/2)

NAND型フラッシュメモリの進化と現実【前編】
QLC、TLCが生まれた今でも「SLC」のNAND型フラッシュメモリが使われ続ける理由
進化や変化が、常にあらゆるニーズを満たすとは限らない。「QLC」「TLC」といった新しい方式が登場したにもかかわらず、従来の「SLC」方式のNAND型フラッシュメモリが使われるのには、それなりの理由がある。(2020/4/25)

各SSDの特徴を再整理
3D XPoint、Z-NAND、TLC、QLC……ユースケースに最適なSSDとは
SSDには複数の種類があり、速度もコストも特徴も異なる。ユースケースに最適なSSDを選ぶには、各種SSDの仕様を理解しなければならない。場合によってはSSDによるストレージ階層化も検討すべきだろう。(2020/4/24)

新型コロナがメモリ市場に与える影響【後編】
NAND型フラッシュの流通が新型コロナウイルスで滞る?
新型コロナウイルスの感染拡大でNAND型フラッシュメモリの需要が低迷すると専門家は予測する。各社が設備投資を積極化させてきた中で、NAND型フラッシュメモリの価格にはどのような影響があるのだろうか。(2020/4/21)

性能向上でNORフラッシュからの移行進む:
PR:人工知能を実装する組み込みシステムにシリアルNANDフラッシュを採用すべき理由
この記事では、人工知能(AI)を組み込みシステムに実装する開発者がブートコードおよびアプリケーションコード格納用に、シリアルNORフラッシュからシリアルNANDフラッシュに移行することの利点に目を向け、NANDフラッシュの信頼性や寿命、パフォーマンスについて改めて検討すべき理由を説明します。(2020/4/15)

Computer Weekly日本語版
3D XPoint/Z-NAND、TLC、QLCそれぞれの最適な使い道
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2020/4/15)

新型コロナがメモリ市場に与える影響【前編】
新型コロナウイルス感染拡大でNAND型フラッシュメモリの価格はどう動く?
新型コロナウイルスの感染拡大でNAND型フラッシュメモリの需要が低迷すると専門家は予測する。各社が設備投資を積極化させてきた中で、NAND型フラッシュメモリの価格にはどのような影響があるのだろうか。(2020/4/14)


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