東芝とNEC、MRAM大容量化技術を開発
東芝とNECは12月15日、次世代不揮発性メモリとして期待されるMRAMの大容量化につながる技術を開発したと発表した。同技術を踏まえて両社は、256MビットのMRAM作成に必要な基盤技術を2005年度に確立する計画だ。
MRAMは、磁気の向きでデータを保存するメモリ。高速・高密度で無限に書き換え可能なDRAMの特徴と、電源を切ってもデータが残るフラッシュメモリの特徴を併せ持つ。微細化時の電流低減技術の確立や、高速性を犠牲にせずにセル面積を抑える技術の開発が課題だった。
書き込み電流を従来の半分以下に抑えながら誤書き込みを防止する磁気抵抗素子を開発。セル面積を縮小しつつ、高速データ読み出しが可能な高速クロスポイントセル構造を考案した。セル面積をDRAMと同程度に抑えながら、読み出し速度を250ナノ秒に高速化できるという。
2005年度に確立する予定の、256MビットのMRAM作成に必要な基盤技術では、250ナノメートルプロセスの磁気抵抗素子作成技術と130－180ナノプロセスのCMOS作成技術を採用する計画だ。
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