NECエレ・ソニー・東芝、45ナノ技術を共同開発

　NECエレクトロニクス、ソニー、東芝の3社は2月1日、45ナノメートルのシステムLSIプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。3社のリソースを結集し、次世代プロセスの実用化を急ぐ。

　ソニーと東芝は一昨年から同プロセス技術の共同開発を進め（関連記事参照）、NECエレは昨年、東芝と同プロセス技術の共同開発を発表（関連記事参照）。改めて3社で共同開発することで合意し、東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で進めているソニーと東芝の共同開発に、NECエレの開発要員が参加する。

　デジタル家電の高性能化やモバイル機器の小型化・低消費電力化を目指し、LSI製造プロセスの微細化が進められているが、難易度が高まる45ナノメートル以降の開発には莫大なコストが必要。このため半導体各社の合従連衡が進んでいる。

　ソニーと東芝は、米IBMと32ナノ以降のプロセス技術を共同開発する契約を結んだ。東芝は日立製作所、ルネサステクノロジと65ナノ以降の共同ファブの設立を検討し、各社に参加を呼び掛けている。

印刷する

SNSでシェア

関連記事

• 

  東芝とNECエレ、包括提携を検討　45ナノLSI技術を共同開発

• 

  ソニーと東芝、45ナノLSI技術を共同開発

• 

  ソニー、東芝、IBMが32ナノ以降のプロセス技術を共同開発

• 

  Intel、45nmプロセスのチップ製造に成功

• 

  NECエレが55ナノプロセスを開発、2007年内に量産開始

• 

  セットに応じてチップ配線構造を最適化　NECが新技術

• 

  日立・東芝・ルネサス、共同ファブ検討へ企画会社を設立

こんなメディアも見られています

ITmedia NEWSに関連する情報をお探しであれば、こちらのメディアもお役に立てるかもしれません。

企業ITのトレンドを詳説

ITmedia エンタープライズ

エネルギーの専門メディア

スマートジャパン

建設×テクノロジーの最前線

BUILT

ビジネスと働き方のヒント

ITmedia ビジネスオンライン