米IBM、ソニー、東芝は1月12日、5年間にわたる半導体技術の共同開発契約を結び、32ナノメートル以降のプロセス技術に関する基礎研究を進めると発表した。
3社は過去5年間、Cellプロセッサや95ナノ・65ナノプロセスによるSOI技術などを共同開発してきた。今後、共同開発の範囲を先端プロセス技術の基礎研究にも拡大し、次世代半導体の早期実用化につなげる。
研究は、米国内のIBMワトソン研究所などで行う。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
Special
PR